显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本专利申请要求于2021年9月6日提交的第10-2021-0118398号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含在此。
技术领域
3.本公开的实施例涉及一种显示装置。更具体地，本公开的实施例涉及一种在其显示区域的一部分中具有增加的透射率的显示装置。


背景技术：

4.各种类型的显示装置用于提供图像。这种显示装置可以包括接收外部信号或向外部提供输出信号的电子模块。例如，电子模块可以是相机模块、传感器、音频模块等。


技术实现要素：

5.本公开的实施例提供一种在与电子模块重叠的显示区域中具有增加的透射率的显示装置。
6.本公开的实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括光阻挡图案，所述光阻挡图案与发光元件重叠并且不规则地布置在与所述电子模块重叠的显示区域中，这可以防止电子模块的光耀斑(light flare)。
7.本公开的实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括电子模块以及显示面板，所述显示面板包括与所述电子模块重叠的第一显示区域以及不与所述电子模块重叠的第二显示区域，并且包括基体层、设置在所述基体层上的发光元件层以及设置在所述基体层和所述发光元件层之间的光阻挡层。所述发光元件层包括设置在所述第一显示区域中的多个第一发光元件以及设置在所述第二显示区域中的多个第二发光元件，并且所述光阻挡层包括多个第一光阻挡图案，所述多个第一光阻挡图案设置在所述第一显示区域中并且分别与所述多个第一发光元件重叠。
8.在实施例中，所述光阻挡层还包括多个第二光阻挡图案，所述多个第二光阻挡图案设置在所述第二显示区域中并且分别与所述多个第二发光元件重叠。当在平面中观察时，所述多个第一光阻挡图案不规则地布置，并且当在平面中观察时，所述多个第二光阻挡图案规则地布置。
9.在实施例中，当在所述平面中观察时，所述多个第一光阻挡图案中的每一个不与所述多个第一发光元件之中的对应重叠的第一发光元件对准，并且当在所述平面中观察时，所述多个第二光阻挡图案中的每一个与所述多个第二发光元件之中的对应重叠的第二发光元件对准。
10.在实施例中，所述多个第一光阻挡图案之中的一个第一光阻挡图案的中心在第一方向上从对应重叠的第一发光元件的中心偏移第一距离，并且与所述一个第一光阻挡图案相邻的另一个第一光阻挡图案的中心在第二方向上从对应重叠的第一发光元件的中心偏
移第二距离。
11.在实施例中，当所述第一方向与所述第二方向相同时，所述第一距离与所述第二距离不同，并且当所述第一方向与所述第二方向不同时，所述第一距离与所述第二距离相同或不同。
12.在实施例中，当所述第一方向与所述第二方向相同并且所述第一距离与所述第二距离相同时，在平面中，所述一个第一光阻挡图案具有与所述另一个第一光阻挡图案的面积不同的面积。
13.在实施例中，当所述第一方向与所述第二方向相同并且所述第一距离与所述第二距离相同时，在平面中，所述一个第一光阻挡图案具有与所述另一个第一光阻挡图案的形状不同的形状。
14.在实施例中，所述显示面板还包括电路层，所述电路层在所述第二显示区域中设置在所述基体层和所述发光元件层之间，并且包括驱动所述第二发光元件的像素电路，所述电路层包括多个绝缘层，所述多个绝缘层包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，并且所述像素电路包括设置在所述第二显示区域中的所述第一绝缘层上的第一栅极和设置在所述第二显示区域中的所述第二绝缘层上的第二栅极。
15.在实施例中，所述第一光阻挡图案和所述第一栅极设置在相同的层上并且包括相同的材料。
16.在实施例中，所述第一光阻挡图案和所述第二栅极设置在相同的层上并且包括相同的材料。
17.在实施例中，所述显示面板包括限定在所述显示面板中并且与所述第一显示区域相邻的第三显示区域，并且所述显示面板还包括：设置在所述第三显示区域中的多个第三发光元件、设置在所述第二显示区域中并且驱动所述多个第一发光元件中的一个的第一像素电路以及设置在所述第三显示区域中并且驱动所述多个第三发光元件中的一个的第三像素电路。
18.在实施例中，所述显示面板还包括设置在所述第二显示区域中并且驱动所述多个第二发光元件中的一个的第二像素电路，并且所述第一显示区域具有比所述第二显示区域的透射率和所述第三显示区域的透射率高的透射率。
19.在实施例中，所述多个第一发光元件中的每一个包括：第一下电极，发光区域限定在所述第一下电极中；第一发光层，设置在所述第一下电极上；以及第一上电极，设置在所述第一发光层上，所述多个第一光阻挡图案中的每一个与所述第一下电极重叠，并且所述多个第一光阻挡图案中的每一个具有比所述第一下电极的面积大的面积。
20.在实施例中，在平面中，所述发光区域限定在所述多个第一发光元件的所述多个第一下电极中的每一个中，并且每一个发光区域限定在所述多个第一下电极中的每一个中的相同位置处。
21.在实施例中，所述光阻挡层设置在所述基体层上，所述显示面板还包括设置在所述光阻挡层和所述发光元件层之间的电路层，并且所述第二光阻挡图案被实现为后表面金属层，其可以保护设置在所述电路层中的像素电路。
