封装结构的制作方法

本申请涉及半导体封装领域，更具体地，涉及一种封装结构。

背景技术：

1、图1和图2示出了现有技术的封装结构(为方便说明，后称为第一封装结构90)的截面示意图。参见图1，在晶圆级模制(wafer molding)后，在载台100上形成了第一封装结构90，第一封装结构90包括：中介层210、以及通过中介层210连接的多个芯片220，多个芯片220位于中介层210上方；底部填充材料层230，填充多个芯片220之间以及多个芯片220与中介层210之间的空隙；模封层240，封装中介层210、多个芯片220以及底部填充材料层230。参见图2，去除了载台100(de-carrier)，形成的第一封装结构90可能发生翘曲(warpage)跟分层(delamination)现象，但是一般在制程上需要控制晶圆翘曲(wafer warpage)<2mm，因此，需要对第一封装结构90进行处理以减少翘曲。一般而言，翘曲行为又可以分为哭脸(convex)翘曲和笑脸(concave)翘曲，可以理解，哭脸为封装结构的两侧向下弯曲而中间向上凸起，而笑脸为封装结构的中间向下凹陷而两侧向上弯曲。针对上述的两种不同的翘曲，需要进行不同的处理方法。图3示出了现有技术对于哭脸翘曲的处理方法示意图。图4示出了现有技术对于笑脸翘曲的处理方法示意图。目前制程上，在去除图1中的载台100后，对第一封装结构90的翘曲类型做测试(de-warp test)。若测得为哭脸翘曲，则通过加热的方式来调整。具体地，参见图3，在第一封装结构90下方放置热板(heat plate),并且在第一封装结构90上方放置质量块110来减少翘曲，图3中示出了位于第一封装结构90下方的热板所产生的热量120。一般质量块110会静置压在第一封装结构90上方，持续一周以内的时间。若测得为笑脸翘曲，则如图4所示，在第一封装结构90的背面贴上平衡膜130(balance film)来减少翘曲。

技术实现思路

1、针对以上问题，本申请提出一种封装结构，至少增加封装结构的结合力，避免封装结构翘曲或分层。

2、本申请的技术方案是这样实现的：

3、根据本申请的一个方面，提供了一种封装结构，封装结构包括：中介层、以及通过中介层连接的多个芯片，多个芯片位于中介层上方；底部填充材料层，填充多个芯片之间以及多个芯片与中介层之间的空隙；模封层，封装中介层、多个芯片以及底部填充材料层；其中，中介层的上表面设置有孔，底部填充材料层和/或模封层形成有与孔配合的凸起，以增强底部填充材料层和模封层中设有凸起的层与中介层之间的结合力。

4、在一些实施例中，封装结构还包括设置在中介层中的再分布层，再分布层位于多个芯片下方。

5、在一些实施例中，封装结构还包括载体，载体设置在中介层下方。

6、在一些实施例中，封装结构还包括离型膜，设置在中介层下方，模封层还封装离型膜。

7、在一些实施例中，再分布层包括设置在中介层中的导电通孔和导线。

8、在一些实施例中，多个芯片包括第一芯片和第二芯片，孔将电连接至第一芯片的第一导线和电连接至第二芯片的第二导线横向间隔开。

9、在一些实施例中，孔有多个，并且孔分别横向地设置在再分布层的两侧。

10、在一些实施例中，孔设置在多个芯片之间并容纳底部填充材料层的凸起。

11、在一些实施例中，孔为不穿透中介层的盲孔。

12、在一些实施例中，孔有多个，并且孔分别横向地设置在多个芯片的两侧并容纳模封层的凸起。

13、在一些实施例中，孔为不穿透中介层的盲孔。

14、在一些实施例中，孔为穿透中介层的通孔。

15、在一些实施例中，孔的深度在3μm至30μm的范围内。

16、在一些实施例中，孔的宽度由上到下先逐渐变宽后逐渐变窄。

17、在一些实施例中，孔的宽度由上到下逐渐变窄。

18、在一些实施例中，孔为激光切割孔。

19、在一些实施例中，孔在中介层的上表面形成的开口为椭圆形开口。

20、在一些实施例中，孔在中介层的上表面形成的开口为圆形开口。

21、在一些实施例中，孔的下方设置有导线。

22、根据本申请的另一个方面，提供了一种封装结构，封装结构包括：中介层、以及通过中介层连接的多个芯片，多个芯片位于中介层上方；底部填充材料层，填充多个芯片之间以及多个芯片与中介层之间的空隙；模封层，封装中介层、多个芯片以及底部填充材料层；其中，中介层的上表面设置有孔，底部填充材料层和/或模封层嵌入孔中。

23、上述技术方案的有益效果至少包括：增加封装结构的结合力，避免封装结构翘曲或分层。

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括设置在所述中介层中的再分布层，所述再分布层位于所述多个芯片下方。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括载体，所述载体设置在所述中介层下方。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括离型膜，设置在所述中介层下方，所述模封层还封装所述离型膜。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述多个芯片包括第一芯片和第二芯片，所述孔将电连接至所述第一芯片的第一导线和电连接至所述第二芯片的第二导线横向间隔开。

6.根据权利要求2所述的封装结构，其中，所述孔有多个，并且所述孔分别横向地设置在所述再分布层的两侧。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述孔为不穿透所述中介层的盲孔。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述孔有多个，并且所述孔分别横向地设置在所述多个芯片的两侧并容纳所述模封层的所述凸起。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其中，所述孔为穿透所述中介层的通孔。

10.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述孔的宽度由上到下逐渐变窄。