切割系统的制作方法

本文涉及切割系统或者划片（dicing）装置。

背景技术：

1、在制造半导体成品的过程中，可以执行对中间生产的半导体元件的切割。

2、现有技术中，通过湿式切割进行对半导体元件的切割。具体为，安装在主轴上的刀片在高速旋转而切割加工材料时，会产生摩擦热，一旦产生摩擦热，则影响半导体元件以及刀片，因此，利用喷嘴供应21至23℃的水，消除材料的切割面以及刀片的摩擦热，以防止产生品质上的问题。

3、然而，如上所述供应水的湿式切割具有产生废水的问题。

4、成为本文的背景的技术公开在韩国授权专利第10-1955269号公报中。

技术实现思路

1、本文是为了解决如上所述现有技术的问题而提出的，其目的在于，提供一种可以防止因切割时产生的刀片和对象之间的摩擦热而对象及刀片被损坏，同时进行干式切割的切割系统。

2、然而，本文的实施例所要达成的技术课题不限于如上所述的技术课题，还可以存在其他的技术课题。

3、作为用于达成所述技术课题的技术手段，根据本文的一方面的一种切割系统，其为切割对象的切割系统，包括：工作台构造体，包括在上侧安放有对象并固定安放的对象的真空卡盘工作台；刀片部，用于切割安放在所述真空卡盘工作台上的对象；以及制冷构造体，在所述刀片部切割时，向所述对象的至少一部分或者所述刀片部的至少一部分喷射冷却气体，所述真空卡盘工作台包括上下形成的多个吸附口，所述多个吸附口中的一部分为孔形态且其他部分为狭槽形态，所述狭槽形态的吸附口在所述对象的待切割线的下侧沿着所述对象的待切割线的长度方向延长形成，所述工作台构造体还包括真空形成部来选择性地控制所述对象的位置固定功能和粉尘的集尘功能，所述真空形成部向所述孔形态的吸附口和所述狭槽形态的吸附口选择性地提供真空压力。

4、作为用于达成所述技术课题的技术手段，根据本文的一方面的切割系统，可以包括：工作台构造体，包括在上侧安放有对象并固定安放的对象的真空卡盘工作台；刀片部，用于切割安放在所述真空卡盘工作台上的对象；以及制冷构造体，在所述刀片部切割时，向所述对象的至少一部分或者所述刀片部的至少一部分喷射冷却气体，所述制冷构造体喷射冷却气体以冷却所述对象的进行切割的部分。

5、在根据本文的一实现例的切割系统中，所述制冷构造体可以包括：吸入部，用于吸入气体；冷却部，用于冷却所述吸入部吸入的气体；以及喷射部，用于喷射所述冷却部冷却的气体。

6、在根据本文的一实现例的切割系统中，还可以是所述真空卡盘工作台包括上下形成的多个吸附口，所述工作台构造体包括将所述吸附口形成为真空状态的真空形成部以使所述吸附口吸附对象。

7、在根据本文的一实现例的切割系统中，可以是所述多个吸附口中的一部分为孔形态，其他部分为狭槽形态，所述狭槽形态的吸附口在所述对象的待切割线的下侧沿着所述对象的待切割线的长度方向延长形成。

8、在根据本文的一实现例的切割系统中，所述对象可以为半导体元件。

9、上述课题解决手段仅属于示例，不应解释为限制本文的意图。除了上述示例性的实施例之外，在附图以及具体实施方式中可以存在进一步的实施例。

10、发明效果

11、根据上述本文的问题解决手段，在由刀片部进行切割时，可以向刀片部的与对象接触的部分或者对象的进行切割的部分（对象的与刀片部接触的部分）喷射冷却气体来进行切割，从而可以实现防止因摩擦热而导致的对象以及刀片部的损坏，而且可以进行不使用水的干式切割的切割系统。

12、另外，根据上述本文的课题解决手段，狭槽形态的吸附口在对象的待切割线的下侧沿着对象的待切割线的长度方向延长形成，从而在对对象进行切割时，可以在切割面下侧部分直接集尘，由此，可以快速消除切割时产生的粉尘而顺利进行切割。

1.一种切割系统，其为切割对象的切割系统，包括：

2.根据权利要求1所述的切割系统，其中，

3.根据权利要求1所述的切割系统，其中，

4.根据权利要求3所述的切割系统，其中，

5.根据权利要求1所述的切割系统，其中，

6.根据权利要求1所述的切割系统，其中，

7.根据权利要求1所述的切割系统，其中，

8.根据权利要求7所述的切割系统，其中，