22.本公开的实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括电子模块和显示面板，所述显示面板包括：第一显示区域，与所述电子模块重叠；和第二显示区域，不与所述电子模
块重叠，并且具有比所述第一显示区域的透射率大的透射率。所述显示面板包括基体层和发光元件层，所述发光元件层设置在所述基体层上，并且包括设置在所述第一显示区域中的多个第一发光元件和设置在所述第二显示区域中的多个第二发光元件。所述多个第一发光元件中的每一个包括第一下电极、第一发光层和第一上电极，并且所述多个第二发光元件中的每一个包括第二下电极、第二发光层和第二上电极。所述显示面板还包括：多个第一光阻挡图案，设置在所述第一显示区域中并且分别与所述第一下电极重叠；以及多个第二光阻挡图案，设置在所述第二显示区域中并且分别与所述第二下电极重叠。所述多个第一光阻挡图案中的每一个不与所述第一下电极对准，并且所述多个第二光阻挡图案中的每一个与所述第二下电极对准。
23.在实施例中，所述显示面板包括设置在所述基体层和所述发光元件层之间的电路层，所述电路层包括多个绝缘层，所述第一光阻挡图案和所述第二光阻挡图案设置在相同的层上，并且所述第一光阻挡图案和所述第二光阻挡图案设置在所述基体层上或所述多个绝缘层中的一个绝缘层上。
24.在实施例中，所述第一下电极包括发光区域，所述发光区域由覆盖所述第一下电极的一部分的像素限定图案限定在所述第一下电极中，并且在所述多个第一发光元件中的每一个中，所述发光区域的限定在所述第一下电极中的位置相同。
25.在实施例中，在平面中，所述多个第一光阻挡图案之中的一个第一光阻挡图案在第一方向上从对应重叠的第一下电极偏移第一距离，并且在所述平面中，所述多个第一光阻挡图案之中的另一个第一光阻挡图案在第二方向上从对应重叠的第一下电极偏移第二距离。
26.在实施例中，所述第一方向与所述第二方向不同，并且所述第一距离与所述第二距离相同或不同。
27.在实施例中，所述第一光阻挡图案和所述第二光阻挡图案包括相同的金属。
28.在实施例中，所述显示面板包括限定在所述显示面板中并且与所述第一显示区域相邻的第三显示区域，并且所述显示面板还包括：设置在所述第三显示区域中的第三发光元件、设置在所述第三显示区域中以驱动所述第一发光元件的第一像素电路以及设置在所述第三显示区域中以驱动所述第三发光元件的第三像素电路。
29.在实施例中，所述显示面板还包括电路层，所述电路层设置在所述第三显示区域中的所述基体层和所述发光元件层之间，并且包括所述第一像素电路和所述第三像素电路，所述电路层包括多个绝缘层，所述多个绝缘层包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层，并且所述第一像素电路和所述第三像素电路中的每一者包括设置在所述第一绝缘层上的第一栅极和设置在所述第二绝缘层上的第二栅极。
30.在实施例中，所述第一光阻挡图案设置在与其上设置所述第一栅极或所述第二栅极的层相同的层上，并且所述第一光阻挡图案与所述第一栅极或所述第二栅极包括相同的材料。
31.根据本公开的实施例，随着显示装置的显示区域的一部分中的透射率增加，提供至电子模块或从电子模块输出的信号的质量提高，并且因此，显示装置的可靠性提高。
32.根据本公开的实施例，仅通过改变光阻挡图案的布置而不改变发光元件中的电极和像素限定层的布置，可以防止导致显示装置中的电子模块的光散射的耀斑现象。
附图说明
33.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：
34.图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的透视图；
35.图2是示出根据本公开的实施例的显示装置的一些组件的分解透视图；
36.图3是示出根据本公开的实施例的显示模块的截面图；
37.图4是示出根据本公开的实施例的显示面板的平面图；
38.图5是示出根据本公开的实施例的显示面板的一部分的放大平面图；
39.图6是示出根据本公开的实施例的像素的等效电路图；
40.图7是示出根据本公开的实施例的显示面板的截面图；
41.图8是示出根据本公开的实施例的显示面板的截面图；
42.图9a和图9b是示出根据本公开的实施例的图7的显示面板的主显示区域的视图；
43.图10a和图10b是示出根据本公开的实施例的图8的显示面板的第一显示区域的视图；
44.图11是示出根据本公开的实施例的显示面板的截面图；
45.图12a和图12b是示出根据本公开的实施例的图11的显示面板的第一显示区域的视图；
46.图13是示出根据本公开的实施例的显示面板的截面图；
47.图14a和图14b是示出根据本公开的实施例的图13的显示面板的第一显示区域的视图；并且
48.图15至图17是示出根据本公开的实施例的显示面板的第一显示区域的视图。
具体实施方式
49.在下文中，将参照附图更充分地描述本公开的实施例。在整个附图中，同样的附图标记可以指代同样的元件。
50.将理解的是，当诸如膜、区、层或元件的组件被称为“在”另一个组件“上”、“连接到”另一个组件、“耦接到”另一个组件或与另一个组件“相邻”时，它可以直接在所述另一个组件上、直接连接到所述另一个组件、直接耦接到所述另一个组件或与所述另一个组件相邻，或者可以存在居间组件。还将理解的是，当组件被称为“在”两个组件“之间”时，它可以是在所述两个组件之间的唯一组件，或者也可以存在一个或多个居间组件。还将理解的是，当组件被称为“覆盖”另一个组件时，它可以是覆盖所述另一个组件的唯一组件，或者一个或多个居间组件也可以覆盖所述另一个组件。用于描述各组件之间关系的其他词语应以类似的方式进行解释。
