量子点发光层的制备方法、量子点发光层及发光二极管

本申请涉及微纳米加工与光电子器件制备，具体地涉及一种量子点发光层的制备方法、量子点发光层及发光二极管。

背景技术：

1、对于量子点电致发光器件而言，量子点发光层是影响器件分辨率、发光均一性、色彩表现及器件稳定性的结构之一。尤其在对像素密度和像素尺寸具有较高要求的情况下，如何提高多色量子点发光层的图案质量及制备效率是量子点电致发光器件领域亟待解决的难题之一。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种量子点发光层的制备方法、量子点发光层及发光二极管。

2、根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种量子点发光层的制备方法。该制备方法包括：将至少一种量子点溶液引入至由导电基底和导电模板相对设置形成的限域空间，量子点溶液分散有对应发光颜色的量子点，不同量子点溶液的量子点的发光颜色不同，导电模板设置有多个彼此间隔的导电单元；在毛细力的驱动下，限域空间中的至少一种量子点溶液经由多个导电单元的间隔排布被引导至多个导电单元各自所在区域，形成与多个导电单元各自对应的溶液分区排布结构；在与多个溶液分区排布结构各自相匹配的局域电场的驱动下，多个溶液分区排布结构中的量子点定向迁移，并沉积至导电基底上对应的预定图案区域，多个局域电场是在导电模板和导电基底之间施加预定电压的情况下形成的；移除导电模板，得到图案化量子点发光层。

3、根据本申请的实施例，导电单元包括顶面以及位于顶面相对两侧的侧壁，量子点溶液流经顶面的流动速率高于量子点溶液流经侧壁的流动速率；在毛细力的驱动下，限域空间中的至少一种量子点溶液经由多个导电单元的间隔排布被引导至多个导电单元各自所在区域，形成与多个导电单元各自对应的溶液分区排布结构，包括：在毛细力的驱动下，限域空间中的至少一种量子点溶液各自经由对应的流体通道所对应的导电单元的顶面定向传输，被导电单元的侧壁抑制跨流体通道传输，形成与多个导电单元各自对应的溶液分区排布结构，多个流体通道是由多个导电单元间隔排布形成的。

4、根据本申请的实施例，量子点溶液包括多种；将至少一种量子点溶液引入至由导电基底和导电模板相对设置形成的限域空间，包括：将多种量子点溶液同步引入至由导电基底和导电模板相对设置形成的限域空间。

5、根据本申请的实施例，预定电压是根据导电单元和导电基底之间的预定距离确定的，预定距离可调。

6、根据本申请的实施例，预定距离为100nm~50μm；和/或预定电压为1v~20v的直流电压；和/或导电单元的宽度为1μm~100μm，相邻导电单元之间的间距为1μm~100μm，导电单元的高度为1μm~100μm。

7、根据本申请的实施例，量子点的沉积时长为1s~120s。

8、根据本申请的实施例，导电模板包括导电硅模板、氧化铟锡模板或金属薄膜模板；和/或导电基底包括氧化铟锡导电玻璃或氟掺杂氧化锡导电玻璃。

9、根据本申请的实施例，量子点为胶体量子点，胶体量子点包括cd系量子点、非cd系量子点或钙钛矿量子点中的至少一种；和/或至少一种量子点溶液各自的浓度为5mg/ml~200mg/ml。

10、根据本申请实施例的第二个方面，提供了一种量子点发光层，采用如上述的制备方法制备而成。

11、根据本申请实施例的第三个方面，提供了一种量子点发光二极管，包括自下而上依次叠置的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子阻挡层、电子传输层、电极层和封装层，量子点发光层采用如上述的制备方法制备而成。

12、根据本申请的实施例，将量子点溶液引入由导电基底和多个彼此间隔的导电单元形成的限域空间，在毛细力的驱动下，限域空间内的量子点溶液可以在多个导电单元内形成无串扰的溶液分区排布结构，并在局域电场的驱动下，实现量子点的定向迁移和沉积。上述方法无需对量子点溶液进行预处理，减少了预处理过程对量子点发光性能的不利影响；同时，利用毛细力和局域电场协同驱动量子点溶液形成无串扰的溶液分区排布结构以及量子点的定向沉积，无需复杂的多步处理工艺，有利于进一步缩小图案尺寸，从而提高图案的分辨率，还可以在较短时长内完成量子点发光层的图案化，提高量子点发光层的制备效率。

1.一种量子点发光层的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电单元包括顶面以及位于所述顶面相对两侧的侧壁，所述量子点溶液流经所述顶面的流动速率高于所述量子点溶液流经所述侧壁的流动速率；

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述量子点溶液包括多种；

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述预定电压是根据所述导电单元和所述导电基底之间的预定距离确定的，所述预定距离可调。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预定距离为100nm~50μm；和/或

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述量子点的沉积时长为1ms~120s。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述导电模板包括导电硅模板、氧化铟锡模板或金属薄膜模板；和/或

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述量子点为胶体量子点，所述胶体量子点包括cd系量子点、非cd系量子点或钙钛矿量子点中的至少一种；和/或

9.一种量子点发光层，其特征在于，采用如权利要求1~8中任一项所述的方法制备而成。

10.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次叠置的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子阻挡层、电子传输层、电极层和封装层，其中，所述量子点发光层采用如权利要求1~8中任一项所述的方法制备而成。