一种用于半导体陶瓷孔密封的工装的制作方法

本技术涉及半导体制造设备，具体涉及一种用于半导体陶瓷孔密封的工装。

背景技术：

1、在半导体制造设备中使用的静电卡盘（esc）或加热器，主要通过热压烧结工艺或流延工艺，或结合这两种工艺进行制造。

2、其中，在流延工艺中，需在生瓷片5上印刷电极图案，并对这些生瓷片5进行层压。在此过程中，如图1所示，生瓷片上会根据不同产品设计不同的电极图案，同时还需额外设置用于与下部本体组装的电极孔、以及用于冷却的氦气孔等孔洞6，通过生瓷片5叠合制备完成陶瓷板，再将陶瓷板9与卡盘本体8进行粘接，之后组装电极负载7等部件，从而制成静电吸盘，即esc（electrostatic chuck），其制备过程如图2所示。

3、然而，在esc制造工艺中，在生瓷片5叠层之后的温等静压环境下的wip压合工序中，为防止电极孔以及氦气孔等孔洞6在制备过程中受损，通常采用人工的方式采用封堵材料对孔洞进行一一封堵，费时费力，且容易遗漏封堵，若孔洞6处于空洞状态，容易导致变形，影响产品质量。

技术实现思路

1、有鉴于此，本实用新型提供了一种用于半导体陶瓷孔密封的工装，以解决现有的wip压合工序中采用人工的方式采用封堵材料对孔洞进行一一封堵，费时费力，且容易遗漏封堵，若孔洞处于空洞状态，容易导致变形，影响产品质量的问题。

2、本实用新型提供了一种用于半导体陶瓷孔密封的工装，应用于静电吸盘的压合制备，包括密封垫主体，所述密封垫主体上设有成型槽，所述成型槽用于适配放置待压合件；所述成型槽内设有多个凸出部，所述凸出部适配穿设在所述待压合件的孔洞内。

3、在一种可选的实施方式中，所述成型槽与所述待压合件过盈配合。

4、在一种可选的实施方式中，所述凸出部与所述孔洞过盈配合。

5、在一种可选的实施方式中，所述密封垫主体与所述凸出部一体成型。

6、在一种可选的实施方式中，所述凸出部的邵氏a硬度为10至70。

7、在一种可选的实施方式中，所述凸出部和所述密封垫主体的材质为橡胶材质。

8、在一种可选的实施方式中，所述凸出部和所述密封垫主体的材质为导热硅橡胶。

9、在一种可选的实施方式中，所述凸出部和所述密封垫主体的材质为氟橡胶。

10、本实用新型的技术方案，具有至少如下优点：

11、本实用新型通过将待压合件放置在成型槽内，并通过凸出部一一对应适配穿设在待压合件的孔洞内进行封堵，以便于包覆待压合件以及其孔洞，避免在压合过程中水分侵入影响产品质量，避免孔洞处于空洞状态，从而避免其在压合过程中出现变形或在填充物的脱除过程中引发裂纹等问题，在完成装配后，通过wip压合工序将待压合件压合形成陶瓷板，再将陶瓷板与卡盘本体粘接并装载电极负载等部件后形成静电吸盘，提高产品质量，且成型槽中的凸出部与待压合件的孔洞一一适配，避免人工一一对待压合件的孔洞进行封堵，不容易出现遗漏封堵某个孔洞的情况，提高装配效率，且在完成压合后，通过密封垫主体可连带将所有的凸出部由待压合件的孔洞内拔出，方便进行分离，避免去除过程造成污染或破损，以便于再次进行下一个陶瓷板的制备，转用率高。

1.一种用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，应用于静电吸盘的压合制备，包括密封垫主体（2），所述密封垫主体（2）上设有成型槽（3），所述成型槽（3）用于适配放置待压合件（1）；所述成型槽（3）内设有多个凸出部（4），所述凸出部（4）适配穿设在所述待压合件（1）的孔洞（6）内。

2.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述成型槽（3）与所述待压合件（1）过盈配合。

3.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述凸出部（4）与所述孔洞（6）过盈配合。

4.根据权利要求1至3任一项所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述密封垫主体（2）与所述凸出部（4）一体成型。

5.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述凸出部（4）的邵氏a硬度为10至70。

6.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述凸出部（4）和所述密封垫主体（2）的材质为橡胶材质。

7.根据权利要求6所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述凸出部（4）和所述密封垫主体（2）的材质为导热硅橡胶。

8.根据权利要求6所述的用于半导体陶瓷孔密封的工装，其特征在于，所述凸出部（4）和所述密封垫主体（2）的材质为氟橡胶。