半导体结构及其制备方法与流程

本申请涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

背景技术：

1、在现有的半导体结构中，形成字线结构之后，需要形成导电插塞以实现字线结构的电学引出。

2、然而，受现有工艺的制约，采用现有工艺在形成导电插塞的导电通孔时，会存在刻蚀不足的情况，使得形成的导电插塞与要电学引出的字线结构存在接触不良的问题，从而影响半导体结构的电学性能。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对现有技术中的导电插塞与要电学引出的字线结构存在接触不良，从而影响半导体结构的电学性能问题提供一种半导体结构及其制备方法。

2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种半导体结构，包括：

3、衬底；

4、字线结构，位于衬底上，包括间隔排布的第一字线和第二字线；

5、连接垫，位于字线结构的底部，横跨第一字线与第二字线，与第一字线和第二字线的底面相接触。

6、本申请的半导体结构中，通过设置横跨第一字线和第二字线，并与第一字线和第二字线的底面相接触的连接垫，可以通过连接垫将需要一起电学引出的相邻的第一字线和第二字线的底部相连接，在形成导电插塞时，只要导电插塞与连接垫、第一字线和第二字线三者中的至少一者相连接，就可以实现将需要一起电学引出的相邻的第一字线和第二字线的电学引出，可以有效改善导电插塞与需要电学引出的字线结构接触不良的问题，从而确保半导体结构的电学性能。

7、在其中一个实施例中，半导体结构还包括多个交替间隔排布的有源柱和隔离柱；第一字线和第二字线位于有源柱和隔离柱的相对两侧。

8、在其中一个实施例中，半导体结构还包括位线结构，位线结构位于有源柱与衬底之间。

9、在其中一个实施例中，半导体结构还包括导电插塞，导电插塞位于第一字线和第二字线之间。

10、在其中一个实施例中，导电插塞与相邻第一字线或第二字线直接接触。

11、在其中一个实施例中，导电插塞的底面高于第一字线的底面。

12、在其中一个实施例中，导电插塞的底面与连接垫的顶面直接接触。

13、在其中一个实施例中，字线结构还包括栅介质层，栅介质层位于第一字线和有源柱之间，以及第二字线和有源柱之间，隔离有源柱与第一字线和第二字线。

14、第二方面，本申请还提供了一种半导体结构的制备方法，半导体结构的制备方法包括：

15、提供衬底；

16、于衬底上形成连接垫；

17、于衬底上形成字线结构，字线结构包括间隔排布的第一字线和第二字线；连接垫位于字线结构的底部，横跨第一字线与第二字线，与第一字线和第二字线的底面相接触。

18、本申请的半导体结构的制备方法中，通过形成横跨第一字线和第二字线，并与第一字线和第二字线的底面相接触的连接垫，可以通过连接垫将需要一起电学引出的相邻的第一字线和第二字线的底部相连接，在形成导电插塞时，只要导电插塞与连接垫、第一字线和第二字线三者中的至少一者相连接，就可以实现将需要一起电学引出的相邻的第一字线和第二字线的电学引出，可以有效改善导电插塞与需要电学引出的字线结构接触不良的问题，从而确保半导体结构的电学性能。

19、在其中一个实施例中，于衬底上形成连接垫之前，还包括：

20、于衬底上形成多个交替间隔排布的有源柱和隔离柱；第一字线和第二字线位于有源柱和隔离柱的相对两侧。

21、在其中一个实施例中，于衬底上形成多个交替间隔排布的有源柱和隔离柱之前，还包括：于衬底上形成位线结构；形成有源柱和隔离柱之后，位线结构位于有源柱与衬底之间。

22、在其中一个实施例中，于衬底上形成字线结构之后，还包括：于衬底上形成导电插塞，导电插塞位于第一字线和第二字线之间。

23、在其中一个实施例中，于衬底上形成的字线结构还包括栅介质层，栅介质层位于第一字线和有源柱之间，以及有源柱和第二字线之间，隔离有源柱与第一字线和第二字线。

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括多个交替间隔排布的有源柱和隔离柱；所述第一字线和所述第二字线位于所述有源柱和所述隔离柱的相对两侧。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括位线结构，所述位线结构位于所述有源柱与所述衬底之间。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括导电插塞，所述导电插塞位于所述第一字线和所述第二字线之间。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞与相邻所述第一字线或所述第二字线直接接触。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞的底面高于所述第一字线的底面。

7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述导电插塞的底面与所述连接垫的顶面直接接触。

8.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述字线结构还包括栅介质层，所述栅介质层位于所述第一字线和所述有源柱之间，以及所述第二字线和所述有源柱之间，隔离所述有源柱与所述第一字线和所述第二字线。

9.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成连接垫之前，还包括：

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成多个交替间隔排布的有源柱和隔离柱之前，还包括：于所述衬底上形成位线结构；形成所述有源柱和隔离柱之后，所述位线结构位于所述有源柱与所述衬底之间。

12.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成字线结构之后，还包括：于所述衬底上形成导电插塞，所述导电插塞位于所述第一字线和所述第二字线之间。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述衬底上形成的所述字线结构还包括栅介质层，所述栅介质层位于所述第一字线和所述有源柱之间，以及所述第二字线和所述有源柱之间，隔离所述有源柱与所述第一字线和所述第二字线。