一种测量气体流量和VOC浓度的传感器及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种测量气体流量和voc浓度的传感器，包括膜式流量传感器主体结构，其特征在于，还包括位于所述流量传感器主体结构上的电容结构以及覆盖在所述电容结构上的金属氧化物薄膜，所述流量传感器包括镂空的基板、位于基板上方的悬浮薄膜，设置在悬浮薄膜上的加热电阻和至少一组位于加热电阻外侧的测温电阻，所述加热电阻上方覆盖有绝缘薄膜，所述电容结构位于所述绝缘薄膜上方。2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述电容结构包括一对金属电极板，所述金属电极板位于所述加热电阻的上方并以垂直于加热电阻中心的垂直线为对称轴对称分布在加热电阻两侧。3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述金属电极板包含ti、pt、au、ni、ta、w元素中的一种或两种以上。4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，每组所述测温电阻不与所述加热电阻接触，每个组测温电阻以加热电阻的中心为对称中心对称分布在所述加热电阻外侧。5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述悬浮薄膜底部位于基板的镂空处，使所述悬浮薄膜与基板之间形成通道。6.根据权利要求1-5任一项所述的传感器，其特征在于，所述悬浮薄膜为氧化硅膜与氮化硅膜的复合薄膜，所述复合薄膜的厚度不超过20μm。7.根据权利要求1-5任一项所述的传感器，其特征在于，所述加热电阻的材质为ti、pt、w、ni、ta中的一种或两种以上；所述测温电阻的材质为pt、ni、cu中的一种或两种以上。8.根据权利要求1-5任一项所述的传感器，其特征在于，所述绝缘薄膜为sio2或者si3n4薄膜，或者为sio2与si3n4的复合膜，绝缘面膜的厚度为0.1-10μm。9.根据权利要求1-5任一项所述的传感器，其特征在于，所述金属氧化物薄膜为氧化锡薄膜、氧化钨薄膜、氧化锆薄膜、氧化钇薄膜中的一种或者两种以上薄膜的复合膜。10.一种如权利要求1-9任一项所述的传感器的制作方法，其特征在于，包括：选择单晶硅片作为基板，用清洗液清洗单晶硅片；在单晶硅片上生长复合薄膜，然后在复合薄膜背面的单晶硅表面中部进行刻蚀，形成中间镂空的基板，使复合薄膜在基板上形成悬浮膜；在上述复合薄膜上制作加热电阻和测温电阻；在加热电阻和测温电阻所在的复合薄膜上制作绝缘薄膜；在绝缘薄膜上制作电容电极形成电容结构；在电容结构上制备金属氧化物薄膜。

技术总结
本申请公开一种测量气体流量和VOC浓度的传感器，包括膜式流量传感器主体结构，还包括位于所述流量传感器主体结构上的电容结构以及覆盖在所述电容结构上的金属氧化物薄膜，所述流量传感器包括基板、位于基板的悬浮薄膜，设置在悬浮薄膜上的加热电阻和至少一组位于加热电阻外侧的测温电阻，所述加热电阻上方覆盖有绝缘薄膜，所述电容结构位于所述绝缘薄膜上方。本申请测量气体流量和VOC浓度的传感器，通过整体结构的设计将气体流量传感器和VOC浓度传感器集成一体，同时可以实现对测量气体流量和VOC气体浓度，实现集成化和小型化。实现集成化和小型化。实现集成化和小型化。


技术研发人员：张宾 程元红 陈新准 庄磊 朱瑞 肖钧尹 马鹏飞 郭林林
受保护的技术使用者：广州奥松电子股份有限公司
技术研发日：2022.11.24
技术公布日：2023/3/10