一种高功率密度光源结构的制作方法

本技术属于照明光源，具体涉及一种高功率密度光源结构。

背景技术：

1、随着led照明得到越来越多的普及和应用，在特殊照明领域，例如摄影补光照明、舞台照明、户外移动照明等领域，要求led灯具能够轻小、便携，对灯具的体积和重量控制要求较高。led光源的发光面大小将会直接影响灯具的光学透镜设计口径，进而决定灯具的体积以及重量。

2、目前市面常用的四色以上led摄影灯光源发光面普遍较大，其功率密度（功率密度指光源电功率与发光面面积的比值）基本在0.8w/mm2以下，从而发光面较大，进而导致灯具的体积以及重量也较大。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术所述的至少一种缺陷，本实用新型提供一种高功率密度光源结构，包括至少一列第一发光列，第一发光列包括沿第一方向排列的多个第一芯片和多个第二芯片，第一芯片的第一正极与第一负极分别设置在其正反面，第二芯片的第二正极与第二负极均设置在其正面，利于第一芯片与第二芯片的布线走线，以使得本实用新型的功率密度相对传统光源结构的有所提升，并且体积、重量以及光源的发光面相对传统光源结构的体积、重量以及光源的发光面均有所减少。

2、本实用新型为解决其问题所采用的技术方案是：

3、一种高功率密度光源结构，包括至少一列第一发光列；

4、第一发光列包括沿第一方向排列的多个第一芯片和多个第二芯片，同一列第一发光列中，两个第一芯片相邻设置或者第一芯片与第二芯片相邻设置；

5、第一芯片上设置有第一正极与第一负极，第一正极设置在第一芯片的正面，第一负极设置在第一芯片的背面；

6、第二芯片上设置有第二正极与第二负极，第二正极以及第二负极均设置在第二芯片的正面；

7、同一列第一发光列中的所有第一芯片串联，同一列第一发光列中的所有第二芯片串联。

8、作为一种可选的实施方式，在同一列第一发光列中，相邻两个第一芯片之间通过第一焊盘电连接，相邻两个第二芯片之间通过第二焊盘电连接。

9、作为一种可选的实施方式，高功率密度光源结构还包括至少一列第二发光列；

10、第二发光列由多个第三芯片沿着第一方向排列形成，且所有第三芯片串联连接；

11、第三芯片上设置有第三正极与第三负极，第三正极以及第三负极均设置在第三芯片的正面。

12、作为一种可选的实施方式，高功率密度光源结构还包括至少一列第三发光列；

13、第三发光列由多个第四芯片沿着第一方向排列形成，且所有第四芯片串联连接；

14、第四芯片上设置有第四正极与第四负极，第四正极以及第四负极均设置在第四芯片的正面。

15、作为一种可选的实施方式，第一芯片发出第一颜色的光，第二芯片发出第二颜色的光，第三芯片发出第三颜色的光，第四芯片发出第四颜色的光。

16、作为一种可选的实施方式，第一颜色为红色，第二颜色为蓝色，第三颜色为绿色，第四颜色为白色。

17、作为一种可选的实施方式，高功率密度光源结构包括n个第一发光列、n个第二发光列以及2n个第三发光列，n为大于或等于1的正整数；

18、高功率密度光源结构的中心轴两侧均设置有第一发光列、第二发光列以及第三发光列；

19、位于高功率密度光源结构的中心轴两侧的第一发光列发出的光的颜色关于其中心轴对称设置，位于高功率密度光源结构的中心轴两侧的第二发光列发出的光的颜色关于其中心轴对称设置，位于高功率密度光源结构的中心轴两侧的第三发光列发出的光的颜色关于其中心轴对称设置；

20、高功率密度光源结构的中心轴的方向与第一方向相互平行。

21、作为一种可选的实施方式，高功率密度光源结构包括4列第一发光列、4列第二发光列以及8列第三发光列。

22、作为一种可选的实施方式，的高功率密度光源结构还包括基板结构，基板结构包括第一基板以及第二基板，第一芯片以及第二芯片均设置在第一基板上，并且第一基板设置在第二基板上。

23、作为一种可选的实施方式，第一基板为高导热陶瓷基板，第二基板为热电分离铜基板。

24、与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

25、本实用新型包括至少一列第一发光列，第一发光列包括沿第一方向排列的多个第一芯片和多个第二芯片，第一芯片的第一正极与第一负极分别设置在其正反面，第二芯片的第二正极与第二负极均设置在其正面，利于第一芯片与第二芯片的布线走线，以使得本实用新型的功率密度相对传统光源结构的有所提升，并且体积、重量以及光源的发光面相对传统光源结构的体积、重量以及光源的发光面均有所减少。

1.一种高功率密度光源结构，其特征在于，包括至少一列第一发光列（10）；

2.根据权利要求1所述的高功率密度光源结构，其特征在于：在同一列所述第一发光列（10）中，相邻两个所述第一芯片（101）之间通过第一焊盘（103）电连接，相邻两个所述第二芯片（102）之间通过第二焊盘（104）电连接。

3.根据权利要求1所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述高功率密度光源结构还包括至少一列第二发光列（20）；

4.根据权利要求3所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述高功率密度光源结构还包括至少一列第三发光列（30）；

5.根据权利要求4所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述第一芯片（101）发出第一颜色的光，所述第二芯片（102）发出第二颜色的光，所述第三芯片（201）发出第三颜色的光，所述第四芯片（301）发出第四颜色的光。

6.根据权利要求5所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述第一颜色为红色，所述第二颜色为蓝色，所述第三颜色为绿色，所述第四颜色为白色。

7.根据权利要求5所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述高功率密度光源结构包括n个所述第一发光列（10）、n个所述第二发光列（20）以及2n个所述第三发光列（30），n为大于或等于1的正整数；

8.根据权利要求7所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述高功率密度光源结构包括4列所述第一发光列（10）、4列所述第二发光列（20）以及8列所述第三发光列（30）。

9.根据权利要求1-8任意一项所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述的高功率密度光源结构还包括基板结构（40），所述基板结构（40）包括第一基板（401）以及第二基板（402），所述第一芯片（101）以及所述第二芯片（102）均设置在所述第一基板（401）上，并且所述第一基板（401）设置在所述第二基板（402）上。

10.根据权利要求9所述的高功率密度光源结构，其特征在于：所述第一基板（401）为高导热陶瓷基板，所述第二基板（402）为热电分离铜基板。