TBC电池的制备方法与流程

本公开涉及太阳能电池的制备技术，具体地，涉及一种tbc电池的制备方法。

背景技术：

1、tbc电池是结合隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)技术与背接触(back contact，bc)结构的高效太阳能电池，全称topcon backcontact或polo-ibc电池。

2、tbc电池的核心在于将topcon技术的钝化接触特性与背接触设计相结合。topcon技术中，通过隧穿氧化层(例如，sio2)和掺杂多晶硅层(poly-si)实现优异的表面钝化效果，减少载流子复合，提升开路电压。背接触设计中，所有金属电极以叉指状排列在电池背面，消除正面栅线遮挡，增加光吸收面积，从而提高转换效率。

技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种tbc电池的制备方法，能够减少tbc电池中的复合与漏电。

2、为了实现上述目的，本公开提供一种tbc电池的制备方法，所述方法包括：

3、在硅基体背面制备p型多晶硅；

4、去除p区和n区之间的间隔区的所述p型多晶硅，并去除所述n区的所述p型多晶硅，在所述间隔区和所述n区露出所述硅基体；

5、在所述硅基体背面制备n型多晶硅；

6、利用第一激光去除所述p区和所述间隔区的psg，其中，在所述p区和所述间隔区之间的侧壁上，所述第一激光的照射方向与所述侧壁延伸的方向成第一角度，所述第一角度的取值范围为(0°，90°]；

7、去除所述p区和所述间隔区的所述n型多晶硅；

8、在所述p区制备p区电极，并在所述n区制备n区电极。

9、可选地，在所述p区和所述间隔区，所述第一激光的照射方向与所述侧壁延伸的方向一致。

10、可选地，所述第一角度的取值范围为[5°，30°]。

11、可选地，所述在硅基体背面制备p型多晶硅，包括：

12、先在所述硅基体背面沉积第一遂穿氧化层；

13、在所述第一遂穿氧化层上沉积所述p型多晶硅。

14、可选地，所述去除p区和n区之间的间隔区的所述p型多晶硅，并去除所述n区的所述p型多晶硅，包括：

15、利用第二激光去除所述p区和所述n区之间的所述间隔区的bsg，并去除所述n区的所述bsg；

16、通过湿法槽式机进行碱洗，去除所述间隔区和所述n区的所述p型多晶硅。

17、可选地，在所述硅基体背面制备n型多晶硅之前，还包括：

18、在所述硅基体背面沉积第二遂穿氧化层。

19、可选地，所述第二遂穿氧化层的沉积时间为500-1200s，温度为590-630℃，厚度为1.95±0.3nm。

20、可选地，所述去除所述p区和所述间隔区的所述n型多晶硅，包括：

21、通过湿法槽式机进行碱洗，去除所述p区和所述间隔区的所述n型多晶硅。

22、可选地，所述第一激光功率为40-50w，重叠率为50-60％，频率为500-600khz，脉冲宽度0.8-1.2μs。

23、可选地，所述psg的厚度为50±5nm，方阻为25±5。

24、通过上述技术方案，制备tbc电池过程中，在利用激光去除tbc电池背面p区和间隔(gap)区的psg时，对于p区和gap区之间的侧壁上的psg，采用照射方向与侧壁延伸的方向成第一角度的激光来照射。也就是，当激光移动到p区和间隔区之间的侧壁对应的位置时，将激光的照射方向朝向侧壁偏转一定的角度。这样，与相关技术中激光始终以垂直于tbc电池底面的方向进行照射相比，由于激光朝向侧壁偏转了一定的角度照射，使得侧壁中的psg清除得更彻底，从而使p区侧壁上受psg保护的n-poly更容易被去除干净，减小了tbc电池复合与漏电的风险。

25、本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

1.一种tbc电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述p区和所述间隔区，所述第一激光的照射方向与所述侧壁延伸的方向一致。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一角度的取值范围为[5°，30°]。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅基体背面制备p型多晶硅，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除p区和n区之间的间隔区的所述p型多晶硅，并去除所述n区的所述p型多晶硅，包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅基体背面制备n型多晶硅之前，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二遂穿氧化层的沉积时间为500-1200s，温度为590-630℃，厚度为1.95±0.3nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述p区和所述间隔区的所述n型多晶硅，包括：

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一激光功率为40-50w，重叠率为50-60％，频率为500-600khz，脉冲宽度0.8-1.2μs。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述psg的厚度为50±5nm，方阻为25±5。