存储器装置以及制造存储器装置的方法与流程

本公开的一些实施方式涉及存储器装置以及制造存储器装置的方法，并且更具体地，涉及包括具有三维结构的存储器块的存储器装置以及制造存储器装置的方法。

背景技术：

1、存储器装置可以包括非易失性存储器装置，其中所存储的数据即使在所供应的电力中断时也保持完整。非易失性存储器装置可以根据其存储器单元如何布置被分类为二维结构或三维结构。具有二维结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以布置在基板上的单层中，并且具有三维结构的非易失性存储器装置的存储器单元可以在竖直方向上层叠在基板上。具有三维结构的非易失性存储器装置的集成密度高于具有二维结构的非易失性存储器装置的集成密度。因此，使用具有三维结构的非易失性存储器装置的电子装置最近一直在增加。

2、具有三维结构的非易失性存储器装置包括在竖直方向上层叠的层。形成穿透层叠层的支撑结构以支撑层叠层。

技术实现思路

1、根据实施方式，一种存储器装置可以包括：层叠件，所述层叠件包括彼此交替层叠的导电层和层间绝缘层；单元插塞，所述单元插塞延伸穿过所述层叠件；接触件，所述接触件与所述导电层中的至少一个导电层电接触；间隔件，所述间隔件在所述接触件与所述层叠件之间；以及支撑结构，所述支撑结构延伸穿过所述层叠件。所述支撑结构包括第一部分和在所述第一部分下方的第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分大的宽度。所述第一部分和所述第二部分之间的界面位于与所述导电层和所述层间绝缘层之间的界面不同的水平处。

2、根据实施方式，一种制造存储器装置的方法可以包括以下步骤：形成包括彼此交替层叠的牺牲层和层间绝缘层的初始层叠件；穿过所述初始层叠件形成开口；在所述初始层叠件的通过所述开口暴露的侧表面上形成阻挡层；在所述阻挡层的一部分上形成覆盖层，使所述阻挡层的剩余部分暴露；通过去除所述阻挡层的暴露部分来形成暴露所述初始层叠件的所述侧表面的一部分的阻挡图案；通过蚀刻所述初始层叠件的所述侧表面的通过所述阻挡图案暴露的所述部分而相对于所述开口形成扩大开口；以及在所述扩大开口中形成支撑结构。

3、根据实施方式，一种存储器装置可以包括：层叠件，所述层叠件包括彼此交替层叠的导电层和层间绝缘层；接触件，所述接触件与所述导电层电接触；间隔件，所述间隔件在所述接触件与所述层叠件之间；以及第一支撑结构和第二支撑结构，所述第一支撑结构和所述第二支撑结构延伸穿过所述层叠件。所述第一支撑结构中的每一个第一支撑结构包括第一部分以及在所述第一部分下方的第二部分，所述第二部分具有大于所述第一部分的宽度。所述第二支撑结构中的每一个第二支撑结构的宽度是恒定的或从所述第二支撑结构的顶部向底部以线性锥形减小。

1.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二部分的上表面的一部分不与所述第一部分交叠。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二部分的上表面与所述第一部分的下表面接触并且与所述层间绝缘层中的至少一个层间绝缘层接触。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二部分的上表面与所述第一部分的下表面接触并且与所述导电层中的至少一个导电层接触。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第二部分的侧表面超过所述第一部分的侧表面横向延伸到所述层叠件中。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述支撑结构的侧表面包括沟槽。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述沟槽位于所述导电层中的至少一个导电层中或所述层间绝缘层中的至少一个层间绝缘层中。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，在第一水平处，所述第一部分的宽度大致等于所述单元插塞的宽度，并且

9.根据权利要求1所述的存储器装置，所述存储器装置还包括布置在所述层叠件下方的下部结构，

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述接触件在竖直方向上不与所述支撑结构交叠。

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述接触件在竖直方向上与所述第二部分交叠。

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述接触件在竖直方向上与所述第二部分交叠，并且

13.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述阻挡层的步骤包括：在所述初始层叠件的所述侧表面上和所述初始层叠件的上表面上形成所述阻挡层。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述覆盖层的步骤包括：将所述覆盖层形成为与所述阻挡层的上部分接触并且使所述阻挡层的下部分暴露。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述阻挡图案的步骤包括：通过去除所述阻挡层的所暴露的下部分来形成所述阻挡图案。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述扩大开口的步骤包括：选择性地扩大所述开口的下部分的宽度。

18.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述扩大开口的步骤包括：当蚀刻所述初始层叠件的所述侧表面的通过所述阻挡图案暴露的所述部分时去除所述覆盖层。

19.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述扩大开口之后去除所述阻挡图案。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述支撑结构的步骤包括：用绝缘材料填充所述扩大开口。

21.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述支撑结构之后，

22.一种存储器装置，所述存储器装置包括：

23.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，在第一水平处，所述第一部分的宽度大致等于所述第二支撑结构中的每一个第二支撑结构的宽度，并且

24.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述第一支撑结构中的每一个第一支撑结构的侧表面包括沟槽，并且

25.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述导电层包括第一导电层和在所述第一导电层上方的第二导电层，

26.根据权利要求25所述的存储器装置，其中，所述第一接触件的宽度大于所述第二接触件的宽度。

27.根据权利要求22所述的存储器装置，其中，所述接触件包括第一组和第二组，

28.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述第一组的所述接触件中的每一个接触件的高度与所述第一部分的高度之间的差小于阈值。

29.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述第一组的所述接触件中的每一个接触件的高度小于阈值，并且

30.根据权利要求27所述的存储器装置，其中，所述第一组的所述接触件中的每一个接触件的高度小于所述第一部分的高度。