缺陷的确定方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品与流程

本公开涉及半导体，尤其涉及缺陷的确定方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品。

背景技术：

1、在半导体晶圆制造工艺中，接触孔（contact，ct）和焊盘（m0）之间的短路缺陷主要源于接触孔和焊盘之间的套刻偏差（overlay，vol shift）和接触孔的刻蚀（etch）误差。但在接触孔的刻蚀工艺制程中，受到焊盘的图形尺寸和厚度的制约，现有监测工具无法直接测量接触孔和焊盘之间连接状态，因此，在晶圆制备过程中，所形成的接触孔与焊盘的连接状态缺乏有效的检测手段。

技术实现思路

1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

2、本公开提供一种缺陷的确定方法、装置、电子设备、存储介质及程序产品。

3、根据本公开示例性的实施例的第一方面，提供了一种缺陷的确定方法，所述确定方法包括：

4、在预设工艺制程后，获取晶圆对应的电压衬度图；

5、根据所述电压衬度图确定所述晶圆的预设区域内接触孔和焊盘之间的电性参数；所述电性参数表征所述接触孔和所述焊盘之间的导电性；所述预设区域表征缺陷发生概率满足预设条件的区域；

6、根据所述电性参数与参考电性参数，确定所述晶圆的所述预设区域内的缺陷；所述参考电性参数包括所述晶圆对应的参考电压衬度图中所述预设区域内所述接触孔和所述焊盘之间的所述电性参数。

7、在一些示例性的实施例中，所述根据所述电性参数与参考电性参数，确定所述晶圆的所述预设区域内的缺陷，包括：

8、响应于所述电性参数的表征值大于所述参考电性参数的参考表征值，确定所述晶圆的所述预设区域内所述接触孔和所述焊盘之间产生短路缺陷。

9、在一些示例性的实施例中，所述预设工艺制程包括所述接触孔的刻蚀工艺制程和/或所述接触孔的光刻蚀工艺制程。

10、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括：

11、在所述电压衬度图中，以预设方式显示所述短路缺陷；所述预设方式表征所述电压衬度图中所述预设区域内的所述接触孔和所述焊盘之间的所述电性参数的所述表征值与所述参考电压衬度图对应所述参考电性参数的所述参考表征值的区别。

12、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括：

13、根据所述晶圆的图形数据库系统，确定所述预设区域；和/或

14、根据所述晶圆的历史缺陷分布状态，确定所述预设区域。

15、在一些示例性的实施例中，所述根据所述晶圆的图形数据库系统，确定所述预设区域，包括：

16、根据所述图形数据库系统，确定所述接触孔和所述焊盘之间的间距；

17、响应于所述间距小于间距阈值，确定包括所述接触孔和所述焊盘的区域为所述预设区域。

18、在一些示例性的实施例中，所述根据所述图形数据库系统，确定所述接触孔和所述焊盘之间的间距，包括：

19、根据所述图形数据库系统，确定所述接触孔的边缘与所述焊盘的边缘之间的最小间距；

20、将所述最小间距确定为所述接触孔和所述焊盘之间的所述间距。

21、在一些示例性的实施例中，所述根据所述晶圆的历史缺陷分布状态，确定所述预设区域，包括：

22、确定同一工艺制程下的前n批次的所述晶圆的所述历史缺陷的缺陷密度；其中n为大于等于2的整数；

23、将所述缺陷密度的表征值大于预设阈值的区域，确定为所述预设区域。

24、在一些示例性的实施例中，所述确定同一工艺制程下的前n批次的所述晶圆的所述历史缺陷的缺陷密度，包括：

25、确定所述同一工艺制程下的所述前n批次的所述晶圆内的给定区域的所述历史缺陷的所述缺陷密度。

26、在一些示例性的实施例中，所述给定区域包括下述区域中的一个或多个：

27、所述图形数据库系统中图形密度突变区、关键路径经过区域、历史良率热点区域。

28、在一些示例性的实施例中，当根据所述晶圆的所述图形数据库系统和所述晶圆的所述历史缺陷分布状态确定所述预设区域时，所述确定方法还包括：

29、将根据所述晶圆的所述图形数据库系统所确定的第一预设区域和根据所述晶圆的所述历史缺陷分布状态确定的第二预设区域，加权后确定为所述预设区域；或者

30、将所述第一预设区域和所述第二预设区域中重合的第一区域，以及将所述第一预设区域和所述第二预设区域中剩余部分加权后确定的第二区域共同作为所述预设区域。

31、根据本公开示例性的实施例的第二方面，提供了一种缺陷的确定装置，包括：

32、获取模块，被配置为用于在预设工艺制程后，获取晶圆对应的电压衬度图；

33、第一确定模块，被配置为根据所述电压衬度图确定所述晶圆的预设区域内接触孔和焊盘之间的电性参数；所述电性参数表征所述接触孔和所述焊盘之间的导电性；所述预设区域表征缺陷发生概率满足预设条件的区域；

