超结晶体管器件的制作方法

本公开总体上涉及超结晶体管器件，具体而言，涉及碳化硅（sic）超结器件。

背景技术：

1、超结晶体管器件包括超结区，超结区具有第一掺杂类型（导电类型）并且耦合到漏极节点的多个第一区，以及与第一掺杂类型互补并且耦合到源极节点的第二掺杂类型（导电类型）的多个第二区。第一区通常被称为漂移区，并且第二区通常被称为补偿区。

2、超结晶体管器件还包括耦合在源极节点与超结区之间的晶体管单元，其中，晶体管单元可以在导通状态（接通状态）或阻断状态（关断状态）下操作。在导通状态下，超结器件被操作为使得电流可以通过第一区在源极节点和漏极节点之间流动。在阻断状态下，超结器件被操作为使得第一区和第二区之间的pn结被反向偏置，使得耗尽区（空间电荷区）在第一区和第二区中扩展。

3、超级结晶体管器件的电压阻断能力由可以施加在漏极与源极节点之间而不引起雪崩击穿的最大电压限定。超级结晶体管器件的导通电阻是当晶体管器件处于导通状态时源极节点与漏极节点之间的电阻。导通电阻显著取决于第一区的电阻。

4、需要在不降低电压阻断能力的情况下降低导通电阻。

技术实现思路

1、一个示例涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括：半导体主体；多个晶体管单元，晶体管单元各自至少部分地集成在半导体主体中；布置在半导体主体中的第一掺杂类型的漏极区；超结区，超结区布置在半导体主体中并且包括第一掺杂类型的多个第一区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区。第一区和第二区中的每一者在晶体管单元与漏极区之间在第一方向上延伸，第一区中的每个第一区包括面向漏极区的第一端部区段，并且第二区中的每个第二区包括面向漏极区的第二端部区段。在一对相邻的第一区和第二区中，第一端部区段包括第一有效量的第一类型掺杂剂原子，并且第二端部区段包括第二有效量的第二类型掺杂剂原子，其中，第二有效量是第一有效量的至少1.1倍。

2、另一示例涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括：半导体主体；多个晶体管单元，晶体管单元各自至少部分地集成在半导体主体中；布置在半导体主体中的第一掺杂类型的漏极区；超结区，超结区布置在半导体主体中并且包括第一掺杂类型的多个第一区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区。第一区和第二区中的每一者在晶体管单元与漏极区之间在第一方向上延伸，第一区中的每个第一区包括面向晶体管单元的第三端部区段，并且第二区中的每个第二区包括面向晶体管单元的第四端部区段。在一对相邻的第一区和第二区中，第三端部区段包括第三有效量的第一类型掺杂剂原子，并且第四端部区段包括第四有效量的第二类型掺杂剂原子，其中，第四有效量是第三有效量的至少1.1倍。

1.一种晶体管器件，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，

3.根据权利要求1或2所述的晶体管器件，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管器件，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管器件，

6.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管器件，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管器件，

8.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体管器件，

9.根据权利要求4至8中任一项所述的晶体管器件，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的晶体管器件，

11.根据权利要求10所述的晶体管器件，

12.一种晶体管器件，包括：

13.根据权利要求12所述的晶体管器件，

14.根据权利要求12或13所述的晶体管器件，

15.根据权利要求12至14中任一项所述的晶体管器件，

16.根据权利要求10至13中任一项所述的晶体管器件，

17.根据权利要求1至16中任一项所述的晶体管器件，

18.根据权利要求1至17中任一项所述的晶体管器件，

19.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，还包括：

20.根据权利要求19所述的晶体管器件，