半导体装置的制作方法

本公开涉及半导体装置。本申请主张基于2024年1月31日提出申请的日本申请第2024－013076号的优先权，援引所述日本申请所记载的全部记载内容。

背景技术：

1、已知有一种晶体管，使用了gan－hemt（gallium nitride high electronmobility transistor：氮化镓高电子迁移率晶体管）等氮化物半导体（例如专利文献1）。已知有使栅电极的靠近漏电极的部分搭接于半导体层上的绝缘层上（例如专利文献2）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开平10－335637号公报

5、专利文献2：日本特开2002－100642号公报

技术实现思路

1、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，具备：第一绝缘层，设于氮化物半导体层上；源电极和漏电极，设于所述氮化物半导体层上，与所述氮化物半导体层欧姆接触；以及栅电极，在所述源电极与漏电极之间设于所述氮化物半导体层上，所述漏电极的靠近所述栅电极的第一部分和所述源电极的靠近所述栅电极的第二部分中，仅所述漏电极的靠近所述栅电极的第一部分设于所述第一绝缘层上。

2、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，具备：第一绝缘层，设于氮化物半导体层上；源电极和漏电极，设于所述氮化物半导体层上，与所述氮化物半导体层欧姆接触；以及栅电极，在所述源电极与漏电极之间设于所述氮化物半导体层上，所述漏电极的靠近所述栅电极且设于所述第一绝缘层上的第一部分的长度是所述栅电极与所述氮化物半导体层接触的区域和所述漏电极与所述氮化物半导体层接触的区域之间的距离的0.1倍以上且0.6倍以下。

3、本公开的一个实施方式是一种半导体装置，具备：第一绝缘层，设于氮化物半导体层上；源电极和漏电极，设于所述氮化物半导体层上，与所述氮化物半导体层欧姆接触；以及栅电极，在所述源电极与漏电极之间设于所述氮化物半导体层上，所述漏电极的靠近所述栅电极且设于所述第一绝缘层上的第一部分的第一长度大于所述源电极的靠近所述栅电极且设于所述第一绝缘层上的第二部分的第二长度。

1.一种半导体装置，具备：

2.一种半导体装置，具备：

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.一种半导体装置，具备：

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，具备：

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1、2以及5中任一项所述的半导体装置，其中，