51.将理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等用于本文中以将一个元件与另一个元件区分开，并且这些元件不受这些术语的限制。因此，在另一个实施例中，可以将实施例中的“第一”元件描述为“第二”元件。
52.如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种(者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指示。
53.为了便于描述，诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等空间相对术语可以用于本文中以描述图中所示的一个元件或特征与另一个(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”或“在
……
下面”可以涵盖在
……
上方和在
……
下方两种方位。
54.将理解的是，术语“包括”和/或“包含”当在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
55.在本文中，当两个或更多个元件或值被描述为彼此基本上相同或大约相等时，将理解的是这些元件或值彼此完全相同，这些元件或值在测量误差内彼此相等，或者如本领域普通技术人员将理解的，即使这些元件或值可目视地不相等，这些元件或值在值上也足够接近以在功能上彼此相同。例如，考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(例如，测量系统的局限性)，如本文中所使用的术语“大约”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在如由本领域普通技术人员所理解的一个或多个标准偏差内。此外，将理解的是，虽然参数在本文中可以描述为具有“大约”特定值，但是根据实施例，该参数可以确切是所述特定值或者在测量误差内大致是所述特定值，如本领域普通技术人员将理解的。这些术语和用于描述各组件之间关系的类似术语的其他用法应以类似的方式进行解释。
56.图1是示出根据本公开的实施例的显示装置1000的透视图。
57.参考图1，显示装置1000可以是响应于电信号而激活的装置。作为示例，显示装置1000可以是移动电话、平板计算机、监视器、电视机、汽车导航单元、游戏单元或可穿戴装置。然而，本公开的实施例不限于此。图1示出作为显示装置1000的代表性示例的移动电话。
58.显示装置1000可以通过显示区域1000a显示图像。显示区域1000a可以包括由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。显示区域1000a还可以包括从该平面的至少两侧弯折的弯曲表面。然而，显示区域1000a的形状不限于此。例如，根据实施例，显示区域1000a可以仅包括该平面，或者显示区域1000a还可以包括两个或更多个弯曲表面，例如，分别从该平面的四侧弯折的四个弯曲表面。
59.显示装置1000的显示区域1000a的一区域可以限定为感测区域1000sa。图1示出作为代表性示例的一个感测区域1000sa。然而，感测区域1000sa的数量不限于此。感测区域1000sa可以是显示区域1000a的一部分。因此，显示装置1000可以通过感测区域1000sa显示图像。
60.显示装置1000可以包括设置在与感测区域1000sa重叠的区域中的电子模块。电子模块可以通过感测区域1000sa接收从显示装置1000的外部提供给该电子模块的外部输入，或者可以通过感测区域1000sa输出信号。作为示例，电子模块可以是相机模块、测量物体和电子模块之间的距离的传感器(诸如接近度传感器、识别用户的身体的一部分(例如指纹、虹膜或面部)的传感器)、或者输出光的小灯。然而，电子模块不限于此。电子模块在本文中也可以称为输入/输出装置。
61.显示装置1000的厚度方向可以基本上平行于与第一方向dr1和第二方向dr2交叉
的第三方向dr3。显示装置1000的每一个构件的前(或上)表面和后(或下)表面可以相对于第三方向dr3彼此区分开。
62.图2是示出根据本公开的实施例的显示装置1000的一些组件的分解透视图。
63.参考图2，显示装置1000可以包括显示模块dm和电子模块cm。显示模块dm可以产生图像，并且可以感测从显示装置1000的外部施加到显示模块dm的外部输入。电子模块cm可以设置在显示模块dm下面。作为示例，电子模块cm可以是相机模块或红外传感器模块。在下文中，显示模块dm可以被称为第一电子模块，并且电子模块cm可以被称为第二电子模块。
64.显示模块dm可以包括限定在显示模块dm中的显示区域100a和周边区域100n。显示区域100a可以对应于图1中所示的显示区域1000a。显示模块dm的一区域可以具有比显示模块dm的其他区域的透射率高的透射率(也称为透光率)，并且可以限定为感测区域100sa。感测区域100sa可以是显示区域100a的一部分。显示模块dm的感测区域100sa可以对应于图1中所示的显示装置1000的感测区域1000sa。感测区域100sa可以显示图像，并且可以传输施加到电子模块cm的外部输入和/或来自电子模块cm的输出。
