发光器件及显示装置的制作方法

摘要: 本申请涉及显示,尤其涉及一种发光器件及显示装置。背景技术:1、在有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)器件中,发光层通...
发光器件及显示装置的制作方法

本申请涉及显示,尤其涉及一种发光器件及显示装置。

背景技术:

1、在有机发光二极管(organic light-emitting diode,oled)器件中,发光层通常由主体材料与客体材料组成。然而在高电流密度和长时间运行条件下,主体材料与客体材料的分子扩散以及形貌重排可能导致复合区在发光层内部发生移动。这种复合区漂移可能造成激子向界面扩散并产生淬灭,同时导致发光效率下降和色度变化。

2、现有技术通常采用改变掺杂浓度或增加激子阻挡层的方法来控制复合区,但这些方法主要依赖能级设计,对材料形貌稳定性考虑不足。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种发光器件及显示装置,以改善复合区在发光层内部偏移的问题,同时保证发光层界面稳定性。

2、本申请提供一种发光器件,所述发光器件包括:

3、第一电极;

4、发光层,设置于所述第一电极的一侧;

5、第二电极,设置于所述发光层远离所述第一电极的一侧;

6、其中,所述发光层包括沿所述发光器件的厚度方向层叠设置的第一子层和第二子层,所述第一子层包括第一主体材料,所述第二子层包括第二主体材料,所述第一主体材料的玻璃化转变温度大于所述第二主体材料的玻璃化转变温度。

7、在一些实施例中,所述发光层还包括第三子层,所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧;

8、其中,所述第三子层包括第三主体材料,所述第三主体材料的玻璃化转变温度大于所述第二主体材料的玻璃化转变温度。

9、在一些实施例中,所述发光层还包括客体材料,所述客体材料分布于所述第二子层中。

10、在一些实施例中,所述第一主体材料与所述第二主体材料的玻璃化转变温度的差值范围为20°~30°;

11、和/或,所述第三主体材料与所述第二主体材料的玻璃化转变温度的差值范围为20°~30°。

12、在一些实施例中,所述第一主体材料的玻璃化转变温度的范围为140°~220°;

13、和/或,所述第二主体材料的玻璃化转变温度的范围为120°~140°;

14、和/或,所述第三主体材料的玻璃化转变温度的范围为140°~220°。

15、在一些实施例中,所述第一主体材料的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第二主体材料的最高占据分子轨道能级;

16、和/或,所述第二主体材料的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第三主体材料的最高占据分子轨道能级。

17、在一些实施例中,所述第一主体材料的最高占据分子轨道能级的范围为-5.8 ev~-5.0 ev;

18、和/或,所述第二主体材料的最高占据分子轨道能级的范围为-5.8 ev~-5.0 ev;

19、和/或,所述第三主体材料的最高占据分子轨道能级的范围为-5.8 ev~-5.0 ev。

20、在一些实施例中,所述第一主体材料的空穴迁移率大于或等于所述第二主体材料的空穴迁移率;

21、和/或,所述第三主体材料的空穴迁移率小于或等于所述第二主体材料的空穴迁移率。

22、在一些实施例中,所述第一主体材料的空穴迁移率的范围为10-5cm²·v-1·s-1~10-3cm²·v-1·s-1;

23、和/或,所述第三主体材料的空穴迁移率的范围为10-6cm²·v-1·s-1~10-4cm²·v-1·s-1。

24、本申请还提供一种显示装置,所述显示装置包括如上所述的发光器件。

25、本申请公开了一种发光器件及显示装置,发光器件包括第一电极、发光层以及第二电极,其中,发光层包括沿发光器件的厚度方向层叠设置的第一子层和第二子层,第一子层包括第一主体材料,第二子层包括第二主体材料,第一主体材料的玻璃化转变温度大于第二主体材料的玻璃化转变温度;本申请将发光层设置为多层结构,且发光层中包含高玻璃化转变温度主体材料层(第一子层),高玻璃化转变温度主体材料能够形成稳定边界,限制发光材料的扩散与相分离,有效改善复合区偏移的问题。

1.一种发光器件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光层还包括第三子层,所述第三子层位于所述第二子层远离所述第一子层的一侧;

3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述发光层还包括客体材料,所述客体材料分布于所述第二子层中。

4.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料与所述第二主体材料的玻璃化转变温度的差值范围为20°~30°;

5.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的玻璃化转变温度的范围为140°~220°;

6.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的最高占据分子轨道能级小于或等于所述第二主体材料的最高占据分子轨道能级;

7.根据权利要求6所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的最高占据分子轨道能级的范围为-5.8 ev~-5.0 ev;

8.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的空穴迁移率大于或等于所述第二主体材料的空穴迁移率;

9.根据权利要求8所述的发光器件,其特征在于,所述第一主体材料的空穴迁移率的范围为10-5cm²·v-1·s-1~10-3cm²·v-1·s-1;

10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任意一项所述的发光器件。