半导体结构的制作方法

本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构。

背景技术：

1、常见的半导体封装技术中，比如芯片封装技术，通常包含下述工艺过程：首先将引线框的引脚及场效应管贴装在基板的金属层(一般是铜层)上；随后将芯片贴装在引线框的基岛上；随后采用引线将芯片的焊垫与mos管的栅极电连接；随后形成塑封层，塑封层包封基板、芯片、引线框及引线。

2、在搬运采用上述的封装技术得到的半导体结构的过程中，引线的线颈部(引线的横截面最小的位置)容易发生断裂，影响产品的良率。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括：

2、基板，包括基板本体及位于所述基板本体一侧的导电部和辅助连接部；所述导电部及所述辅助连接部位于所述基板本体的同一侧且间隔排布；所述导电部包括第一区域与第二区域；

3、电气连接件，为一体式结构，包括多个引脚及承载部；所述多个引脚包括第一引脚，所述第一引脚贴装在所述导电部的第一区域；

4、第一半导体元件，贴装在所述导电部的第二区域；所述第一区域与所述辅助连接部位于所述第二区域的不同侧部；

5、第二半导体元件，贴装在所述承载部；

6、第一引线，一端与所述第一半导体元件相连，另一端与所述第二半导体元件相连；

7、第二引线，一端与所述承载部相连，另一端与所述辅助连接部相连；所述第二引线的截面面积大于所述第一引线的截面面积；

8、塑封层，包封所述基板、所述电气连接件、所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述第一引线及所述第二引线，且各所述引脚至少部分露出所述塑封层。

9、在一个实施例中，所述第一区域与所述辅助连接部位于所述第二区域的相对两侧。

10、在一个实施例中，所述导电层包括至少两个所述辅助连接部，所述半导体结构包括至少两个所述第二引线，各所述辅助连接部通过所述第二引线与所述承载部相连。

11、在一个实施例中，所述第一引线在所述基板本体朝向所述导电层的表面所在平面上的正投影与所述第二引线在所述平面上的正投影无交叠。

12、在一个实施例中，所述第一引线在所述平面上的正投影与所述第二引线在所述平面上的正投影之间的距离大于或等于100μm。

13、在一个实施例中，所述第二引线的截面面积的范围为56.52μm2～157μm2。

14、在一个实施例中，所述承载部位于所述辅助连接部远离所述第二区域的一侧。

15、在一个实施例中，所述第一半导体元件包括控制极、第一极和第二极，所述控制极及所述第一极位于所述第一半导体元件远离所述基板的表面；所述第一引线与所述控制极相连；所述半导体结构还包括第三引线，所述第三引线将所述第一极及一个所述引脚电连接；所述第三引线的材料与所述第二引线的材料相同。

16、在一个实施例中，所述第二引线与所述基板本体之间的最大距离小于所述第一引线与所述基板本体之间的最大距离。

17、在一个实施例中，所述第二引线的材料为铝，所述第一引线的材料为铜。

18、在一个实施例中，所述半导体结构还包括快恢复二极管和第三引线；所述快恢复二极管贴装在所述导电部，所述快恢复二极管的阳极设于所述快恢复二极管远离所述基板的表面，阴极设于所述快恢复二极管朝向所述基板的表面且与所述辅助连接部电连接；所述第一半导体元件包括控制极、第一极和第二极，所述控制极及所述第一极设于所述第一半导体元件远离所述基板的表面，所述第二极设于所述第一半导体元件朝向所述基板的表面且与所述辅助连接部电连接；所述第一引线与所述控制极相连；各所述快恢复二极管的阳极通过所述第三引线与一个所述第一半导体元件的第一极电连接；和/或，

19、所述基板还包括位于所述基板本体远离所述导电层一侧的金属散热层；所述金属散热层远离所述基板本体的表面露出所述塑封层。

20、本申请实施例所达到的主要技术效果是：

21、本申请实施例提供的半导体结构，由于第一引脚与导电部的第一区域相连，第二引线分别与辅助连接部及承载部相连，且导电部用于贴装第一引脚的第一区域与辅助连接部位于导电部用于贴装第一半导体元件的第二区域不同侧部，也即是基板位于导电部的第二区域不同侧的两个区域分别与一体式结构的电气连接件相连；由于第二引线的截面面积大于第一引线的截面面积，第二引线不易于发生断裂，可使得基板的两端固定于电气连接件，从而可有效防止在移动半导体结构的过程中基板相对于电气连接件发生晃动，进而避免基板相对于电气连接件晃动导致第一引线的线颈部发生断裂的问题，可提升半导体结构的良率。

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区域与所述辅助连接部位于所述第二区域的相对两侧。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电层包括至少两个所述辅助连接部，所述半导体结构包括至少两个所述第二引线，各所述辅助连接部通过所述第二引线与所述承载部相连。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线在所述基板本体朝向所述导电层的表面所在平面上的正投影与所述第二引线在所述平面上的正投影无交叠。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一引线在所述平面上的正投影与所述第二引线在所述平面上的正投影之间的距离大于或等于100μm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二引线的截面面积的范围为56.52μm2～157μm2。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一半导体元件包括控制极、第一极和第二极，所述控制极及所述第一极位于所述第一半导体元件远离所述基板的表面；所述第一引线与所述控制极相连；所述半导体结构还包括第三引线，所述第三引线将所述第一极及一个所述引脚电连接；所述第三引线的材料与所述第二引线的材料相同；和/或，

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在基板本体的厚度方向上，所述第二引线与所述基板本体之间的最大距离小于所述第一引线与所述基板本体之间的最大距离。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二引线的材料为铝，所述第一引线的材料为铜。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括快恢复二极管和第三引线；所述快恢复二极管贴装在所述导电部，所述快恢复二极管的阳极设于所述快恢复二极管远离所述基板的表面，阴极设于所述快恢复二极管朝向所述基板的表面且与所述辅助连接部电连接；所述第一半导体元件包括控制极、第一极和第二极，所述控制极及所述第一极设于所述第一半导体元件远离所述基板的表面，所述第二极设于所述第一半导体元件朝向所述基板的表面且与所述辅助连接部电连接；所述第一引线与所述控制极相连；各所述快恢复二极管的阳极通过所述第三引线与一个所述第一半导体元件的第一极电连接；和/或，