65.图3是示出根据本公开的实施例的显示模块dm的截面图。
66.参考图3，显示模块dm可以包括显示面板100、传感器层200和抗反射层300。
67.显示面板100可以具有基本上产生图像的配置。显示面板100可以是发光型显示面板。作为示例，显示面板100可以是有机发光显示面板、无机发光显示面板、量子点显示面板、微发光二极管(led)显示面板或纳米led显示面板。显示面板100可以被称为显示层。
68.显示面板100可以包括基体层110、电路层120、发光元件层130和封装层140。
69.基体层110可以是提供基体表面的构件，电路层120设置在该基体表面上。基体层110可以是刚性基底或可弯折、可折叠或可卷曲的柔性基底。基体层110可以是，例如玻璃基底、金属基底或聚合物基底。然而，基体层110不限于此。例如，根据实施例，基体层110可以是无机层、有机层或复合材料层。
70.基体层110可以具有多层结构。例如，基体层110可以包括第一合成树脂层、设置在第一合成树脂层上的氧化硅(sio
x
)层、设置在氧化硅层上的非晶硅(a-si)层和设置在非晶硅层上的第二合成树脂层。氧化硅层和非晶硅层可以被称为基体屏障层。
71.第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括聚酰亚胺基树脂。此外，第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每一者可以包括，例如丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和苝基树脂中的至少一种。在本公开中，本文中所使用的术语“x基树脂”是指包括x官能团的树脂。
72.电路层120可以设置在基体层110上。电路层120可以包括，例如绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆或沉积工艺形成在基体层110上。然后，绝缘层、半导体层和导电层可以通过若干光刻工艺被选择性地图案化。因此，可以形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线。
73.发光元件层130可以设置在电路层120上。发光元件层130可以包括发光元件。作为示例，发光元件层130可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微led或纳米led。
74.封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以保护发光元件层130免受
湿气、氧气和诸如灰尘颗粒的异物的影响。
75.传感器层200可以设置在显示面板100上。传感器层200可以感测从显示装置1000(参考图2)外部施加到传感器层200的外部输入。例如，外部输入可以是用户输入。用户输入可以包括各种外部输入，诸如以用户身体的一部分、光、热、笔或压力为例。
76.传感器层200可以通过连续工艺形成在显示面板100上。在这种情况下，传感器层200可以直接设置在显示面板100上。在本公开中，表述“传感器层200直接设置在显示面板100上”是指在传感器层200和显示面板100之间不存在居间元件。即，在实施例中，单独的粘合构件没有设置在传感器层200和显示面板100之间。根据实施例，传感器层200可以通过粘合构件耦接到显示面板100。粘合构件可以包括普通粘合剂。
77.抗反射层300可以设置在传感器层200上。抗反射层300可以降低相对于从显示装置1000的外部入射到显示模块dm的外部光的反射率。抗反射层300可以通过连续工艺形成在传感器层200上。抗反射层300可以包括多个滤色器。多个滤色器可以以预定布置方式布置。通过考虑从包括在显示面板100中的像素发射的光的颜色可以确定滤色器的布置。另外，抗反射层300还可以包括与滤色器相邻的黑矩阵。
78.抗反射层300可以包括延迟器和偏光器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏光器可以是膜型或液晶涂层型。膜型偏光器和膜型延迟器可以包括拉伸型合成树脂膜，并且液晶涂层型偏光器和膜型延迟器可以包括以预定对准方式对准的多个液晶。延迟器和偏光器可以被实现为一个偏光膜。抗反射层300还可以包括设置在偏光膜上方或下面的保护膜。
79.根据实施例，可以省略传感器层200。在这种情况下，抗反射层300可以设置在显示面板100上。作为示例，抗反射层300可以通过连续工艺直接设置在显示面板100上。
80.根据实施例，传感器层200和抗反射层300的位置可以彼此交换。作为示例，抗反射层300可以设置在显示面板100和传感器层200之间。
81.根据实施例，显示模块dm还可以包括设置在抗反射层300上的光学层。作为示例，光学层可以通过连续工艺形成在抗反射层300上。光学层可以控制从显示面板100入射的光的方向以增加显示模块dm的前面亮度。作为示例，光学层可以包括：有机绝缘层，多个开口穿过有机绝缘层以限定为分别与包括在显示面板100中的像素的多个发光区域对应；以及高折射率层，覆盖有机绝缘层并填充在开口中。高折射率层可以具有比有机绝缘层的折射率高的折射率。
82.图4是示出根据本公开的实施例的显示面板100的平面图。图5是示出根据本公开的实施例的显示面板100的一部分的放大平面图。图5是示出图4的区域aa'的放大平面图。
