显示面板、显示面板的制备方法及电子设备与流程

本技术涉及显示，具体而言，涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备。

背景技术：

1、有机电致发光器件(organic light emitting diode，简称oled)被认为是继液晶显示技术之后的下一代显示技术，它因具备卓越的颜色和画质而被广泛的应用于智能手机、电视、笔记本电脑、台式电脑、车载显示器、可穿戴设备等各种消费性电子产品中，已成为显示面板中的技术主流。传统显示面板制备过程中，通常通过精细金属掩模板(finemetal mask，简称fmm)实现发光像素图形化。fmm技术成熟、量产经验丰富。但是，fmm技术同时又具有精度有限、开发成本高、开发周期长等问题。无精细金属掩模技术消除了传统oled工艺对显示屏尺寸、分辨率及其他屏体性能的限制，具有高性能、全域尺寸、敏捷交付的优势。专利cn118251982a、cn116648095a、cn117062489a、cn 118742138a、cn118678783a、cn118660598a、cn118675450a、cn118824188a、cn118781966a记载了无精细金属掩模技术的相关内容，以供参考。

2、然而目前的oled显示产品的工艺性能还需进一步提升。

技术实现思路

1、为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本技术提供一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备。

2、本技术的第一方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括边框区和位于所述边框区远离所述显示区一侧的邦定区，所述显示面板还包括：

3、阵列基板，包括衬底以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的第一走线层、第一平坦化层、第二走线层和第二平坦化层，其中，所述第一走线层包括位于所述邦定区的多个第一走线结构，所述第一平坦化层包括位于所述邦定区的多个膜层通孔，所述第二走线层包括多个第二走线结构，所述第二走线结构位于所述显示区、所述边框区和所述邦定区，并通过对应的所述膜层通孔与对应的所述第一走线结构电连接，所述第二平坦化层至少位于所述邦定区；

4、保护层，至少包括位于所述邦定区的多个第一保护结构，所述多个第一保护结构位于所述第二平坦化层远离所述第二走线层的一侧，所述多个第一保护结构在所述衬底上的正投影至少覆盖所述膜层通孔在所述衬底上的正投影。

5、在本技术的一种可能实现方式中，所述第二平坦化层还位于所述显示区，所述阵列基板还包括位于所述显示区的多个像素驱动电路，所述多个像素驱动电路位于所述第二平坦化层靠近所述衬底的一侧，所述第二走线结构在所述显示区电连接所述多个像素驱动电路，所述保护层还包括位于所述显示区的第二保护结构，所述显示面板还包括：

6、像素界定层，位于所述显示区，设置于所述第二保护结构远离所述衬底的一侧，并围合形成多个像素开口；

7、多个发光器件，位于所述显示区，所述发光器件包括第一电极，所述第一电极的部分位于所述第二保护结构和所述像素界定层之间、且另一部分从对应的所述像素开口露出；

8、优选地，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述第二保护结构在所述衬底上的正投影之内。

9、在本技术的一种可能实现方式中，所述显示面板还包括：

10、隔离结构，位于所述像素界定层远离所述阵列基板的一侧，在所述显示区，所述隔离结构包括隔离开口，其中，所述隔离开口在所述阵列基板上的正投影覆盖所述像素开口在所述阵列基板上的正投影；

11、优选地，所述发光器件还包括发光材料层及第二电极，在远离所述阵列基板的方向，所述第一电极、所述发光材料层及所述第二电极层叠设置；其中，所述第二电极与所述隔离结构电连接。

12、在本技术的一种可能实现方式中，所述显示面板还包括堤坝，所述堤坝位于所述边框区；

13、优选地，所述非显示区围合在所述显示区的周侧，所述边框区围合在所述显示区的周侧；

14、优选地，所述堤坝与所述第一平坦化层和/或第二平坦化层同层设置。

15、在本技术的一种可能实现方式中，所述阵列基板还包括在所述衬底上依次层叠的第一导电层、第二导电层、第三导电层及第四导电层，所述第二走线层为所述第四导电层，所述第一走线层为所述第三导电层。

