衬底处理装置的制作方法

本发明涉及一种对衬底进行蚀刻的技术。

背景技术：

1、以往，在半导体衬底(以下，简称为“衬底”)的制程中，会对衬底实施各种处理。例如，在衬底的制程中，会进行湿式蚀刻，即，对衬底供给蚀刻液，以将衬底上的膜去除。已知，该湿式蚀刻中，设置在衬底上的沟槽及孔穴等微细凹部内的膜的蚀刻速率低下。

2、因此，在日本专利特开2020-155614号公报(文献1)中，提出了如下技术：将具有导电性的蚀刻液供给到衬底上，并向附着于衬底的蚀刻液与衬底之间施加固定大小的直流电流，由此，使处理液的导电成分迅速进入微细结构物的间隙内。另外，在国际公开第2021/192502号(文献2)中，提出了如下技术：对之间隔着与蚀刻液呈相接状态的衬底而配置的一对电极施加0.1 khz或1 khz频率的交流电压，由此，使蚀刻速率增大。

3、但是，在文献1的衬底处理装置中，会使用于蚀刻的电极与形成在衬底的整个上表面的液膜的中央部接触，因此，在衬底上所处的位置不同，则与电极相距的距离也不同，从而有可能产生蚀刻速率的差异。另外，在文献2的衬底处理装置中，会将处理液贮存于载置在衬底的上表面上的框体内，并使电极与该处理液的中央部接触，因此，与文献1同样地，有可能因为在衬底上所处的位置不同而产生蚀刻速率的差异。

技术实现思路

1、本发明是面向对衬底进行蚀刻的衬底处理装置，目的在于提高蚀刻的均一性。

2、本发明的形态1是一种衬底处理装置，对衬底进行蚀刻，具备：衬底保持部，将上表面具有被处理膜的衬底以水平状态保持；衬底旋转机构，使所述衬底保持部以朝向上下方向的中心轴为中心而旋转；处理液供给部，将用于蚀刻的处理液供给到所述衬底的所述上表面，并使之与所述被处理膜接触；隔断板，跨及所述衬底的整个所述上表面，在上下方向上与所述衬底的所述上表面对向；隔断板移动机构，使所述隔断板相对于所述衬底相对性地沿上下方向移动；第1电极，电连接于所述衬底；第2电极及第3电极，电连接于所述处理液；以及电源部，能够向所述第1电极与所述第2电极之间、及所述第1电极与所述第3电极之间分别施加电压。所述处理液供给部具备：隔断板喷嘴，固定于所述隔断板，从所述隔断板的下表面所述衬底的所述上表面喷出所述处理液；可动喷嘴，从所述衬底的上方朝所述衬底的所述上表面喷出所述处理液；以及喷嘴移动机构，使所述可动喷嘴在所述衬底的上方水平移动。在所述隔断板的所述下表面与所述衬底的所述上表面之间的间隙内充满所述处理液而形成有液膜的状态下，设置在所述隔断板的所述下表面的所述第2电极通过与所述液膜直接接触，而与所述处理液电连接。所述第3电极电连接于从所述可动喷嘴喷出的所述处理液。

3、根据本发明，能够提高蚀刻的均一性。

4、本发明的形态2是形态1的衬底处理装置，其还具备：控制部，控制所述衬底旋转机构、所述处理液供给部、所述隔断板移动机构及所述电源部。通过所述控制部的控制，在所述隔断板的所述下表面与所述衬底的所述上表面之间的间隙内形成有从所述隔断板喷嘴供给的所述处理液的液膜的状态下，向所述第1电极与所述第2电极之间施加电压，由此，对所述衬底的整个所述上表面进行整体蚀刻。通过所述控制部的控制，在所述隔断板退避到所述衬底的上方，且所述可动喷嘴在旋转中的所述衬底的上方，配置在径向的期望位置的状态下，从所述可动喷嘴喷出所述处理液，同时，向所述第1电极与所述第3电极之间施加电压，由此，对所述衬底的所述上表面上的一部分区域进行局部蚀刻。

5、本发明的形态3是形态2的衬底处理装置，其中通过所述控制部的控制，在对所述衬底进行所述整体蚀刻之后，进行所述局部蚀刻。

6、本发明的形态4是形态2(也可以是形态2或3)的衬底处理装置，其中所述局部蚀刻是对所述衬底的径向的中央部进行。

7、本发明的形态5是形态2(也可以是形态2至4中任一形态)的衬底处理装置，其中所述局部蚀刻是对所述衬底的周缘部进行。

8、本发明的形态6是形态2(也可以是形态2至5中任一形态)的衬底处理装置，其中所述第3电极是与所述可动喷嘴的下端部机械连接，并在上下方向上与所述衬底的所述上表面对向，且比所述衬底的所述上表面小的平板状的部件。所述局部蚀刻是在所述第3电极的下表面与所述衬底的所述上表面之间的间隙内充满所述处理液而形成有液膜的状态下进行。

9、本发明的形态7是形态2(也可以是形态2至6中任一形态)的衬底处理装置，其还具备：加热部，设置在所述衬底保持部，从下方加热所述衬底。所述加热部能够根据与所述衬底的中心之间的距离，变更对所述衬底的下表面赋予的每单位面积的热量。

10、本发明的形态8是形态2至7中任一形态的衬底处理装置，其中在所述整体蚀刻及所述局部蚀刻中的至少一者中，向所述第1电极与所述第2电极或所述第3电极之间施加的电压以规定的切换周期在互不相同的第1电压与第2电压之间反复切换，由此，形成所述衬底上的图案的凹部的侧壁表面的电位在第1电位与小于所述第1电位的第2电位之间反复切换。所述第1电位为0 v以上。所述第2电位为0 v以下。

11、本发明的形态9是形态8的衬底处理装置，其中所述切换周期为0.05秒以上。

12、本发明的所述目的及其它目的、特征、形态以及优点通过下文中参照所附图式对本发明进行的详细说明而阐明。

1.一种衬底处理装置，对衬底进行蚀刻，具备：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其还具备：

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

5.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

7.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其还具备：

8.根据权利要求2至7中任一项所述的衬底处理装置，其中

9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其中