发光元件的制作方法

本揭露是关于一种发光元件，特别是关于一种有机发光元件。

背景技术：

1、有机发光显示器已经广泛使用于最高端的电子装置中。然而，由于现有技术的限制，发光材料的发光效率与质量并无法有效地被控制，导致器件的光学效果不如预期。

技术实现思路

1、在本揭露中，一种发光元件包括基板、复数个光遮挡层及复数个第一电极层。复数个光遮挡层间隔设置在基板的第一表面上；复数个第一电极层设置在基板的第一表面上，复数个第一电极的各者设置在两个相邻的光遮挡层之间，其中复数个光遮挡层的各者包含第一抗反射层、非导电层及第二抗反射层，其中第一抗反射层设置在基板的第一表面上，非导电层覆盖第一抗反射层，第二抗反射层至少部分覆盖非导电层，使得非导电层设置在第一抗反射层及第二抗反射层之间，且非导电层包括氧化物。

2、在本揭露中，一种发光元件的制作方法包括：提供基板；依序在基板的第一表面上施加第一抗反射材料、非导电材料以及第二抗反射材料；去除部分第一抗反射材料、非导电材料以及第二抗反射材料以间隔形成复数个沟槽，以使得复数个沟槽之间形成复数个光遮挡层，复数个光遮挡层的各者包括由第一抗反射材料形成的第一抗反射层、由非导电材料形成的非导电层及由第二抗反射材料形成的第二抗反射层，非导电层包括氧化物；及间隔形成复数个第一电极，使得复数个第一电极覆盖在自复数个沟槽之间露出的基板的第一表面上以及相邻的光遮挡层的侧壁及部分顶部。

3、在一些实施例中，氧化物包括饱和氧化物及不饱和氧化物。

4、在一些实施例中，非导电层包括不饱和氧化硅、不饱和氧化钛、不饱和氧化钽、不饱和氧化铝或其组合。

5、在一些实施例中，复数个光遮挡层的各者的顶部宽度实质上等于或小于其底部宽度，使得复数个光遮挡层的各者的侧壁与基板的第一表面之间的夹角为大于0度至约90度。

6、在一些实施例中，第一抗反射层的顶部宽度实质上等于或小于其底部宽度，使得复数个光遮挡层的各者的侧壁与基板的第一表面之间的夹角为大于0度至约90度。

7、在一些实施例中，非导电层的两端至少部分与第一电极层接触。

8、在一些实施例中，第二抗反射层完全覆盖非导电层，使得第二抗反射层的两端与基板的第一表面接触。

9、在一些实施例中，非导电层的厚度大于第二抗反射层的厚度；且非导电层的厚度大于第一抗反射层的厚度。

10、在一些实施例中，复数个第一电极的各者包含中心部及自中心部往两侧延伸的二端部，中心部设置在两个相邻的光遮挡层之间，二端部跨设在相邻的光遮挡层的侧壁及部分顶部上。

11、在一些实施例中，发光元件进一步包括：复数个凸块部分覆盖第一电极的二端部以及光遮挡层自复数个第一电极之间暴露的顶部。

12、在一些实施例中，复数个凸块部分覆盖第一电极的二端部以及光遮挡层的顶部未被第一电极的二端部覆盖的区域。

13、在一些实施例中，施加非导电材料包含通过蒸镀工艺在低供氧量的情况下进行，以使得非导电层包括不饱和氧化物。

14、在一些实施例中，非导电材料包括不饱和氧化硅、不饱和氧化钛、不饱和氧化钽、不饱和氧化铝或其组合

15、在一些实施例中，去除部分第一抗反射材料、非导电材料以及第二抗反射材料包括蚀刻第一抗反射材料、非导电材料以及第二抗反射材料，以使得复数个光遮挡层的各者的顶部宽度实质上等于或小于其底部宽度。

16、在一些实施例中，制作方法进一步包括：形成复数个凸块在复数个光遮挡层上，且部分覆盖第一电极；形成发光层在复数个第一电极及复数个凸块上；及形成第二电极层在发光层上。

1.一种发光元件，包括：

2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，所述氧化物包括饱和氧化物及不饱和氧化物。

3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述不饱和氧化物包括不饱和氧化硅、不饱和氧化钛、不饱和氧化钽、不饱和氧化铝或其组合。

4.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述复数个光遮挡层的各者的顶部的宽度实质上等于或小于其底部的宽度，使得所述复数个光遮挡层的各者的侧壁与所述基板的所述第一表面之间的夹角为大于0度至约90度。

5.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一抗反射层的顶部的宽度实质上等于或小于其底部的宽度，使得所述复数个光遮挡层的各者的侧壁与所述基板的所述第一表面之间的夹角为大于0度至约90度。

6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述非导电层的两端至少部分与第一电极层接触。

7.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述第二抗反射层完全覆盖所述非导电层，使得所述第二抗反射层的两端与所述基板的所述第一表面接触。

8.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述非导电层的厚度大于所述第二抗反射层的厚度，且所述非导电层的所述厚度大于所述第一抗反射层的厚度。

9.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述复数个第一电极的各者包含中心部及自所述中心部往两侧延伸的二端部，所述中心部设置在两个相邻的所述光遮挡层之间，所述二端部跨设在相邻的所述光遮挡层的侧壁及部分顶部上。

10.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件进一步包括：

11.如权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述复数个凸块部分覆盖所述第一电极的所述二端部以及所述光遮挡层自所述复数个第一电极之间暴露的顶部。

12.一种发光元件的制作方法，包括：

13.如权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述氧化物包括饱和氧化物及不饱和氧化物。

14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，施加所述非导电材料包含通过蒸镀工艺在低供氧量的情况下进行，以使得所述非导电层包括所述不饱和氧化物。

15.如权利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述非导电层包括不饱和氧化硅、不饱和氧化钛、不饱和氧化钽、不饱和氧化铝或其组合。

16.如权利要求12至15中任一项所述的制作方法，其特征在于，去除部分所述第一抗反射材料、所述非导电材料以及所述第二抗反射材料包括蚀刻所述第一抗反射材料、所述非导电材料以及所述第二抗反射材料，以使得所述复数个光遮挡层的各者的顶部宽度实质上等于或小于其底部宽度。

17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述非导电层的两端至少部分与第一电极层接触。

18.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述第二抗反射层完全覆盖所述非导电层，使得所述第二抗反射层的两端与所述基板的所述第一表面接触。

19.如权利要求12至15中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法进一步包括：