显示装置和包括显示装置的电子装置的制作方法

本文中描述的本公开的实施方式涉及显示装置和包括显示装置的电子装置，并且例如涉及包括半导体电路基板的显示装置和包括显示装置的电子装置。

背景技术：

1、用于显示图像的显示装置包括在用于向用户提供图像的电子装置（诸如智能电话、笔记本计算机、导航系统、智能电视等）中。显示装置可以包括高分辨率图像显示装置，诸如虚拟现实（vr）装置、增强现实（ar）装置和智能手表。高分辨率图像显示装置可以包括硅上发光二极管（ledos）和/或硅上有机发光二极管（oledos），二者均包括硅基板和在硅基板上的发射元件。

2、高分辨率图像显示装置可能由于每个单独像素的尺寸减小而具有更窄的像素间隙。因此，相邻像素之间的横向泄漏电流可能导致图像质量下降。

3、本背景技术部分中公开的信息旨在增强对本公开的背景技术的理解，并且因此它可能包含不构成现有技术的信息。

技术实现思路

1、根据本公开的一个或多个实施方式的方面针对具有增强的（例如，改善的）图像质量和提高的可靠性的显示装置。

2、根据本公开的一个或多个实施方式的方面针对包括显示装置的电子装置。

3、实施方式的其它方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施本公开所呈现的实施方式了解到。

4、根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置可以包括：半导体电路基板，包括像素电路；反射导电图案，在半导体电路基板上；发射元件，包括与反射导电图案接触的第一电极、在第一电极上的发射单元和在发射单元上的第二电极，发射元件在半导体电路基板上；像素限定层，在半导体电路基板上并且具有暴露第一电极的发射开口；以及外围发射单元，在像素限定层上。像素限定层可以包括：氮化硅层，直接在第一电极上；以及氧化硅层，直接在氮化硅层上。氧化硅层限定尖端结构，该尖端结构相较于氮化硅层，可以从发射开口更向内突出。外围发射单元可以直接在氧化硅层上并且通过尖端结构与发射单元电分离。

5、在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括在反射导电图案和第一电极之间的层间介电层。第一电极可以与反射导电图案的侧表面接触。

6、在一个或多个实施方式中，氮化硅层可以在第一电极周围（例如，围绕第一电极）。第一电极可以与反射导电图案的侧表面接触。像素限定层还可以包括在氧化硅层和半导体电路基板之间的下氧化硅层。下氧化硅层可以在氮化硅层周围（例如，围绕氮化硅层）。

7、在一个或多个实施方式中，氮化硅层的厚度可以在约50å至约100å的范围内。

8、在一个或多个实施方式中，尖端结构可以具有底表面和倾斜表面。尖端结构的倾斜表面可以相对于尖端结构的底表面形成锐角。

9、在一个或多个实施方式中，该锐角可以在约30°至约60°的范围内。

10、在一个或多个实施方式中，发射单元和外围发射单元中的每一者可以包括：空穴注入层；空穴传输层，在空穴注入层上；发射层，在空穴传输层上；电子传输层，在发射层上；以及电子注入层，在电子传输层上。发射单元的空穴注入层与外围发射单元的空穴注入层可以通过尖端结构彼此隔开和/或分开（例如，间隔开或分离）。

11、在一个或多个实施方式中，第二电极可以进一步延伸至外围发射单元上。

12、在一个或多个实施方式中，像素限定层还可以包括：下氮化硅层，与反射导电图案的侧表面接触；以及下氧化硅层，在氮化硅层和半导体电路基板之间。下氧化硅层可以在下氮化硅层周围（例如，围绕下氮化硅层）。

13、在一个或多个实施方式中，反射导电图案可以包括：第一反射层；以及第二反射层，在第一反射层上并且与第一电极接触。

14、在一个或多个实施方式中，第一电极可以包括：第1-1电极，直接在第二反射层上并且包括透明导电氧化物；以及第1-2电极，在第1-1电极上并且包括氮化钛。

15、在一个或多个实施方式中，第1-2电极的厚度可以在约10å至约20å的范围内。

16、根据本公开的一个或多个实施方式，显示装置可以包括：半导体电路基板，包括像素电路；反射导电图案（例如，反射导电性图案（reflective electrically conductivepattern）），在半导体电路基板上；发射元件，包括与反射导电图案接触的第一电极、在第一电极上的发射单元和在发射单元上的第二电极，发射元件在半导体电路基板上；像素限定层，在半导体电路基板上并且具有暴露第一电极的发射开口；以及外围发射单元，在像素限定层上。像素限定层可以包括：第1-1氮化硅层，直接在第一电极上；第1-2氮化硅层，在第1-1氮化硅层上；以及氧化硅层，直接在第1-2氮化硅层上。第1-2氮化硅层包括突起，该突起相较于第1-1氮化硅层，可以从发射开口更向内突出。氧化硅层限定尖端结构，该尖端结构相较于第1-1氮化硅层的突起，可以从发射开口更向内突出。外围发射单元可以直接在氧化硅层上并且通过尖端结构与发射单元电分离。

17、在一个或多个实施方式中，像素限定层还可以包括在第1-1氮化硅层和第1-2氮化硅层之间的下氧化硅层。

18、在一个或多个实施方式中，尖端结构可以具有底表面和倾斜表面。尖端结构的倾斜表面可以相对于尖端结构的底表面形成锐角。第1-1氮化硅层的突起的内侧表面与第一电极的顶表面之间的角度可以大于该锐角。

19、在一个或多个实施方式中，第1-1氮化硅层的突起可以提供台阶差。氧化硅层的部分可以在台阶差上。

20、在一个或多个实施方式中，发射单元和外围发射单元中的每一者可以包括：空穴注入层；空穴传输层，在空穴注入层上；发射层，在空穴传输层上；电子传输层，在发射层上；以及电子注入层，在电子传输层上。发射单元的空穴注入层和外围发射单元的空穴注入层可以通过尖端结构彼此隔开和/或分开（例如，间隔开或分离）。

21、在一个或多个实施方式中，显示装置还可以包括在反射导电图案和第一电极之间的层间介电层。第一电极可以与反射导电图案的侧表面接触。

22、根据本公开的一个或多个实施方式，电子装置可以包括：显示装置；电力模块，其向显示装置提供电力；以及处理器，连接到显示装置。

23、显示装置可以包括：半导体电路基板，包括像素电路；反射导电图案（例如，反射导电性图案），在半导体电路基板上；发射元件，包括与反射导电图案接触的第一电极、在第一电极上的发射单元和在发射单元上的第二电极，发射元件在半导体电路基板上；像素限定层，在半导体电路基板上并且具有暴露第一电极的发射开口；以及外围发射单元，在像素限定层上。像素限定层可以包括：氮化硅层，直接在第一电极上；以及氧化硅层，直接在氮化硅层上。氧化硅层限定尖端结构，该尖端结构相较于氮化硅层，可以从发射开口更向内突出。外围发射单元可以直接在氧化硅层上并且通过尖端结构与发射单元电分离。

24、在一个或多个实施方式中，氮化硅层的厚度可以在约50å至约100å的范围内。

1.显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，

13.显示装置，包括：

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

18.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：

19.电子装置，包括：

20.根据权利要求19所述的电子装置，其中，