降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法与流程

本公开涉及晶体生长领域，更具体地涉及一种降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法。

背景技术：

1、碲化镉单晶在多个领域发挥着重要作用。作为外延衬底，它能够为其他半导体材料的外延生长提供良好的基底，有助于制备高性能的半导体器件，如hgcdte红外探测器等。在x射线探测器领域，碲化镉单晶凭借其优异的性能，可用于医疗、工业等领域的x射线成像和检测，为疾病的诊断和工业质量控制提供有力支持。作为核辐射探测器的关键材料，碲化镉单晶具有高灵敏度和高分辨率的特点，能够有效检测核辐射，广泛应用于医学、工业、环境监测等领域，为核安全和环境保护提供保障。碲化镉单晶的制备通常采用vgf、vb、thm等晶体生长方法，但由于镉的饱和蒸气压较大，导致碲化镉单晶在生长过程形成碲沉积相，大大影响晶体质量。

技术实现思路

1、鉴于背景技术中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法，其能够有效实现降低碲化镉单晶中的碲沉积相的尺寸。

2、由此，一种降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法包括步骤：s1，称取100-120目的5n碲化镉粉体700-750g；s2，称取100-120目的5n镉粉2-3g；s3，将称取的碲化镉粉体和镉粉混合均匀以形成混合粉体；s4，将一块已检测碲沉积相尺寸的φ50mm×80mm的碲化镉单晶和混合粉体一同装入石英管中，保证混合粉体完整包围碲化镉单晶；s5，将石英管抽至1.0×10-3pa以下，用石英封泡与石英管焊封以保持石英管内的真空度，焊封后石英管的内部空间约为φ70mm×200mm；s6，将石英管竖直装入加热炉中，保证石英管的内部空间在加热炉的恒温区的范围内；s7，将加热炉的恒温区以30-50℃/h的速度加热到700-750℃，在此温度保温80-90h；s8，关闭加热炉，待加热炉的恒温区降至室温后从加热炉中取出石英管；s9，破碎石英管，取出碲化镉单晶，对碲化镉单晶的上下端面及中间部位分别取一2mm厚晶片，将其抛光加工并检测碲沉积相尺寸。

3、本公开的有益效果如下：在根据本公开的降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法中，通过采用步骤s1的碲化镉粉体和步骤s2的镉粉在规定的配比下形成能够包围碲化镉单晶的混合粉体、以及在步骤s7的加热到温度（即退火温度）和保温时间（即退火时间），如测试过程所验证地，能够有效实现降低碲化镉单晶中的碲沉积相的尺寸，从而提高碲化镉单晶的化学计量比的精确度，提高碲化镉单晶的质量。

1.一种降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的降低碲化镉单晶沉积相尺寸的退火方法，其特征在于，