晶圆处理设备的制作方法

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种晶圆处理设备。

背景技术：

1、在半导体制造领域，晶圆在工艺腔室与传输腔室之间传送，需保证晶圆到达工艺腔室的工作台后，晶圆的放置位置精准，避免发生偏移，尤其是在等离子体增强化学气相沉积工艺中。

2、等离子体增强化学气相沉积是半导体行业中常用的一种薄膜沉积技术，在该工艺中，若晶圆到达工作台后产生偏移，会直接导致工艺过程中等离子体分布不均，从而导致膜厚不均匀、偏边缺陷，导致晶圆报废。

3、相关技术中，为保证晶圆的位置精度，往往在传输腔室的装载平面处设置传感器，但传感器仅能在晶圆进出传输腔室时检测位置，时效性低，或者，在工艺完成后再检测晶圆位置状态，存在滞后性，无法在晶圆产生偏移后及时的检测获知，极大影响产品产良率。

技术实现思路

1、本申请所要解决的技术问题在于提供一种晶圆处理设备，可以在工艺腔室内实时检测晶圆位置，避免晶圆偏移。

2、根据本申请实施例，提供一种晶圆处理设备，包括：工艺腔室，具有透光部、腔壁以及由所述腔壁围合形成的容纳腔，所述容纳腔具有放置晶圆的承载面，所述透光部设置在腔壁中；透光部，设于所述腔壁中；探测器，置于所述工艺腔室的外部，且与所述透光部间隔设置；所述探测器用于发出经所述透光部射入所述容纳腔的入射光，以获取所述承载面上晶圆的位置信息；光学组件，置于所述容纳腔中；所述光学组件至少包括第一光学件与第二光学件，所述第一光学件用于对所述入射光转换形成第一光路，所述第二光学件用于对第一光路转换形成第二光路，且使得所述第二光路穿过所述透光部被所述探测器采集；其中，所述入射光、所述第一光路及所述第二光路分别经过所述承载面的不同位置。

3、在一种实施方式中，所述第一光学件和第二光学件设在所述腔壁上，且在所述腔壁上的安装位置满足：所述入射光在所述第一光学件处的入射角为锐角；所述第一光路在所述第二光学件处的入射角为锐角。

4、在一种实施方式中，所述腔壁包括两个相对设置的第一侧壁和与其中一个第一侧壁相交设置的第二侧壁；所述透光部与所述第一光学件分别位于两个第一侧壁上，且所述透光部与所述第一光学件相对设置；所述第二光学件设于所述第二侧壁上。

5、在一种实施方式中，所述工艺腔室内设有两个承载所述晶圆的承载面，所述光学组件中设有两组，每组对应一个所述承载面设置，且均包括所述第一光学件与第二光学件。

6、在一种实施方式中，两个所述承载面位于所述入射光传输方向的两侧。

7、在一种实施方式中，所述晶圆处理设备还包括用于传输晶圆的传输腔室，所述传输腔室与所述腔壁相连，且在所述传输腔室和所述腔壁的连接处设有与所述容纳腔相通的输送口。

8、在一种实施方式中，所述工艺腔室设有多个，所有所述工艺腔室环绕所述传输腔室依次设置；每个所述工艺腔室均对应设置有所述探测器和所述光学组件。

9、在一种实施方式中，所述晶圆处理设备还包括夹持装置，所述夹持装置设于所述传输腔室内，适于夹持所述晶圆，并带动所述晶圆在所述传输腔室与各个所述工艺腔室之间移动。

10、在一种实施方式中，所述晶圆处理设备还包括报警装置，所述报警装置与所述探测器相连，用于在所述探测器检测到晶圆发生偏移时发出电光报警或声音报警。

11、在一种实施方式中，所述晶圆处理设备还包括与所述探测器相连的控制系统，所述控制系统用于根据所述晶圆的位置信息生成报警信息，或者用于根据所述晶圆的位置信息控制晶圆的加工工序。

12、与现有技术相比，本申请的有益效果在于：通过设置探测器以及在腔壁上与探测器对应的位置处设置透光部，使得探测器能够顺利向容纳腔内发出入射光，入射光经光学组件反射后，形成第一光路与第二光路后被探测器接收，入射光、第一光路及第二光路均穿过承载面即晶圆所在区域，从而获取晶圆的位置信息，实现对晶圆的实时位置监测，确保晶圆在薄膜沉积等工序中始终处于标准位置，避免晶圆位置偏移，影响产品良率；可在晶圆放置到工艺腔内的承载面上时，及时发现晶圆发生偏移的问题，时效性高，且检测过程可以与工艺流程同步进行，无需中断工艺流程或等待工艺流程结束，提高产品良率。

1.一种晶圆处理设备，包括：

2.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述第一光学件和第二光学件设在所述腔壁上，且在所述腔壁上的安装位置满足：所述入射光在所述第一光学件处的入射角为锐角；所述第一光路在所述第二光学件处的入射角为锐角。

3.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述腔壁包括两个相对设置的第一侧壁和与其中一个第一侧壁相交设置的第二侧壁；

4.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述工艺腔室内设有两个承载所述晶圆的承载面，所述光学组件中设有两组，每组对应一个所述承载面设置，且均包括所述第一光学件与第二光学件。

5.如权利要求4所述的晶圆处理设备，其特征在于，两个所述承载面位于所述入射光传输方向的两侧。

6.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括用于传输晶圆的传输腔室，所述传输腔室与所述腔壁相连，且在所述传输腔室和所述腔壁的连接处设有与所述容纳腔相通的输送口。

7.如权利要求6所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述工艺腔室设有多个，所有所述工艺腔室环绕所述传输腔室依次设置；每个所述工艺腔室均对应设置有所述探测器和所述光学组件。

8.如权利要求7所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括夹持装置，所述夹持装置设于所述传输腔室内，适于夹持所述晶圆，并带动所述晶圆在所述传输腔室与各个所述工艺腔室之间移动。

9.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括报警装置，所述报警装置与所述探测器相连，用于在所述探测器检测到晶圆发生偏移时发出电光报警或声音报警。

10.如权利要求1所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备还包括与所述探测器相连的控制系统，所述控制系统用于根据所述晶圆的位置信息生成报警信息，或者用于根据所述晶圆的位置信息控制晶圆的加工工序。