83.参考图4和图5，显示面板100(参考图3)可以包括显示区域dp-a和周边区域dp-na。周边区域dp-na可以限定为与显示区域dp-a相邻并且可以围绕显示区域dp-a的至少一部分。
84.显示区域dp-a可以包括第一显示区域dp-a1、第二显示区域dp-a2和主显示区域dp-a3。第一显示区域dp-a1可以称为组件区域，第二显示区域dp-a2可以称为中间区域或过渡区域，并且主显示区域dp-a3可以称为一般显示区域或第三显示区域dp-a3。第一显示区域dp-a1和第二显示区域dp-a2可以被称为辅助显示区域。
85.显示面板100可以包括多个像素px。多个像素px可以包括在第一显示区域dp-a1中
发射光的第一像素px1、在第二显示区域dp-a2中发射光的第二像素px2以及在主显示区域dp-a3中发射光的第三像素px3。
86.第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者可以提供为多个。在这种情况下，根据实施例，第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3中的每一者可以包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且还可以包括白色像素。
87.第一像素px1可以包括第一发光元件ld1和驱动第一发光元件ld1的第一像素电路pc1。第二像素px2可以包括第二发光元件ld2和驱动第二发光元件ld2的第二像素电路pc2，并且第三像素px3可以包括第三发光元件ld3和驱动第三发光元件ld3的第三像素电路pc3。图4中所示的第一像素px1、第二像素px2和第三像素px3的位置示出为分别与第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的位置对应。
88.第一显示区域dp-a1可以与图1中所示的感测区域1000sa重叠或对应。即，当在平面中观察时，第一显示区域dp-a1可以提供在与电子模块cm(参考图2)重叠的区域中。作为示例，外部输入(例如，光)可以经由第一显示区域dp-a1被提供给电子模块cm，并且来自电子模块cm的输出可以经由第一显示区域dp-a1离开显示装置1000(参考图2)。在实施例中，第一显示区域dp-a1被示为圆形形状。然而，第一显示区域dp-a1的形状不限于此。例如，根据实施例，第一显示区域dp-a1可以具有多种形状，诸如多边形形状、椭圆形形状、具有至少一个弯曲边的形状、或不规则形状。
89.提供在第一显示区域dp-a1中的像素的数量可以小于提供在主显示区域dp-a3中的像素的数量，以确保透射区域的尺寸。在第一显示区域dp-a1中没有设置第一发光元件ld1的区域可以限定为透射区域ta(参考图8)。作为示例，在第一显示区域dp-a1中没有设置第一发光元件ld1的下电极和围绕下电极的像素限定图案的区域可以限定为透射区域ta(参考图8)。
90.在第一显示区域dp-a1中每单位面积或相同面积设置的第一像素px1的数量可以小于在主显示区域dp-a3中每单位面积或相同面积设置的第三像素px3的数量。作为示例，第一显示区域dp-a1的分辨率可以是主显示区域dp-a3的分辨率的大约1/2、大约3/8、大约1/3、大约1/4、大约2/9、大约1/8、大约1/9或大约1/16。例如，主显示区域dp-a3的分辨率可以等于或大于大约400ppi，并且第一显示区域dp-a1的分辨率可以为大约200ppi或大约100ppi。然而，这仅仅是一个示例，并且本公开的实施例不限于此。
91.根据实施例，第一像素px1的第一像素电路pc1未设置在第一显示区域dp-a1中。作为示例，第一像素电路pc1可以设置在第二显示区域dp-a2或周边区域dp-na中。在这种情况下，与第一像素电路pc1设置在第一显示区域dp-a1中时相比，第一显示区域dp-a1的透光率可以增加更多。
92.第一发光元件ld1可以经由连接线twl电连接到第一像素电路pc1。连接线twl可以与第一显示区域dp-a1的透射区域重叠。连接线twl可以包括透明导线。透明导线可以包括透明导电材料或光透射材料。作为示例，连接线twl可以包括透明导电氧化物(tco)，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)等。
93.第二显示区域dp-a2可以限定为与第一显示区域dp-a1相邻。第二显示区域dp-a2可以围绕第一显示区域dp-a1的至少一部分。第二显示区域dp-a2可以具有比第一显示区域dp-a1的透射率低的透射率。在实施例中，第二显示区域dp-a2可以与周边区域dp-na间隔
开。然而，本公开的实施例不限于此。例如，根据实施例，第二显示区域dp-a2可以与周边区域dp-na接触(例如，直接接触)。
94.第一像素px1的第一像素电路pc1、第二发光元件ld2和第二像素电路pc2可以设置在第二显示区域dp-a2中。因此，第二显示区域dp-a2的透光率可以低于第一显示区域dp-a1的透光率。此外，由于第一像素px1的第一像素电路pc1设置在第二显示区域dp-a2中，所以在第二显示区域dp-a2中每单位面积或相同面积设置的第二像素px2的数量可以小于在主显示区域dp-a3中每单位面积或相同面积设置的第三像素px3的数量。显示在第二显示区域dp-a2中的图像的分辨率可以低于显示在主显示区域dp-a3中的图像的分辨率。
