基座的制作方法

本发明涉及一种基座，尤其，涉及一种带有用于提高温度均匀性的加热图案的基座。

背景技术：

1、通常，半导体装置或显示装置是通过将包括介电层及金属层的多个薄膜层依次层叠在玻璃基板、柔性基板或半导体晶圆基板上后进行图案化的半导体工艺来制造。这些薄膜层通过化学气相沉积（chemical vapor deposition，cvd）工艺或物理气相沉积（physical vapor deposition，pvd）工艺依次沉积在基板上。作为所述cvd工艺，包括低压化学气相沉积（low pressure cvd，lpcvd）工艺、等离子体增强化学气相沉积（plasmaenhanced cvd，pecvd）工艺及有机金属化学气相沉积（metal organic cvd，mocvd）工艺等。在这种cvd及pvd装置上设置有用于支撑玻璃基板、柔性基板及半导体晶圆基板等并进行半导体工艺处理的装置或基座。所述基座可在热处理工艺等中具备用于加热基板的发热线，也可以为了在形成于基板上的薄膜层的蚀刻工艺（etching process）等中形成等离子体而具备高频（rf）电极以代替发热线，还可同时具备发热线和高频（rf）电极。

2、尤其，普通基座包括位于陶瓷材料之间的用于加热功能的发热体。在陶瓷基座结构中，发热体接收电力并产生热以加热半导体晶圆基板等，为了通过稳定的半导体工艺来提高收率，基板的温度均匀性很重要。

3、图1是现有陶瓷基座的发热体图案的俯视图实例。

4、参照图1，现有陶瓷基座包括同一平面上的、连接在端子对11a、11b之间的发热体图案21及连接在端子对12a、12b之间的发热体图案22。其被构成为各个发热体图案21、22形成两个不同的发热区（zone）。

5、然而，现有陶瓷基座存在结构性问题，如图1所示的发热体图案21、22的线宽较宽且发热体密度低，导致整个加热区域的温度分布不均匀，为了使放置基板的基座上表面的整个区域具有均匀的温度，发热体图案21、22的间距调节存在局限性，因此不可避免地出现发热不均匀区域26。

6、另外，由于如图1所示的发热体图案21、22具有对称的多个折弯部，因此在它们之间的空间中存在不发热区域27，即使在所述不发热区域27的对称的多个折弯部之间的空间中存在连接端子对12a、12b和发热体图案22的电阻体的直线部连接线部分25，所述直线部连接线部分25也不会发热或少量发热，因此，同样存在如下的问题：放置基板的基座上表面形成冷区（cool zone），并且上表面整体区域温度不均匀。为了改善这一点，尝试双层结构，但存在各层的主发热体与副发热体的重叠区间中形成热区（hot zone）的问题。

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、因此，本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的目的在于，提供一种基座，所述基座可通过将作为主发热体的线圈型电阻体及作为副发热体的2d线型电阻体构成为层叠结构，能够缩短热传递距离，以提高向上表面的热传递量，并且层叠的各层中的主发热体与副发热体以相互不重叠地且高密度地交错布置，从而可提高基座上表面的整个区域的温度均匀性。

3、用于解决问题的手段

4、首先，概括本发明的特征，根据用于实现所述目的的本发明的一方面的基座，包括绝缘板，所述绝缘板中设置有层叠的第一层的主发热体及第二层的副发热体，所述主发热体由线圈型电阻体形成，所述线圈型电阻体连接在一个以上的第一端子对各自之间，且所述主发热体包括位于不同直径位置上的第一圆弧部及连接多个第一圆弧部之间的多个第一折弯部，所述副发热体由2d线型电阻体形成，所述2d线型电阻体连接在一个以上的第二端子对各自之间，并包括位于不同直径位置上的第二圆弧部及连接多个第二圆弧部之间的多个第二折弯部，所述主发热体及所述副发热体以层间在所述绝缘板整体上相互不重叠的方式设置。

5、所述主发热体可设置在所述副发热体的上部或下部。

6、所述主发热体可包括通过与一个所述第一端子对连接以在所述绝缘板整体上形成一个主加热区的第一图案，所述副发热体可包括通过与一个所述第二端子对连接以在所述绝缘板整体上形成一个补偿加热区的第二图案。

7、所述第一图案可在圆周上连续设置并包括3个、4个或6个第一重复图案，所述第二图案可包括与所述第一重复图案相对应且连续的第二重复图案。

8、所述主发热体可包括与多个所述第一端子对连接的各个第一图案，并形成多个所述第一图案分割所述绝缘板的多个主加热区，所述副发热体可包括与一个所述第二端子对连接并在所述绝缘板整体上形成一个补偿加热区的第二图案。

9、所述第一图案可在圆周上分离设置并包括3个、4个或6个第一重复图案，所述第二图案可包括与所述第一重复图案相对应且连续的第二重复图案。

10、可包括呈所述第一图案的最外层圆弧部比所述第二图案的最外层圆弧部更靠近内侧的图案。

11、可包括呈所述第一图案的最外层圆弧部比所述第二图案的最外层圆弧部更靠近外侧的图案。

12、所述主发热体可形成与多个所述第一端子对连接的各个第一图案分割所述绝缘板的多个主加热区，所述副发热体可形成与多个所述第二端子对连接的各个第二图案分割所述绝缘板的多个补偿加热区。

13、所述主发热体可包括用于三个所述多个主加热区的、在圆周上分离设置的三个第一重复图案，所述副发热体可包括用于所述多个补偿加热区的、与所述第一重复图案相对应的第二重复图案。

14、所述主发热体可包括用于四个所述多个主加热区的、在圆周上分离设置的四个第一重复图案，所述副发热体可包括用于所述多个补偿加热区的、与所述第一重复图案相对应的第二重复图案。

15、所述主发热体可包括用于六个所述多个主加热区的、在圆周上分离设置的六个第一重复图案，所述副发热体可包括用于所述多个补偿加热区的、与所述第一重复图案相对应的第二重复图案。

16、发明效果

17、根据本发明的基座，可通过将作为主发热体的线圈型电阻体及作为副发热体的2d线型电阻体构成为层叠结构，能够缩短热传递距离，以提高向上表面的热传递量，并且层叠的各层中的主发热体和副发热体以相互不重叠地且在空白空间中高密度地交错布置，从而可提高基座上表面的整个区域的温度均匀性。

18、另外，根据本发明的基座，现有发热体的间距调节存在局限性，但在本发明中，即使自由布置，也不会在发热体之间的空白部分形成冷区，从而使基座上表面的温度分布均匀，并且由于去除现有发热体图案的径向直线部连接线，且主发热体与副发热体层间没有重叠，因此可能不会形成热区。

19、而且，根据本发明的基座，2d线型副发热体的线宽薄且细并易于变形，因此布线自由度高，从而可适当地应用于需要温度补偿的区域，当选择副发热体围绕主发热体的外层的形态时，能够容易地实现作为相对低发热部的边缘（edge）部分的温度补偿。

1.一种基座，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基座，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的基座，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的基座，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的基座，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的基座，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的基座，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的基座，其特征在于，

12.根据权利要求9所述的基座，其特征在于，