电解电容器的制作方法

摘要: 本公开涉及一种电解电容器。背景技术:1、作为形成电解电容器的固体电解质层的方法,以往提出了在电介质层的表面使单体聚合的方法。2、专利文献1公开了“一种固体电解电...
电解电容器的制作方法

本公开涉及一种电解电容器。

背景技术:

1、作为形成电解电容器的固体电解质层的方法,以往提出了在电介质层的表面使单体聚合的方法。

2、专利文献1公开了“一种固体电解电容器,其特征在于,在具有由选自钽、铌、铝的阀金属的多孔体构成的阳极和由这些阀金属的氧化皮膜构成的电介质层的电容器元件中,在有机磺酸的存在下聚合2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二氧杂环己烷和2-烷基-2,3-二氢-噻吩并[3,4-b][1,4]二氧杂环己烷的摩尔比为0.05:1~1:0.1的单体混合物,形成包含上述有机磺酸作为掺杂剂的导电性高分子的层,将上述导电性高分子作为固体电解质”。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本专利第5093915号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、目前,要求改善电解电容器的特性(例如,漏电流的降低、耐电压的改善等)可靠性。在这样的状况下,本公开的目的之一在于提供特性更高的电解电容器。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方面涉及电解电容器,其具备:

5、具有多孔部的阳极体;

6、形成于所述多孔部的至少一部分表面的电介质层;以及

7、覆盖所述电介质层的至少一部分的固体电解质层,

8、所述固体电解质层包含含有第一单体的单元的第一导电性高分子,

9、所述第一单体为选自由下式(i):

10、

11、所示的化合物组成的组中的至少1种。

12、在上述式(i)中,m为0~10的整数,x为o或s,r1为直链状或支链状的烷基。

13、发明的效果

14、根据本公开,能够得到特性高的电解电容器。

1.一种电解电容器,其具备:

2.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,m为1~5的整数,x为o,r1的碳原子数为1~10。

3.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,所述第一单体为选自由下式(ii):

4.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,所述第一单体是选自r1的碳原子数为1~6的烷氧基甲基-3,4-乙烯二氧噻吩的组中的至少1种。

5.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,所述第一导电性高分子还包含第二单体的单元,

6.根据权利要求5所述的电解电容器,其中,所述第一导电性高分子中所含的所述第一单体的单元(u1)与所述第二单体的单元(u2)的摩尔比(u1/u2)在0.01~100的范围内。

7.根据权利要求1所述的电解电容器,其中,所述固体电解质层包含第一固体电解质层和覆盖所述第一固体电解质层的至少一部分的第二固体电解质层,

8.根据权利要求7所述的电解电容器,其中,所述第一固体电解质层包含低分子掺杂剂。

9.根据权利要求8所述的电解电容器,其中,所述第一导电性高分子掺杂有机磺酸根阴离子作为所述低分子掺杂剂、且包含选自r1为碳原子数1~6的烷氧基甲基-3,4-乙烯二氧噻吩的组中的至少1种的单元。

10.根据权利要求7所述的电解电容器,其中,所述第一固体电解质层包含所述第一导电性高分子和含硅成分。

11.根据权利要求10所述的电解电容器,其中,所述含硅成分源自硅烷偶联剂。

12.根据权利要求7所述的电解电容器,其中,所述第二固体电解质层包含与所述第一导电性高分子不同的第二导电性高分子,

13.根据权利要求12所述的电解电容器,其中,所述第二固体电解质层包含高分子掺杂剂。

14.根据权利要求13所述的电解电容器,其中,所述第二导电性高分子包含掺杂有聚苯乙烯磺酸根阴离子作为所述高分子掺杂剂的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)。