集成晶片的制作方法

本技术涉及一种集成晶片。

背景技术：

1、许多现代电子装置包括影像感测器。影像感测器可为背侧照明感测器（backsideilluminated sensor）或前侧照明感测器（frontside illuminated sensor）。背侧照明感测器可增加感测器捕捉的光量，而前侧照明感测器可具有更佳的响应均匀性（responseuniformity）。在许多影像感测器中，深沟槽隔离（deep trench isolation，dti）结构用于在影像感测器的像素之间提供电性和/或光学隔离。

技术实现思路

1、本实用新型提供一种集成晶片，包括具有前侧和与前侧相对的背侧的第一半导体基板。光侦测器位于第一半导体基板中。背侧深沟槽隔离结构包括导电背侧隔离层和介电背侧隔离层，从背侧朝向前侧延伸进入第一半导体基板，并延伸于光侦测器和邻近光侦测器之间，以将光侦测器与邻近光侦测器隔离。介电背侧隔离层位于导电背侧隔离层和第一半导体基板之间。第一互连结构包括沿第一半导体基板前侧的第一多个导电互连。导电前侧深沟槽隔离结构从第一互连结构延伸到导电背侧隔离层，并将导电背侧隔离层耦合到第一互连结构。

2、本实用新型提供一种集成晶片，包括具有前侧和与前侧相对的背侧的第一半导体基板。光侦测器位于第一半导体基板中。第一介电结构包括沿第一半导体基板前侧的第一多个介电层。第一互连结构包括位于第一介电结构中的第一多个导电互连。导电前侧深沟槽隔离结构位于第一介电结构中，位于第一互连结构的第一导电互连上，并耦合到第一互连结构。背侧深沟槽隔离结构包括导电背侧隔离层和介电背侧隔离层，从背侧朝向前侧延伸进入第一半导体基板。介电背侧隔离层位于导电背侧隔离层和第一半导体基板之间。导电背侧隔离层的第一部分延伸于光侦测器和邻近光侦测器之间，以将光侦测器与邻近光侦测器隔离。导电背侧隔离层的第二部分在侧向上与光侦测器和邻近光侦测器间隔开。第二部分从背侧穿过第一半导体基板延伸到导电前侧深沟槽隔离结构，并耦合到导电前侧深沟槽隔离结构。

1.一种集成晶片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的集成晶片，其特征在于，偏压电路通过所述第一互连结构和所述导电前侧深沟槽隔离结构耦合至所述导电背侧隔离层。

3.如权利要求1所述的集成晶片，其特征在于，所述光侦测器位于主动像素区域中，其中所述导电前侧深沟槽隔离结构位于虚设像素区域中，所述虚设像素区域位于所述主动像素区域旁，其中所述背侧深沟槽隔离结构位于所述主动像素区域和所述虚设像素区域中，并且其中所述导电背侧隔离层在所述虚设像素区域中接触所述导电前侧深沟槽隔离结构。

4.如权利要求1所述的集成晶片，其特征在于，在所述光侦测器与所述邻近光侦测器之间，所述第一半导体基板直接延伸至所述背侧深沟槽隔离结构下方，并且其中在所述导电前侧深沟槽隔离结构正上方，所述背侧深沟槽隔离结构穿过所述第一半导体基板延伸至所述导电前侧深沟槽隔离结构的上表面。

5.如权利要求1所述的集成晶片，其特征在于，在所述光侦测器与所述邻近光侦测器之间，所述背侧深沟槽隔离结构穿过所述第一半导体基板延伸至介电层，所述介电层沿着所述第一半导体基板的所述前侧，并且其中在所述导电前侧深沟槽隔离结构正上方，所述背侧深沟槽隔离结构穿过所述第一半导体基板和所述介电层延伸至所述导电前侧深沟槽隔离结构的上表面。

6.如权利要求1所述的集成晶片，其特征在于，还包括：

7.一种集成晶片，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的集成晶片，其特征在于，还包括：

9.如权利要求8所述的集成晶片，其特征在于，还包括：

10.如权利要求7所述的集成晶片，其特征在于，所述导电前侧深沟槽隔离结构的顶表面位于所述第一半导体基板的所述前侧上方，并直接间隔在所述第一半导体基板下方。