半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，其具有彼此相反侧的第1主面和第2主面；第1主电极，其形成于所述第1主面，与所述半导体芯片电连接；第1控制电极焊盘，其形成于所述第1主面，第1绝缘膜隔在所述第1控制电极焊盘与所述半导体芯片之间；第2主电极，其形成于所述第2主面，与所述半导体芯片电连接；第2控制电极焊盘，其形成于所述第2主面，第2绝缘膜隔在所述第2控制电极焊盘与所述半导体芯片之间；第1导线，其键合到所述第1主电极；第2导线，其键合到所述第1控制电极焊盘；以及绝缘基板，其具有相互分离的第1金属图案以及第2金属图案，所述第2主电极和所述第2控制电极焊盘分别接合到所述第1金属图案以及所述第2金属图案，所述第1导线以及所述第2导线的键合部在俯视观察时与所述第2主电极或所述第2控制电极焊盘的接合部重叠，所述第1金属图案以及所述第2金属图案的厚度小于等于0.2mm。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第2主电极与所述第2控制电极焊盘的间隔小于等于0.5mm。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体芯片的所述第2主面的中央部形成所述第2控制电极焊盘，从所述第2主面的所述中央部朝向外周部形成不存在所述第2主电极的狭缝，所述第2金属图案在俯视观察时从所述半导体芯片的所述中央部经由所述狭缝而引出到所述半导体芯片的外侧。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体芯片的所述第2主面的中央部形成所述第2控制电极焊盘，从所述第2主面的所述中央部朝向外周部以覆盖所述第2主电极的一部分的方式形成绝缘膜，所述第2金属图案在俯视观察时从所述半导体芯片的所述中央部经由形成了所述绝缘膜的区域而引出到所述半导体芯片的外侧。5.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体芯片，其具有彼此相反侧的第1主面和第2主面；第1主电极，其形成于所述第1主面，与所述半导体芯片电连接；第1控制电极焊盘，其形成于所述第1主面，第1绝缘膜隔在所述第1控制电极焊盘与所述半导体芯片之间；第2主电极，其形成于所述第2主面，与所述半导体芯片电连接；第2控制电极焊盘，其形成于所述第2主面，第2绝缘膜隔在所述第2控制电极焊盘与所述半导体芯片之间；第1导线，其键合到所述第2主电极；第2导线，其键合到所述第2控制电极焊盘；以及
绝缘基板，其具有相互分离的第1金属图案以及第2金属图案，所述第1主电极和所述第1控制电极焊盘分别接合到所述第1金属图案以及所述第2金属图案，所述第1导线以及所述第2导线的键合部在俯视观察时与所述第1主电极或所述第1控制电极焊盘的接合部重叠，所述第1金属图案以及所述第2金属图案的厚度小于等于0.2mm。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还具备外周耐压保持构造，该外周耐压保持构造以围绕所述第1主电极和所述第1控制电极焊盘的方式形成于所述第1主面的外周区域，在与所述外周耐压保持构造相对的区域，使所述第1金属图案的厚度的一部分部分地变薄。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘基板具有第1绝缘层、在所述第1绝缘层之上形成的金属层、和在所述金属层之上形成的第2绝缘层，在所述第2绝缘层之上形成所述第1金属图案以及所述第2金属图案，在所述第2绝缘层形成开口，所述金属层经由所述开口而连接到所述第1金属图案或所述第2金属图案。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，具备：第3金属图案，其形成于所述第2绝缘层之上，与所述第1金属图案以及所述第2金属图案分离；以及过孔，其形成于所述第2绝缘层，将所述金属层和所述第3金属图案连接，所述金属层经由所述开口而连接到所述第2金属图案。9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其特征在于，所述开口在所述半导体芯片的正下方形成，所述金属层经由所述开口而连接到所述第1金属图案。10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第1绝缘层和所述第2绝缘层由相同材料构成。11.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第1绝缘层和所述第2绝缘层由不同材料构成。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第1绝缘层为陶瓷基板，所述第2绝缘层为玻璃环氧树脂基板或树脂片。13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片为igbt或rc-igbt。14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体芯片由宽带隙半导体形成。

技术总结
获得成品率高、容易制造的半导体装置。在半导体芯片(1)的第1主面形成有第1主电极(10)和第1控制电极焊盘(15)。在半导体芯片(1)的第2主面形成有第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)。第2主电极(29)和第2控制电极焊盘(31)分别接合到绝缘基板(36)的第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)。第1导线(42)以及第2导线(43)的键合部在俯视观察时与第2主电极(29)或第2控制电极焊盘(31)的接合部重叠。第1金属图案(39)以及第2金属图案(40)的厚度小于等于0.2mm。0.2mm。0.2mm。


技术研发人员：附田正则 西康一 曾根田真也 田中香次 境纪和 鹿野武敏
受保护的技术使用者：三菱电机株式会社
技术研发日：2022.12.08
技术公布日：2023/6/16