改善侧壁缺陷的显示面板及其制备方法与流程

本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善侧壁缺陷的显示面板及其制备方法。

背景技术：

1、微型发光二极管（micro light emitting diode，简称：micro led）显示面板是一种新兴显示技术，其核心是将微米级的micro led芯片作为发光单元，通过高密度阵列集成到驱动基板上，实现每个发光单元的独立控光。

2、相关技术中，显示面板包括驱动基板和多个发光单元，多个发光单元间隔排布在驱动基板上。在制备多个发光单元的过程中，需要先在衬底上形成外延层，然后采用电感耦合等离子体干法刻蚀技术对外延层进行图形化处理，将连续的外延层分割为多个相互独立的发光单元，以此实现像素级的电学隔离。

3、然而，电感耦合等离子体干法刻蚀过程中，高能离子会持续轰击发光单元的侧壁区域，导致晶格原子被强行击出原有晶格位点，进而形成大量悬挂键与空位缺陷；这些缺陷会引发表面能带弯曲，最终形成非辐射复合中心，不仅会降低器件的辐射复合效率、导致外量子效率下降，还会引入额外的漏电流通道，影响器件的可靠性与使用寿命。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种改善侧壁缺陷的显示面板及其制备方法，能减少发光单元的侧壁缺陷，以改善显示面板的可靠性。所述技术方案如下：

2、一方面，本公开实施例提供了一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：提供一半导体制品，所述半导体制品包括基板和位于基板上的外延层；刻蚀所述外延层以形成多个间隔排布的发光单元；在各所述发光单元的侧壁形成牺牲层；去除所述牺牲层。

3、在本公开的一种实现方式中，在各所述发光单元的侧壁形成牺牲层包括：在所述发光单元的侧壁形成ga2o3层；对所述ga2o3层进行退火处理。

4、在本公开的另一种实现方式中，对所述ga2o3层进行退火处理包括：在氮气氛围下，控制退火温度为700℃至800℃，退火时间为30s至100s，以形成gaon层。

5、在本公开的另一种实现方式中，在所述发光单元的侧壁形成ga2o3层包括：通过原子层沉积或原位高温氧化工艺，在所述发光单元的侧壁形成厚度为5nm至50nm的ga2o3层。

6、在本公开的另一种实现方式中，去除所述牺牲层之后，还包括：在所述gaon层的表面沉积钝化层，所述钝化层包括氧化铝层或氧化硅层。

7、在本公开的另一种实现方式中，在各所述发光单元的侧壁形成牺牲层之前还包括：采用氧等离子体对刻蚀后的所述发光单元侧壁进行预处理，等离子体功率为50w至100w，处理时间为10s至30s。

8、在本公开的另一种实现方式中，去除所述牺牲层包括：采用稀盐酸或氢氧化钠溶液浸泡所述半导体制品30s至60s。

9、又一方面，本公开实施例提供了一种显示面板，所述显示面板采用如前文所述的显示面板的制备方法制备。

10、在本公开的另一种实现方式中，所述显示面板包括：基板、过渡层和多个发光单元，多个所述发光单元间隔排布在所述基板上，所述过渡层位于所述发光单元的侧壁，所述过渡层包括gaon层。

11、在本公开的另一种实现方式中，所述gaon层的厚度为5nm至50nm。

12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

13、本公开实施例提供的显示面板的制备方法，通过在刻蚀形成发光单元后，额外增加侧壁牺牲层的生长与氧化挥发处理步骤，能大幅降低发光单元的侧壁缺陷密度。原本干法刻蚀产生的高能离子轰击会导致发光单元侧壁出现大量悬挂键、空位等晶格缺陷，而牺牲层的氧化-挥发过程可主动消耗这些缺陷，使侧壁缺陷密度降低，从而减少了非辐射复合中心的形成，有助于缓解表面能带弯曲问题，提升器件的辐射复合效率与外量子效率。

14、并且，牺牲层的氧化-挥发过程可实现刻蚀损伤的侧壁晶体结构修复，微观下原本粗糙、存在损伤的侧壁变得更为平整，通过原子力显微镜或高分辨率电子显微镜即可观察到表面纳米级刻蚀凹坑消失，表面平整度显著提升，减少了缺陷对载流子输运的负面影响。

15、同时，缺陷减少直接切断了额外漏电流通道的形成路径，可降低器件的反向漏电流，避免因漏电导致的性能衰减与早期失效问题，辐射复合效率的提升也有助于减少器件工作时的发热损耗，提升器件的可靠性。

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在各所述发光单元（12）的侧壁形成牺牲层（20）包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述ga2o3层进行退火处理包括：

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述发光单元（12）的侧壁形成ga2o3层包括：

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，去除所述牺牲层（20）之后，还包括：

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在各所述发光单元（12）的侧壁形成牺牲层（20）之前还包括：

7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法，其特征在于，去除所述牺牲层（20）包括：

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板采用如权利要求1至7任一项所述的显示面板的制备方法制备。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：基板（11）、过渡层和多个发光单元（12），多个所述发光单元（12）间隔排布在所述基板（11）上，所述过渡层位于所述发光单元（12）的侧壁，所述过渡层包括gaon层。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述gaon层的厚度为5nm至50nm。