半导体结构的制作方法

本技术涉及一种半导体结构。

背景技术：

1、半导体装置可包括装置层上方的互连层（例如后段工艺（back end of line，beol）区域或后端区域）中的一个或多个电容结构。电容结构可执行和/或支持半导体装置中的一个或多个功能，例如存储器（例如动态随机存取存储器（dynamic random accessmemory，dram））、电荷解耦、模拟数码（analog-to-digital，a/d）转换器和/或其他功能。在某些情况下，电容结构可包含在图像传感器装置的像素传感器电路中，以提供溢流光电流储存，从而实现像素传感器电路增加的满井容量。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种半导体结构，包括：底部电极结构，包括从所述底部电极结构的第一基层垂直延伸的第一多个柱；绝缘层，位于所述第一多个柱的侧壁上以及所述第一基层上；顶部电极结构，包括从所述顶部电极结构的第二基层垂直延伸的第二多个柱；以及互连结构，具有沟槽区域，其中，所述第一基层沿水平平面从所述沟槽区域的一端延伸至所述沟槽区域的相对端，并与所述第二多个柱重叠。

2、本实用新型实施例提供一种半导体结构，包括：底部电极结构，包括多个电极壁，所述多个电极壁从所述底部电极结构的第一基层垂直延伸，其中所述第一基层的第一段各自具有第一厚度，以及其中所述第一基层的第二段各自具有第二厚度，所述第二厚度大于所述第一厚度；绝缘层，位于所述多个电极壁的侧壁上以及所述第一基层上；以及顶部电极结构，包括多个电极插塞，所述多个电极插塞从所述顶部电极结构的第二基层垂直延伸。

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个柱垂直延伸至所述第一基层上方；以及

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一多个柱和所述第二多个柱在所述半导体结构中以水平交替方式排列。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括多个近似u形横截面段；以及

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述多个近似u形横截面段和所述第一多个柱在所述半导体结构中以水平交替方式排列。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二多个柱延伸至所述多个近似u形横截面段中。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第一基层的所述第一段上方的所述多个电极插塞的第一子集的第一底部，位在比位于所述第一基层的所述第二段上方的所述多个电极插塞的第二子集的第二底部更低的垂直位置。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层包括多个近似u形横截面段；以及