包括屏蔽结构的磁存储器件的制作方法

本公开的一些实施例涉及磁存储器件。

背景技术：

1、磁存储器件可以是一种非易失性存储器件，它使用包括两种磁性材料和介于其间的绝缘层的磁隧道结图案来读取和写入数据。磁隧道结图案的电阻值可以根据两种磁性材料的磁化方向而变化，并且可以利用这种电阻值的差异来对数据进行编程或擦除。使用自旋转移力矩（stt）现象的磁存储器件采用如下的方法：当具有一个方向的自旋极化的电流通过时，由于电子的自旋转移，磁性材料的磁化方向发生改变。

技术实现思路

1、根据本公开的一些实施例，可以提供一种对外部磁场具有改进的屏蔽特性的磁存储器件。

2、根据本公开的一些实施例，一种磁存储器件可以包括：基板；磁存储元件，在基板上彼此间隔开，磁存储元件包括磁隧道结图案；以及屏蔽结构，在水平方向上围绕磁存储元件。屏蔽结构可以包括：板部分，在磁存储元件之间；以及突起部，从板部分突出并在水平方向上围绕磁存储元件。

3、根据本公开的一些实施例，一种磁存储器件可以包括：基板；选择元件，在基板上；下层间绝缘层，在选择元件上；磁存储元件，在下层间绝缘层上彼此间隔开，连接到选择元件，并且包括磁隧道结图案；以及屏蔽结构，在水平方向上围绕磁存储元件。屏蔽结构可以包括：板部分，在水平方向上延伸，该水平方向平行于下层间绝缘层的上表面；以及突起部，在与水平方向相交的竖直方向上从板部分延伸，突起部在水平方向上围绕磁存储元件的侧表面。

4、根据本公开的一些实施例，一种磁存储器件可以包括：基板；选择元件，在基板上；下层间绝缘层，在选择元件上；磁存储元件，在下层间绝缘层上彼此间隔开，连接到选择元件，并包括磁隧道结图案；第一绝缘层，在下层间绝缘层的上表面上并在磁存储元件上；以及屏蔽结构，在第一绝缘层上沿水平方向和与水平方向相交的竖直方向延伸，并在水平方向上围绕磁存储元件的侧表面。磁存储元件的上表面可以从屏蔽结构暴露。

1.一种磁存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述板部分具有第一厚度，

3.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述板部分在所述水平方向上延伸，并且所述突起部在与所述水平方向相交的竖直方向上从所述板部分延伸。

4.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述磁存储元件的上表面从所述突起部暴露。

5.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述板部分包括磁性材料，并且所述突起部包括与所述板部分的磁性材料相同的磁性材料。

6.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述磁存储元件还包括：

7.根据权利要求6所述的磁存储器件，其中，所述突起部包括：

8.根据权利要求7所述的磁存储器件，其中，所述突起部的所述上表面的高度与所述上电极的下表面的高度相同。

9.根据权利要求6所述的磁存储器件，其中，所述屏蔽结构包括剩磁比所述上磁性层的剩磁低的材料。

10.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述屏蔽结构包括钴。

11.根据权利要求1所述的磁存储器件，其中，所述磁存储器件还包括在所述屏蔽结构和所述磁存储元件之间的第一绝缘层。

12.根据权利要求11所述的磁存储器件，其中，所述磁存储器件还包括在所述屏蔽结构和所述第一绝缘层之间的扩散阻挡层。

13.根据权利要求12所述的磁存储器件，其中，所述扩散阻挡层的上端的高度与所述屏蔽结构的所述突起部的上表面的高度相同。

14.根据权利要求12所述的磁存储器件，其中，所述扩散阻挡层的上端的高度高于所述屏蔽结构的所述突起部的上表面的高度。

15.一种磁存储器件，包括：

16.根据权利要求15所述的磁存储器件，其中，所述磁存储元件还包括：

17.根据权利要求16所述的磁存储器件，其中，所述下磁性层包括：

18.根据权利要求16所述的磁存储器件，其中，所述屏蔽结构的材料的剩磁低于所述上磁性层的剩磁。

19.根据权利要求15所述的磁存储器件，其中，所述屏蔽结构的所述突起部在所述水平方向上与所述磁隧道结图案重叠以完全围绕所述磁隧道结图案的侧表面。

20.一种磁存储器件，包括：