16、在本技术的一种可能实现方式中，所述膜层通孔将至少部分所述第一走线结构露出；

17、所述第二走线结构至少沿所述膜层通孔的侧壁分布并与所述膜层通孔露出的第一走线结构连接，在所述膜层通孔位置附近，所述第二走线结构的走线厚度不均；

18、所述膜层通孔的孔径由所述膜层通孔的底部朝远离所述阵列基板的方向逐渐增大；

19、优选地，所述膜层通孔的侧壁厚度朝靠近所述膜层通孔中心的方向逐渐减小；

20、优选地，所述第二走线结构在靠近所述膜层通孔的开口位置处的走线厚度大于所述第二走线结构在远离所述膜层通孔的开口位置处的走线厚度。

21、在本技术的一种可能实现方式中，所述第二平坦化层在靠近所述膜层通孔的开口位置处的厚度，小于所述第二平坦化层在远离所述膜层通孔的开口位置处的厚度。

22、在本技术的一种可能实现方式中，所述第一保护结构在所述阵列基板上的正投影覆盖靠近所述膜层通孔的开口位置处的第二走线结构；

23、优选地，在所述邦定区且远离所述显示区的方向，所述第一保护结构的边缘与所述膜层通孔之间的距离为8um-14um。

24、在本技术的一种可能实现方式中，所述显示面板还包括触控功能层，所述触控功能层包括层叠设置的第一触控走线层、触控绝缘层以及第二触控走线层，所述触控绝缘层包括位于所述邦定区的触控绝缘结构，所述第二触控走线层包括位于所述邦定区的触控走线结构，其中，所述触控走线结构在所述衬底上的正投影位于所述触控绝缘结构在所述衬底上的正投影内；

25、在远离所述显示区的方向，所述触控走线结构和所述触控绝缘结构在所述衬底上正投影的边缘与所述膜层通孔在所述衬底上正投影交叠；

26、所述触控绝缘结构位于所述第一保护结构远离所述衬底的一侧，其中，所述触控绝缘结构覆盖部分所述第一保护结构；

27、在垂直于所述衬底所在的平面方向，被所述触控绝缘结构覆盖的所述第一保护结构具有第一厚度，未被所述触控绝缘结构覆盖的所述第一保护结构具有第二厚度，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度。

28、在本技术的一种可能实现方式中，所述显示面板还包括光学胶层，所述光学胶层位于所述触控功能层远离所述阵列基板的一侧；

29、在所述邦定区，所述第一保护结构的边缘在所述阵列基板上的正投影位于所述光学胶层在所述阵列基板上的正投影内。

30、在本技术的一种可能实现方式中，所述显示面板还包括位于所述邦定区的邦定电极，所述邦定电极与所述第二走线结构电连接；

31、所述邦定电极和所述第二走线结构同层设置。

32、在本技术的一种可能实现方式中，所述保护层包括无机材料层；

33、所述保护层为氧化硅或氮化硅的单层结构，或由氧化硅和氮化硅交替形成的叠层结构；

34、优选地，所述保护层为氮化硅层。

35、本技术的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述非显示区包括边框区和位于所述边框区远离所述显示区一侧的邦定区，所述方法包括：

36、提供一阵列基板，其中，所述阵列基板包括衬底以及沿远离所述衬底的方向依次层叠设置的第一走线层、第一平坦化层、第二走线层和第二平坦化层，所述第一走线层包括位于所述邦定区的多个第一走线结构，所述第一平坦化层包括位于所述邦定区的多个膜层通孔，所述第二走线层包括多个第二走线结构，所述第二走线结构位于所述显示区、所述边框区和所述邦定区，并通过对应的所述膜层通孔与对应的所述第一走线结构电连接，所述第二平坦化层至少位于所述邦定区；

37、在所述阵列基板上制作一层保护材料层；

38、对所述保护材料层进行刻蚀并形成包括至少位于所述邦定区的多个第一保护结构的保护层，其中，所述多个第一保护结构在所述衬底上的正投影至少覆盖所述膜层通孔在所述衬底上的正投影。

39、在本技术的一种可能实现方式中，在所述对所述保护材料层进行刻蚀并形成至少包括位于所述邦定区的多个第一保护结构的保护层的步骤之后，所述方法还包括：

40、在所述保护层远离所述阵列基板的一侧制作的触控功能层，其中，触控功能层包括层叠设置的第一触控走线层、触控绝缘层以及第二触控走线层，所述触控绝缘层包括位于所述邦定区的触控绝缘结构，所述第二触控走线层包括位于所述邦定区的触控走线结构，其中，所述触控走线结构在所述衬底上的正投影位于所述触控绝缘结构在所述衬底上的正投影内；

41、制作至少在所述邦定区包裹所述触控功能层及所述保护层的光学胶层。

42、本技术的第三方面，还提供一种电子设备，所述电子设备包括第一方面中任意一种可能实现方式中的显示面板，或第二方面中任意一种可能实现方式中显示面板的制备方法所制备的显示面板。