晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法与流程

技术特征：
1.一种设备，其包括：反熔丝，其能够配置为第一节点与第二节点之间的短路或能够配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路，所述反熔丝包括：选择晶体管，所述选择晶体管的源极或漏极电耦合到所述第一节点且所述选择晶体管的栅极被配置成接收选择电压；以及反熔丝晶体管，所述反熔丝晶体管的栅极电耦合到所述选择晶体管的所述源极或漏极中的另一个，所述反熔丝晶体管的源极或漏极电耦合到所述第二节点。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述反熔丝晶体管包括第一p沟道金属氧化物半导体晶体管。3.根据权利要求2所述的设备，其中当所述反熔丝晶体管处于累积模式时，所述反熔丝晶体管被配置成从被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路更改到被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的短路。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述反熔丝晶体管被配置成通过在所述第一节点处施加高电压、在所述第二节点处施加低电压以及在所述选择晶体管的所述栅极处施加所述选择电压来从被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路更改到被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的短路。5.根据权利要求4所述的设备，其中所述高电压比所述低电压高大体上2.5伏特与大体上10伏特之间。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极中的另一个电耦合到所述反熔丝晶体管的所述栅极。7.根据权利要求1所述的设备，其中所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极中的另一个电耦合到所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极。8.根据权利要求1到7中任一权利要求所述的设备，其中所述反熔丝晶体管包括第一鳍片场效应晶体管。9.一种对反熔丝进行编程的方法，其包括：在所述反熔丝的选择晶体管的源极或漏极处提供高电压；在所述选择晶体管的栅极处提供选择电压；以及在所述反熔丝的反熔丝晶体管的源极或漏极处提供低电压。10.根据权利要求9所述的方法，其中提供所述高电压和提供所述低电压包括提供比所述低电压高大体上2.5伏特与大体上10伏特之间的所述高电压。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述选择晶体管的所述源极或漏极中的另一个电耦合到所述反熔丝晶体管的栅极。12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括致使所述反熔丝晶体管的沟道区的电介质击穿。13.根据权利要求12所述的方法，其中致使所述反熔丝晶体管的所述沟道区的所述电介质击穿包括当所述反熔丝晶体管处于累积模式时致使所述反熔丝晶体管的所述沟道区的所述电介质击穿。14.根据权利要求9到13中任一权利要求所述的方法，其中所述反熔丝晶体管为鳍片场效应晶体管，并且所述反熔丝晶体管的沟道区在所述反熔丝晶体管的栅极的部分之间突
出。15.一种设备，其包括：选择电路；数个反熔丝，其布置在第一节点与第二节点之间，所述数个反熔丝中的每一个能够由所述选择电路选择，所述数个反熔丝中的每一个能够配置为所述第一节点与所述第二节点之间的短路或能够配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路，所述数个反熔丝中的每一个包括：选择晶体管，所述选择晶体管的源极或漏极电耦合到所述第一节点且所述选择晶体管的栅极电耦合到所述选择电路；以及反熔丝晶体管，所述反熔丝晶体管的栅极电耦合到所述选择晶体管的所述源极或漏极中的另一个，所述反熔丝晶体管的源极或漏极电耦合到所述第二节点。16.根据权利要求15所述的设备，其中所述数个反熔丝中的反熔丝被配置成响应于所述第一节点处的高电压、所述第二节点处的低电压以及经由所述选择电路选择的所述反熔丝而从被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路编程到被配置为所述第一节点与所述第二节点之间的短路。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述高电压比所述低电压高大体上2.5伏特与大体上10伏特之间。18.根据权利要求15到17中任一权利要求所述的设备，其进一步包括被配置成通过测量所述第一节点与所述第二节点之间的电压或电流以及使用所述选择电路选择反熔丝来确定所述数个反熔丝中的所述反熔丝的状态的电路。19.根据权利要求15所述的设备，其中所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极中的另一个电耦合到所述反熔丝晶体管的所述栅极。20.根据权利要求15所述的设备，其中所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极中的另一个电耦合到所述反熔丝晶体管的所述源极或漏极。

技术总结
公开了晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法。一种设备可包含可配置为第一节点与第二节点之间的短路或可配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路的反熔丝。所述反熔丝可包含选择晶体管和反熔丝晶体管。所述选择晶体管的源极或漏极可电耦合到所述第一节点。所述选择晶体管的栅极可被配置成接收选择电压。所述反熔丝晶体管的栅极可电耦合所述选择晶体管的所述源极或漏极中的另一个。所述反熔丝晶体管的源极或漏极可电耦合到所述第二节点。还公开了相关联装置、系统和方法。系统和方法。系统和方法。


技术研发人员：C
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.08.01
技术公布日：2023/3/10