包括蚀刻停止层的半导体装置的制作方法

本公开的一些实施例涉及一种半导体装置。

背景技术：

1、正在开发提高半导体装置的集成密度的技术。对于二维半导体存储器装置，集成密度可以主要由单位存储器单元所占据的面积确定，并且集成密度的这一方面会受到精细图案形成技术的水平的影响。

2、然而，由于精细图案形成技术可能需要昂贵的设备，因此二维半导体装置的集成度正在提高，但仍然受到限制。因此，已经提出了具有三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施例，可以提供具有改善的可靠性的半导体装置。

2、根据本公开的一些实施例，可以提供具有改善的电性能的半导体装置。

3、根据本公开的一些实施例，一种半导体装置可以包括：抛光停止层；蚀刻停止层，其位于抛光停止层的上表面上；半导体图案，其位于蚀刻停止层的上表面上，半导体图案在第一方向上延伸；字线，其位于半导体图案的上表面或下表面的至少一部分上，字线在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，其在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸，并且连接到半导体图案的第一端；以及数据存储元件，其连接到半导体图案的与第一端相对的第二端，其中，抛光停止层的绝缘材料与蚀刻停止层的绝缘材料不同。

4、根据本公开的一些实施例，一种半导体装置可以包括：单元结构；以及外围电路结构，其位于单元结构的上表面上，其中，单元结构包括：抛光停止层，其包括绝缘材料；蚀刻停止层，其位于抛光停止层的上表面上，蚀刻停止层包括与抛光停止层的绝缘材料不同的绝缘材料；半导体图案，其位于蚀刻停止层的上表面上并且在第一方向上延伸；字线，其位于半导体图案的上表面或下表面的至少一部分上，字线在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，其在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸，并且连接到半导体图案的第一端；数据存储元件，其连接到半导体图案的与第一端相对的第二端；以及单元布线结构，其位于位线上并且连接到字线，并且其中，外围电路结构包括：外围衬底；外围电路布线层，其位于外围衬底上并且连接到单元布线结构；以及外围电路，其位于外围电路布线层与外围衬底之间并且连接到外围电路布线层。

5、根据本公开的一些实施例，一种半导体装置可以包括：第一单元结构；第二单元结构，其位于第一单元结构的上表面上；以及外围电路结构，其位于第二单元结构的上表面上，其中，第一单元结构和第二单元结构中的每一个包括：蚀刻停止层，其包括绝缘材料；半导体图案，其位于蚀刻停止层的上表面上并且在第一方向上延伸；字线，其位于半导体图案的上表面或下表面的至少一部分上，字线在与第一方向相交的第二方向上延伸；位线，其在与第一方向和第二方向相交的第三方向上延伸，并且连接到半导体图案的第一端；以及数据存储元件，其连接到半导体图案的与第一端相对的第二端，其中，第一单元结构还包括位于第一单元结构的蚀刻停止层下方的抛光停止层，抛光停止层包括与第一单元结构的蚀刻停止层的绝缘材料不同的绝缘材料，其中，第二单元结构还包括单元布线结构，单元布线结构位于第二单元结构的位线上并且连接到第一单元结构的字线和第二单元结构的字线，并且其中，外围电路结构包括：外围衬底；外围电路布线层，其位于外围衬底上并且连接到第二单元结构的单元布线结构；以及外围电路，其位于外围电路布线层与外围衬底之间，并且连接到外围电路布线层。

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储元件包括：

7.一种半导体装置，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

9.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

10.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

11.根据权利要求7所述的半导体装置，

12.根据权利要求7所述的半导体装置，还包括：

13.根据权利要求7所述的半导体装置，

14.一种半导体装置，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体装置，

16.根据权利要求14所述的半导体装置，

17.根据权利要求14所述的半导体装置，

18.根据权利要求14所述的半导体装置，

19.根据权利要求14所述的半导体装置，

20.根据权利要求14所述的半导体装置，还包括：