电镀设备的制作方法

本申请属于半导体制造，特别涉及一种电镀设备。

背景技术：

1、在半导体电镀工艺中，电镀腔的流场均匀性是实现基板表面金属膜厚度一致性的关键因素。常规电镀腔的流场设计通常包含供液结构、整流板等核心组件。镀液通过供液结构进入腔体后，需经整流板均匀分配至基板表面，以确保电镀反应在基板各区域的速率趋近一致。

2、然而，现有技术中仍存在以下亟待解决的技术问题：

3、中心区域流场畸变：由于供液结构在中心区域与其他区域存在物理设计差异，导致镀液在基板中心处的流量分布显著偏离周边区域。这种流场不均匀性会引发基板中心膜厚异常，严重影响产品良率。

4、流场调节效率低下：现有技术普遍依赖整流板来调节流场分布。若需优化中心区域流场，必须重新设计并更换整块整流板。此方法不仅加工成本高昂，且因制造周期长而难以快速响应工艺参数调整需求，严重制约生产灵活性，同时也严重影响维保的效率。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术存在的缺陷，本申请的目的在于提供一种电镀设备。

2、一种电镀设备，包括：

3、整流板，所述整流板上开设有多个第一孔，所述整流板中心设有中心开口；以及

4、中心帽，所述中心帽上开设有多个第二孔，所述中心帽的中心与所述中心开口的中心重合。

5、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽设置于所述整流板的上方，或，所述中心帽设置于所述整流板的下方。

6、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心开口沿竖直方向的投影面积小于所述中心帽沿竖直方向的投影面积。

7、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽内嵌于所述中心开口内。

8、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽的上端面与所述整流板的上端面齐平。

9、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述中心帽侧壁与所述整流板中心开口侧壁螺纹连接。

10、根据本申请实施例的一种具体实现方式，还包括套筒，所述套筒的第一端固定于所述中心帽的下端面。

11、根据本申请实施例的一种具体实现方式，所述套筒的第二端与所述整流板的中心开口连接。

12、根据本申请实施例的一种具体实现方式，电镀设备还包括：

13、供液骨架，用于供应电镀液，所述供液骨架的中心具有通孔；

14、所述套筒的第二端与所述通孔连接，以使所述供液骨架通过所述套筒向所述中心帽的第二孔供应电镀液。

15、根据本申请实施例的一种具体实现方式，电镀设备还包括：

16、高度调节件，与所述中心帽固定连接，用于调整所述中心帽相对于所述整流板的相对高度。

17、本申请的电镀设备通过整流板的中心与中心帽的中心相重合设置，能够根据实际工艺需求灵活调整中心帽与整流板的配置方式，配置方式包括但不限于中心帽相对于整流板的装配位置以及中心帽上第二孔的排布设置，以达到流经整流板中心开口的电镀液流场符合电镀过程中基板中心区域的流场需求，进而向基板提供稳定而均匀地流场，使受镀基板上的镀膜均一性得到保障，确保电镀作业质量。

18、本电镀设备具有较强的适应性，同时，在进行电镀液流场适应性调整时只需要更换不同的中心帽，或者调整中心帽的装配位置即可实现目标，能够较大程度的节省制造成本和时间成本，有效助力电镀生产效率与质量的提升。

19、本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

1.一种电镀设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的电镀设备，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的电镀设备，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的电镀设备，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的电镀设备，其特征在于，

9.根据权利要求7所述的电镀设备，其特征在于，还包括：

10.根据权利要求1所述的电镀设备，其特征在于，还包括：