34、第二确定模块，被配置为根据所述电性参数与参考电性参数，确定所述晶圆的所述预设区域内的缺陷；所述参考电性参数包括所述晶圆对应的参考电压衬度图中所述预设区域内所述接触孔和所述焊盘之间的所述电性参数。

35、在一些示例性的实施例中，所述第二确定模块还被配置为响应于所述电性参数的表征值大于所述参考电性参数的参考表征值，确定所述晶圆的所述预设区域内所述接触孔和所述焊盘之间产生短路缺陷。

36、在一些示例性的实施例中，所述预设工艺制程包括所述接触孔的刻蚀工艺制程和/或所述接触孔的光刻蚀工艺制程。

37、在一些示例性的实施例中，所述确定装置还包括显示模块，所述显示模块被配置为：

38、在所述电压衬度图中，以预设方式显示所述短路缺陷；所述预设方式表征所述电压衬度图中所述预设区域内的所述接触孔和所述焊盘之间的所述电性参数的所述表征值与所述参考电压衬度图对应所述参考电性参数的所述参考表征值的区别。

39、在一些示例性的实施例中，所述确定装置还包括第三确定模块，所述第三确定模块被配置为：

40、根据所述晶圆的图形数据库系统，确定所述预设区域；和/或

41、根据所述晶圆的历史缺陷分布状态，确定所述预设区域。

42、在一些示例性的实施例中，所述第三确定模块还被配置为根据所述图形数据库系统，确定所述接触孔和所述焊盘之间的间距；

43、响应于所述间距小于间距阈值，确定包括所述接触孔和所述焊盘的区域为所述预设区域。

44、在一些示例性的实施例中，所述第三确定模块还被配置为：

45、根据所述图形数据库系统，确定所述接触孔的边缘与所述焊盘的边缘之间的最小间距；

46、将所述最小间距确定为所述接触孔和所述焊盘之间的所述间距。

47、在一些示例性的实施例中，所述第三确定模块还被配置为：

48、确定同一工艺制程下的前n批次的所述晶圆的所述历史缺陷的缺陷密度；其中n为大于等于2的整数；

49、将所述缺陷密度的表征值大于预设阈值的区域，确定为所述预设区域。

50、在一些示例性的实施例中，所述第三确定模块还被配置为：

51、确定所述同一工艺制程下的所述前n批次的所述晶圆内的给定区域的所述历史缺陷的所述缺陷密度。

52、在一些示例性的实施例中，所述给定区域包括下述区域中的一个或多个：

53、所述图形数据库系统中图形密度突变区、关键路径经过区域、历史良率热点区域。

54、在一些示例性的实施例中，当根据所述晶圆的所述图形数据库系统和所述晶圆的所述历史缺陷分布状态确定所述预设区域时，所述第三确定模块还被配置为：

55、将根据所述晶圆的所述图形数据库系统所确定的第一预设区域和根据所述晶圆的所述历史缺陷分布状态确定的第二预设区域，加权后确定为所述预设区域；或者

56、将所述第一预设区域和所述第二预设区域中重合的第一区域，以及将所述第一预设区域和所述第二预设区域中剩余部分加权后确定的第二区域共同作为所述预设区域。

57、根据本公开示例性的实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括：

58、处理器；

59、用于存储处理器可执行指令的存储器；

60、其中，所述处理器被配置为执行上述实施例中的缺陷的确定方法。

61、根据本公开示例性的实施例的第四方面，提供了一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由电子设备的处理器执行时，使得电子设备能够执行上述实施例中的缺陷的确定方法。

62、根据本公开示例性的实施例的第五方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述实施例中的缺陷的确定方法。

63、本公开实施例所提供的缺陷的确定方法，在预设工艺制程后，获取晶圆对应的电压衬度图。将根据晶圆对应的电压衬度图所确定的晶圆的预设区域内接触孔和焊盘之间的电性参数与参考电压衬度图中对应的参考电性参数进行对比，确定该预设工艺制程后，晶圆的预设区域内可能存在的缺陷，在提高缺陷确定的准确性的同时，大幅减少晶圆扫描带来的数据采集与处理量，有效提高检测效率并降低设备使用成本。

64、在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。