半导体工艺设备的温度预警装置及半导体工艺系统的制作方法
本申请涉及半导体,特别是涉及一种半导体工艺设备的温度预警装置及半导体工艺系统。
背景技术:
1、半导体工艺设备中反应腔室的原理是先将液态的前驱气体在一定温度下变成气态,混合上载气进入腔体,在高温下将气态的前驱气体分解为制程需要的薄膜。
2、目前,半导体工艺设备的气体管路控温装置仅由一个控制器控制,而且温度侦测点仅有一个,只能输出报警信号,无法输出实际的管路温度数据给机台。如果侦测点有异常但未超过报警值或者温控装置死机(通讯异常卡住,仅保留最后一次采样数据),设备端不会报警,最终导致管路温度异常,造成产品报废,管路堵塞。由于机台不会报警,所以在检修排查起来非常困难,检修时间很长且不容易第一时间找到问题根源。
技术实现思路
1、基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种半导体工艺设备的温度预警装置及半导体工艺系统。
2、第一方面,本实用新型提供了一种半导体工艺设备的温度预警装置,所述半导体工艺设备包括气体管路以及与所述气体管路连接的反应腔室,所述温度预警装置包括:
3、温度控制模块,与所述气体管路连接,用于控制所述气体管路中前驱气体的温度,并实时检测所述气体管路的温度,获得第一温度信号;
4、温度采集模块,设置在所述气体管路的外壁,用于实时检测所述气体管路的温度,获得第二温度信号;
5、主控模块,与所述温度控制模块以及所述温度采集模块连接,用于接收所述第一温度信号和所述第二温度信号,并基于所述第一温度信号与所述第二温度信号,确定是否生成预警信号;
6、预警模块,与所述主控模块连接,用于接收所述预警信号,并发出警报。
7、在其中一个实施例中,所述主控模块还包括:解析单元,用于解析所述第一温度信号,得到第一温度值;以及解析所述第二温度信号,得到第二温度值。
8、在其中一个实施例中,所述主控模块具体用于:确定所述第一温度值与所述第二温度值的差值,在所述差值大于预设差值的情况下,生成预警信号,并将所述预警信号发送至所述预警模块。
9、在其中一个实施例中,所述主控模块具体用于:在所述第一温度值与所述第二温度值同时异常的情况下,生成预警信号,并将所述预警信号发送至所述预警模块。
10、在其中一个实施例中,所述主控模块还包括:存储单元,用于存储所述第一温度值与所述第二温度值。
11、在其中一个实施例中,所述温度控制模块包括控制单元以及加热单元,所述控制单元,与所述主控模块以及所述加热单元连接,用于接收所述主控模块发送的温度控制信号,并基于所述温度控制信号对所述加热单元进行加热,以控制所述气体管路中所述前驱气体的温度。
12、在其中一个实施例中,所述加热单元为包覆于所述气体管路外壁的圆弧形加热带。
13、在其中一个实施例中,所述主控模块还用于将所述第一温度值与所述第二温度值发送至所述预警模块;所述预警模块包括显示单元,所述显示单元用于实时显示所述第一温度值与所述第二温度值。
14、在其中一个实施例中,所述温度采集模块为红外温度传感器或热电偶传感器。
15、第二方面,本实用新型还提供了一种半导体工艺系统,包括半导体工艺设备以及如上述第一方面所述的温度预警装置,所述半导体工艺设备包括依次连接的气源、气体管路以及反应腔室,所述气源用于向所述气体管路提供前驱气体,所述气体管路用于将所述前驱气体输送至所述反应腔室;所述温度预警装置用于对所述气体管路中所述前驱气体的温度进行检测和预警。
16、本实用新型提供的半导体工艺设备的温度预警装置及半导体工艺系统,其中,半导体工艺设备的温度预警装置包括温度控制模块、温度采集模块、主控模块、预警模块。所述温度控制模块与所述气体管路连接,用于控制所述气体管路中前驱气体的温度,并实时检测所述气体管路的温度,获得第一温度信号;温度采集模块设置在所述气体管路的外壁,用于实时检测所述气体管路的温度,获得第二温度信号;主控模块与所述温度控制模块以及所述温度采集模块连接,用于接收所述第一温度信号和所述第二温度信号,并基于所述第一温度信号与所述第二温度信号,确定是否生成预警信号;预警模块与所述主控模块连接,用于接收所述预警信号,并发出警报,大幅降低因单点温度信号异常导致的虚假报警,降低人员的值班负荷,同时值班室收到预警信号时就可以第一时间处理,避免半导体工艺设备受到影响。
17、本申请的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出,以使本申请的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
1.一种半导体工艺设备的温度预警装置,所述半导体工艺设备包括气体管路以及与所述气体管路连接的反应腔室,其特征在于,所述温度预警装置包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述主控模块还包括:
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述主控模块具体用于:确定所述第一温度值与所述第二温度值的差值,在所述差值大于预设差值的情况下,生成预警信号,并将所述预警信号发送至所述预警模块。
4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述主控模块具体用于:在所述第一温度值与所述第二温度值同时异常的情况下,生成预警信号,并将所述预警信号发送至所述预警模块。
5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述主控模块还包括:
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度控制模块包括控制单元以及加热单元,
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述加热单元为包覆于所述气体管路外壁的圆弧形加热带。
8.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述主控模块还用于将所述第一温度值与所述第二温度值发送至所述预警模块;所述预警模块包括显示单元,所述显示单元用于实时显示所述第一温度值与所述第二温度值。
9.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述温度采集模块为红外温度传感器或热电偶传感器。
10.一种半导体工艺系统,其特征在于,包括半导体工艺设备以及如权利要求1至权利要求9任一项所述的温度预警装置,
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