半导体结构及其制造方法与流程

本申请的实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术：

1、由于各种组件（例如，有源组件和无源组件）的集成密度持续改进，半导体行业经历了快速增长。随着对更小电子器件的需求增加，更高的空间效率和更具创意的半导体结构技术受到青睐。实现这些目标的一种方式是改进具有不同功能的组件的设计，因为电子器件包含大量组件，这些组件共同执行器件的各种功能。整体电子器件性能可以从这些组件中获益，例如该组件更小、消耗更少功率并具有改进的电学性质。

技术实现思路

1、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种用于制造半导体结构的方法，方法包括：形成栅电极层；在栅电极层上方形成高k介电层；在高k介电层上方形成第一含氟氧化物层；对第一含氟氧化物层进行退火，以使氟从第一含氟氧化物层扩散到高k介电层中，以增加高k介电层中的氟的浓度，并形成富氟高k介电层。

2、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种用于制造半导体结构的方法，方法包括：在栅电极层上方形成介电层；在介电层上方形成含氟氧化物层；对含氟氧化物层进行退火以增加氟的浓度而形成含氟介电层；在含氟介电层上方形成沟道层；在沟道层和含氟介电层上方形成层间介电层；去除层间介电层的部分以形成暴露沟道层的第一开口和第二开口；以及在第一开口中形成源电极并在第二开口中形成漏电极。

3、根据本申请实施例的又一个方面，提供了一种半导体结构，包括：栅电极层；布置在栅电极层上方的含氟介电层，其中含氟介电层具有与栅电极层接触的第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及布置在含氟介电层的第二表面上方的沟道层，其中含氟介电层包括第一部分和布置在第一部分上方的第二部分，第一部分设置在栅电极层和第二部分之间，且第一部分中氟的浓度在高度增加的位置处逐渐增加，第二部分中氟的浓度在高度增加的位置处逐渐降低。

1.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述富氟高k介电层包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述富氟高k介电层的所述第二部分中的氟的浓度在从所述虚拟界面至所述富氟高k介电层的所述第二表面的位置处逐渐降低。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一含氟氧化物层的氟的浓度在1重量%至20重量%之间。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

6.一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述含氟氧化物层包含氟，并且在所述退火期间，来自所述含氟氧化物层的氟移动到所述介电层中并与所述介电层中的氢反应。

9.一种半导体结构，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构，还包括位于所述栅电极层和所述含氟介电层之间的第二含氟氧化物层。