95.主显示区域dp-a3可以与第二显示区域dp-a2相邻。主显示区域dp-a3可以与第一显示区域dp-a1相邻。主显示区域dp-a3可以具有比第一显示区域dp-a1的透射率低的透射率。第三发光元件ld3和第三像素电路pc3可以设置在第三显示区域dp-a3中。
96.根据实施例，设置在最靠近主显示区域dp-a3的第一显示区域dp-a1中的第一发光元件ld1在特定方向上可以具有宽度较大的圆形形状，以确保与设置在主显示区域dp-a3中的第三发光元件ld3之间的距离。作为示例，在第一显示区域dp-a1在第二方向dr2上与主显示区域dp-a3相邻设置的情况下，第一发光元件ld1的在第一方向dr1上的宽度可以大于第一发光元件ld1的在第二方向dr2上的宽度。
97.第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的每一者可以提供为多个。多个第一发光元件ld1之中的彼此最靠近的两个第一发光元件ld1之间的距离可以大于多个第三发光元件ld3之中的彼此最靠近的两个第三发光元件ld3之间的距离。此外，多个第二发光元件ld2之中的彼此最靠近的两个第二发光元件ld2之间的距离可以大于多个第三发光元件ld3之中的彼此最靠近的两个第三发光元件ld3之间的距离。
98.图5中所示的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以具有分别与第一发光元件ld1的第一下电极ae1(参考图8)、第二发光元件ld2的第二下电极ae2(参考图8)以及第三发光元件ld3的第三下电极ae3(参考图7)的形状对应的形状。第一下电极ae1(参考图8)的面积可以大于第三下电极ae3(参考图7)的面积。
99.图6是示出根据本公开的实施例的像素px的等效电路图。
100.图6示出多个像素px之中的一个像素px的等效电路图。图6中所示的像素px可以是第一像素px1(参考图4)、第二像素px2(参考图4)或第三像素px3(参考图4)。像素px可以包括发光元件ld和像素电路pc。发光元件ld可以是包括在图3的发光元件层130中的组件，并且像素电路pc可以是包括在图3的电路层120中的组件。
101.像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7以及存储电容器cst。薄膜晶体管t1至t7和存储电容器cst可以电连接到信号线sl1、sl2、sl3、sln、el和dl(其中，n是正整数)、第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2(或称为阳极初始化电压线)和驱动电压线pl。根据实施例，至少一条线(例如，驱动电压线pl)可以被相邻像素px共享。
102.薄膜晶体管t1至t7可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7。
103.发光元件ld可以包括下电极(例如，阳极电极或像素电极)和上电极(例如，阴极电
极或公共电极)。发光元件ld的下电极可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到驱动薄膜晶体管t1以接收驱动电流i
ld
，并且上电极可以接收低电源电压elvss。发光元件ld可以产生具有与驱动电流i
ld
对应的亮度的光。
104.薄膜晶体管t1至t7中的一些薄膜晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)(nmos)，并且薄膜晶体管t1至t7中的其他薄膜晶体管可以是p沟道mosfet(pmos)。作为示例，薄膜晶体管t1至t7之中的补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4可以是n沟道mosfet(nmos)，并且薄膜晶体管t1至t7之中的其他薄膜晶体管可以是p沟道mosfet(pmos)。
105.根据实施例，在薄膜晶体管t1至t7之中，补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4和第二初始化薄膜晶体管t7可以是nmos，并且其他薄膜晶体管可以是pmos。根据实施例，在薄膜晶体管t1至t7之中，只有一个薄膜晶体管可以是nmos，并且其他薄膜晶体管可以是pmos。根据实施例，所有薄膜晶体管t1至t7可以是nmos或pmos。
106.信号线可以包括传输第一扫描信号sn的第一扫描线sl1、传输第二扫描信号sn'的第二扫描线sl2、将第三扫描信号si传输到第一初始化薄膜晶体管t4的第三扫描线sl3、将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线el、将下一个扫描信号sn 1传输到第二初始化薄膜晶体管t7的下一条扫描线sln、以及与第一扫描线sl1交叉并传输数据信号dm的数据线dl。第一扫描信号sn可以是当前扫描信号，并且下一个扫描信号sn 1可以是第一扫描信号sn的下一个扫描信号。
107.驱动电压线pl可以将驱动电压elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1，第一初始化电压线vl1可以传输初始化电压vint以初始化驱动薄膜晶体管t1，并且第二初始化电压线vl2可以传输阳极初始化电压aint以初始化像素电极。
