由单晶硅制成的半导体晶片及其生产方法与流程

技术特征：
1.由单晶硅制成的半导体晶片，所述半导体晶片具有根据新astm的不小于5.0x 10
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原子/cm3且不大于6.5x 10
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原子/cm3的氧浓度，根据新astm的不小于1x 10
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原子/cm3且不大于1.0x 10
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原子/cm3的氮浓度，其中所述半导体晶片的正面覆盖有由硅制成的外延层，其中在对该覆盖有外延层的晶片在780℃的温度下进行3小时时段的热处理并在600℃的温度下进行10小时时段的热处理之后，所述半导体晶片包含bmd，通过透射电子显微镜确定，所述bmd的平均尺寸不超过10nm，并且通过反应离子刻蚀确定，所述bmd在邻近所述外延层的区域中的平均密度不低于1.0x10
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cm-3
。2.根据权利要求1所述的晶片，其中所述半导体晶片具有至少95％的镍吸除效率。3.根据权利要求1和2任一项所述的晶片，其中bmd的平均密度在邻近所述外延层的区域中沿深度方向降低。4.根据权利要求1至3任一项所述的晶片，其中在与所述外延层和所述半导体晶片的正面之间的界面间隔不小于2μm且不大于7μm并且具有至少35μm深度的所述半导体晶片的区域中存在位错环。5.根据权利要求1-4任一项所述的晶片，其中所述氧浓度不小于5.7x10
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原子/cm3且不大于6.2x 10
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原子/cm3。6.生产由单晶硅制成的半导体晶片的方法，包括：在含有氢气的气氛中，根据cz法从包含氮的熔体中提拉单晶，该气氛中氢气的分压不小于5pa且不大于30pa，使得在具有均匀直径的单晶段中，氧浓度不小于5.0x10
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原子/cm3且不大于6.5x 10
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原子/cm3，氮浓度不小于1.0x 10
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原子/cm3且不大于1.0x 10
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原子/cm3；控制提拉速度v，使得所述具有均匀直径的段中的所述单晶在pv区域中生长；从所述具有均匀直径的单晶的段分离所述半导体晶片；以不低于0.5℃/min且不高于2℃/min的速率，将所述半导体晶片从不低于600℃的温度热处理至不高于900℃的目标温度；以不低于0.5℃/min且不高于2℃/min的速率，将所述半导体晶片从目标温度冷却至不高于600℃的温度；以及在经过热处理的半导体晶片的正面沉积硅的外延层，以形成外延半导体晶片。

技术总结
半导体晶片及其生产方法。半导体晶片由单晶硅制成，单晶硅具有根据新ASTM的不低于5.0x10


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：硅电子股份公司
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2023/2/24