发光装置及图像显示装置的制作方法

本公开涉及发光装置和包括发光装置的图像显示装置。

背景技术：

1、例如，专利文献1公开了一种发光装置，其中，一个或多个聚光结构设置在第二化合物半导体层的光输出表面上，并且电流限制结构设置在第一化合物半导体层或第二化合物半导体层上，从而改善光提取效率。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开号wo 2023/032300

技术实现思路

1、顺便提及，在微尺寸显示器中，期望提高外部量子效率。

2、期望提供一种能够提高外部量子效率的发光装置和图像显示装置。

3、根据本公开的实施方式的发光装置包括：第一导电类型层；第二导电类型层；设置在所述第一导电类型层与所述第二导电类型层之间的发光层；以及光学限制结构，所述光学限制结构形成在所述第一导电类型层、所述第二导电类型层或这两者中。

4、根据本公开的实施方式的图像显示装置包括上述根据本公开的实施方式的发光装置作为发光装置。

5、在根据本公开的实施方式的发光装置和根据本公开的实施方式的图像显示装置中，第一导电类型层、发光层和第二导电类型层按照这种顺序堆叠，并且在这种配置中，光学限制结构被设置在第一导电类型层、第二导电类型层或这两者中。这减少了光在与上述层的堆叠方向正交的面内方向上的扩散，而不阻碍从发光层输出的光的光路。

1.一种发光装置，包括：

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述光学限制结构贯穿所述第二导电类型层从所述第一表面到所述第二表面。

4.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述光学限制结构从所述第二导电类型层的所述第二表面向所述第一表面形成，并且在所述第二导电类型层中具有底部部分。

5.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，在平面图中，单独围绕所述一个或多个发光区域的所述光学限制结构具有被分割的部分。

7.根据权利要求5所述的发光装置，进一步包括：

8.根据权利要求7所述的发光装置，其中，为由所述光学限制结构单独包围的所述一个或多个发光区域中的每一个发光区域提供所述第二电极和所述开口。

9.根据权利要求7所述的发光装置，其中，

10.根据权利要求7所述的发光装置，其中，

11.根据权利要求5所述的发光装置，进一步包括：

12.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述第二导电类型层包括用于所述一个或多个发光区域中的每一个的聚光结构。

13.根据权利要求2所述的发光装置，其中，

14.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述光学限制结构形成在所述第一导电类型层中。

15.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置包括，作为所述光学限制结构，形成在所述第一导电类型层中的第一光学限制结构和形成在所述第二导电类型层中的第二光学限制结构。

16.根据权利要求15所述的发光装置，其中，所述第二光学限制结构的宽度小于所述第一光学限制结构的宽度。

17.根据权利要求16所述的发光装置，其中，所述光学限制结构包括杂质区域。

18.根据权利要求2所述的发光装置，进一步包括：

19.根据权利要求18所述的发光装置，其中，

20.一种图像显示装置，包括发光装置，所述发光装置包括：