一种UV腔的制作方法

本技术涉及半导体设备，具体地，涉及一种uv腔。

背景技术：

1、近表面电阻量测qcs设备所携带的前处理uv腔，是用于氧化晶圆表面的关键设备。该腔的工作原理基于一套精细的化学和物理过程。具体来说，首先，向腔体内通入清洁干燥空气（cda），这是一种经过特殊处理的空气，其特点是无水分、无杂质，能够为氧化反应提供纯净的氧气环境。随后，uv灯被启动，它发出特定波长的紫外线，这些紫外线能够穿透cda，照射到晶圆表面。在紫外线的激发下，cda中的氧气分子被分解，进而生成臭氧（o3）。臭氧是一种强氧化剂，它与晶圆表面的硅（si）发生反应，生成二氧化硅（sio2），从而在晶圆表面形成一层致密的氧化膜。这层氧化膜对于晶圆的后续处理至关重要，它能够有效保护晶圆免受污染和物理损伤，同时也是后续半导体制造工艺的必要条件。

2、然而，uv腔门携带密封圈与对应腔体金属表面接触，密封圈的放置位置和形状对密封效果至关重要。如果密封圈放置不当，比如位置偏移、折叠或者受到外力挤压而发生形变，就会导致密封不严，从而引发漏气现象。在氧化过程中，uv腔门的密闭性对于晶圆整面的氧化膜致密性及均匀性有着直接的影响。当腔门出现漏气时，边缘cda量不足，会影响晶圆边缘的氧化效果。因为cda是氧化反应的必要参与者，其流量的减少会导致氧化反应不能充分进行，进而使得晶圆边缘的氧化膜厚度不足，密度降低。严重时，如果腔内整体cda量不足，会影响晶圆表面氧化膜的整体致密性。uv腔门漏气使得表面氧化膜均匀度和致密性异常，这会直接影响晶圆近表面电阻量测的准确性。近表面电阻量测是半导体制造过程中的一个重要环节，它提供关于晶圆电学性能的关键数据，这些数据对于后续的工艺流程控制和产品质量评估至关重要。如果由于密封问题导致氧化膜的质量不符合标准，那么量测得到的电阻值就会偏离真实值。外延工程师在调试机台时，需要根据电阻量测的结果来调整设备参数。如果量测结果不准确，工程师就会得到错误的判断，从而引发批量产品的异常。在大规模生产中，这种由于密封问题引发的误判可能会导致大量的晶圆报废，造成巨大的经济损失。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术中存在的问题，本申请提供一种uv腔，能够降低uv腔漏气风险。

2、为实现上述目的及其它相关目的，本实用新型提供了一种uv腔，包括：

3、腔体，腔体内设有工艺腔，腔体具有相对设置的第一端面和第二端面；

4、腔壁，固定设置于腔体的第一端面，腔壁的中心位置具有贯穿至工艺腔的第一开口；

5、腔门，设置于腔壁的外侧并连接至腔体，用于开闭工艺腔；

6、第一密封组件，环绕设置于腔壁靠近腔门的一侧的外围；

7、第二密封组件，环绕设置于腔门朝向腔壁的一侧的外围，当腔门关闭时，第一密封组件与第二密封组件至少在各自的侧边缘处相抵并发生弹性压合。

8、可选地，第一密封组件包括：

9、第一凹槽，环绕设置于腔壁靠近腔门的一侧的外围；

10、第一密封圈，设置于第一凹槽中。

11、可选地，第二密封组件包括：

12、第二凹槽，环绕设置于腔门朝向腔壁的一侧的外围；

13、第二密封圈，设置于第二凹槽中。

14、可选地，第一凹槽的宽度介于3 mm~5 mm，第一密封圈的宽度介于3 mm~5 mm，第二凹槽的宽度介于3 mm~5 mm，第二密封圈的宽度介于3 mm~5 mm。

15、可选地，腔壁与腔体为一体成型结构。

16、可选地，腔门可拆卸地连接至腔体。

17、可选地，腔门与腔壁具有相同的形状与尺寸。

18、可选地，第一密封组件与腔壁的外周边缘的最短距离介于5 mm~10 mm，第二密封组件与腔门的外周边缘的最短距离介于8 mm~13 mm。

19、可选地，腔门通过铰链或直线导轨机构与腔体连接。

20、如上所述，本实用新型提供的一种uv腔，至少具备如下有益技术效果：

21、本实用新型的uv腔包括腔体、腔壁、腔门、第一密封组件和第二密封组件。腔体内设有工艺腔，腔体具有相对设置的第一端面和第二端面。腔壁，固定设置于腔体的第一端面，腔壁的中心位置具有贯穿至工艺腔的第一开口。腔门设置于腔壁的外侧并连接至腔体，用于开闭工艺腔。第一密封组件环绕设置于腔壁靠近腔门的一侧的外围。第二密封组件环绕设置于腔门朝向腔壁的一侧的外围，当腔门关闭时，第一密封组件与第二密封组件至少在各自的侧边缘处相抵并发生弹性压合。本实用新型的uv腔通过在腔壁设置第一密封组件、在腔门设置第二密封组件，形成了相互独立又协同工作的两道密封防线。当腔门关闭时，两个密封组件在各自的侧边缘处相抵并发生弹性压合，使得气体分子必须连续突破两道弹性密封屏障才能发生泄漏。这种双重密封设计不仅显著延长了泄漏路径，更通过两道防线的相互备份，显著降低uv腔漏气风险。

1.一种uv腔，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的uv腔，其特征在于，所述第一密封组件包括：

3.根据权利要求2所述的uv腔，其特征在于，所述第二密封组件包括：

4.根据权利要求3所述的uv腔，其特征在于，所述第一凹槽的宽度介于3 mm~5 mm，所述第一密封圈的宽度介于3 mm~5 mm，所述第二凹槽的宽度介于3 mm~5 mm，所述第二密封圈的宽度介于3 mm~5 mm。

5.根据权利要求1所述的uv腔，其特征在于，所述腔壁与所述腔体为一体成型结构。

6.根据权利要求1所述的uv腔，其特征在于，所述腔门可拆卸地连接至所述腔体。

7.根据权利要求1所述的uv腔，其特征在于，所述腔门与所述腔壁具有相同的形状与尺寸。

8.根据权利要求7所述的uv腔，其特征在于，所述第一密封组件与所述腔壁的外周边缘的最短距离介于5 mm~10 mm，所述第二密封组件与所述腔门的外周边缘的最短距离介于8mm~13 mm。

9.根据权利要求1所述的uv腔，其特征在于，所述腔门通过铰链或直线导轨机构与所述腔体连接。