半导体器件及其形成方法与流程

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术：

1、半导体集成电路工业经历了指数级增长。集成电路材料和设计中的技术进步已经产生了多代集成电路，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在集成电路发展的过程中，功能密度（即，每芯片区的互连器件的数量）普遍增大，而几何尺寸（即，可以使用制造工艺创建的最小组件（或线））已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的缩小也增加了处理和制造集成电路的复杂性。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成在第一横向方向上延伸的第一半导体鳍；形成在所述第一横向方向上延伸的第二半导体鳍；在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间沉积第一隔离结构；横跨所述第一半导体鳍、所述第二半导体鳍和所述第一隔离结构沉积在横向于所述第一横向方向的第二横向方向上延伸的栅极金属；在所述第一鳍中生长第一晶体管的部分地在所述第一隔离结构上方延伸的第一源极/漏极区域；在所述第二鳍中生长第二晶体管的部分地在所述第一隔离结构上方延伸的第二源极/漏极区域；在所述栅极金属的顶面中的凹槽中沉积覆盖部件；以及在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间以及所述栅极金属的第一部分和第二部分之间形成在所述第一横向方向上延伸的介电隔离结构，所述介电隔离结构将所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域彼此电隔离，并且将所述第一栅极金属的所述第一部分和所述第二部分彼此电隔离。

2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在第一半导体鳍和第二半导体鳍之间形成第一隔离结构；在所述第二半导体鳍和第三半导体鳍之间形成第二隔离结构，所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍以及所述第一隔离结构和所述第二隔离结构在第一横向方向上延伸；沉积在与所述第一横向方向不同的第二横向方向上横跨所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍以及所述第一隔离结构和所述第二隔离结构延伸的栅极金属；在所述第二隔离结构上方的第一位置处的所述栅极金属上沉积覆盖部件；通过用蚀刻工艺形成第一沟槽来将所述栅极金属的第一部分与所述栅极金属的第二部分电隔离，所述第一沟槽在所述隔离结构之上在所述第一横向方向上延伸穿过所述栅极金属并且在所述第一半导体鳍的第一源极/漏极区域和所述第二半导体鳍的第二源极/漏极区域之间延伸，所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域部分地在所述第一隔离结构上方延伸；以及用所述蚀刻工艺在所述第二隔离结构之上形成在所述第一横向方向上延伸的第二沟槽，其中，所述第一覆盖部件保护所述栅极金属在所述第一位置处不被所述蚀刻工艺蚀刻。

3、本申请的又一些实施例提供了一种半导体器件，包括：第一有源区域，在第一横向方向上延伸；第二有源区域，在所述第一横向方向上延伸；第三有源区域，在所述第一横向方向上延伸；第一隔离结构，位于所述第一有源区域和所述第二有源区域之间；第二隔离结构，位于所述第二有源区域和所述第三有源区域之间；栅极金属，横跨所述第一有源区域、所述第二有源区域、所述第三有源区域、第一隔离结构和所述第二隔离结构在与所述第一横向方向不同的第二横向方向上延伸；第一晶体管，位于所述第一有源区域中，并且包括部分地在所述第一隔离结构上方延伸的第一源极/漏极区域；第二晶体管，位于所述第二有源区域中，并且包括部分地在所述第一隔离结构上方延伸的第二源极/漏极区域；覆盖部件，位于所述第一隔离结构之上的所述栅极金属的顶面中的凹槽中；以及第一介电隔离结构，在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间以及所述栅极金属的第一部分和第二部分之间在所述第一横向方向上延伸，所述介电隔离结构将所述栅极金属的所述第一部分和所述第二部分彼此电隔离。

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2. 根据权利要求1所述的方法，还包括：

3. 根据权利要求2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述栅极金属的所述第二部分是所述第二晶体管和所述第三半导体鳍的第三晶体管的共用栅电极。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第二沟槽包括用蚀刻工艺去除所述第一源极/漏极区域、所述第二源极/漏极区域和所述第一栅极金属的部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述覆盖部件阻止所述第三沟槽延伸至所述第一栅极金属中。

9.一种形成半导体器件的方法，包括：

10.一种半导体器件，包括：