108.驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极可以连接到存储电容器cst，驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区域可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区域可以经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到发光元件ld的像素电极。驱动薄膜晶体管t1可以响应于开关薄膜晶体管t2的开关操作而接收数据信号dm，并且可以将驱动电流i
ld
供应给发光元件ld。
109.开关薄膜晶体管t2的开关栅极电极可以连接到传输第一扫描信号sn的第一扫描线sl1，开关薄膜晶体管t2的开关源极区域可以连接到数据线dl，并且开关薄膜晶体管t2的开关漏极区域可以连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区域，且可以经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2可以响应于通过第一扫描线sl1施加到开关薄膜晶体管t2的第一扫描信号sn而导通，并且可以执行开关操作以将施加到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区域。
110.补偿薄膜晶体管t3的补偿栅极电极可以连接到第二扫描线sl2。补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极区域可以连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区域，并且可以经由发射控制薄膜晶体管t6连接到发光元件ld的像素电极。补偿薄膜晶体管t3的补偿源极区域可以连接到存储电容器cst的第一电极cst1和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极。此外，补偿薄膜晶体管t3的补偿源极区域可以连接到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极区域。
111.补偿薄膜晶体管t3可以响应于经由第二扫描线sl2施加到补偿薄膜晶体管t3的第二扫描信号sn'而导通，并且可以电连接驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极和驱动漏极区
域以允许驱动薄膜晶体管t1以二极管配置连接。
112.第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅极电极可以连接到第三扫描线sl3。第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源极区域可以连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极区域和第一初始化电压线vl1。第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极区域可以连接到存储电容器cst的第一电极cst1、补偿薄膜晶体管t3的补偿源极区域和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极。第一初始化薄膜晶体管t4可以响应于通过第三扫描线sl3施加到第一初始化薄膜晶体管t4的第三扫描信号si而导通，并且可以将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极以执行使驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极的电压初始化的初始化操作。
113.操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅极电极可以连接到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源极区域可以连接到驱动电压线pl，并且操作控制薄膜晶体管t5的操作控制漏极区域可以连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区域和开关薄膜晶体管t2的开关漏极区域。
114.发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅极电极可以连接到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源极区域可以连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区域和补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极区域，并且发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极区域可以连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏极区域和发光元件ld的像素电极。
115.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以响应于经由发射控制线el施加到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制信号en而基本上同时导通，并且驱动电压elvdd可以施加到发光元件ld以允许驱动电流i
ld
流过发光元件ld。
116.第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅极电极可以连接到下一条扫描线sln，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏极区域可以连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极区域和发光元件ld的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极区域可以连接到第二初始化电压线vl2以接收阳极初始化电压aint。第二初始化薄膜晶体管t7可以响应于经由下一条扫描线sln施加到第二初始化薄膜晶体管t7的下一个扫描信号sn 1而导通，以使发光元件ld的像素电极初始化。
117.根据实施例，第二初始化薄膜晶体管t7可以连接到发射控制线el，并且可以响应于发射控制信号en而被驱动。源极区域和漏极区域的位置可以依据薄膜晶体管的类型(例如，p型或n型)而彼此改变。
118.存储电容器cst可以包括第一电极cst1和第二电极cst2。存储电容器cst的第一电极cst1可以连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极，并且存储电容器cst的第二电极cst2可以连接到驱动电压线pl。存储电容器cst可以用与驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极的电压和驱动电压elvdd之间的差对应的电荷进行充电。
119.升压电容器cbs可以包括第一电极ce1'和第二电极ce2'。升压电容器cbs的第一电极ce1'可以连接到存储电容器cst的第一电极cst1，并且升压电容器cbs的第二电极ce2'可以接收第一扫描信号sn。升压电容器cbs可以在停止提供第一扫描信号sn的时间点对驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极的电压进行升压，并且因此，驱动栅极电极处的电压降可以被补偿。
120.下面描述根据实施例的每一个像素px的详细操作。
121.当在初始化时段期间经由第三扫描线sl3提供第三扫描信号si时，第一初始化薄膜晶体管t4可以响应于第三扫描信号si而导通，并且驱动薄膜晶体管t1可以被从第一初始化电压线vl1提供的初始化电压vint初始化。
122.当在数据编程时段期间经由第一扫描线sl1和第二扫描线sl2提供第一扫描信号sn和第二扫描信号sn'时，开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3可以分别响应于第一扫描信号sn和第二扫描信号sn'而导通。在这种情况下，驱动薄膜晶体管t1可以通过导通的补偿薄膜晶体管t3以二极管配置连接，并且可以被正向偏置。
123.然后，可以将补偿电压(dm vth)(vth是负(-)值)施加到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极，该补偿电压(dm vth)是通过从自数据线dl提供的数据信号dm中减去驱动薄膜晶体管t1的阈值电压(vth)而获得的。
124.驱动电压elvdd和补偿电压(dm vth)可以分别施加到存储电容器cst的两端，并且存储电容器cst可以用与存储电容器cst的两端之间的电压差对应的电荷进行充电。
125.在发光时段期间，操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6可以通过从发射控制线el提供的发射控制信号en导通。根据驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极的电压和驱动电压elvdd之间的差，可以产生驱动电流i
ld
，并且驱动电流i
ld
可以经由发射控制薄膜晶体管t6供应给发光元件ld。
126.根据实施例，薄膜晶体管t1至t7中的至少一个薄膜晶体管可以包括含有氧化物的半导体层，并且薄膜晶体管t1至t7中的其他薄膜晶体管可以包括含有硅的半导体层。
127.例如，直接影响显示装置的亮度的驱动薄膜晶体管t1可以包括含有具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此，可以实现具有高分辨率的显示装置。
128.由于氧化物半导体具有高载流子迁移率和低漏电流，因此，即使驱动时间长，电压降也不会大。即，即使当以低频率驱动像素px时，由于电压降引起的图像颜色的变化也不大，并且因此可以以低频率驱动像素px。
129.如上所述，由于氧化物半导体具有低漏电流，因此与驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极连接的补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4中的至少一者可以包括氧化物半导体。因此，可以防止漏电流流到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极，并且功耗可以降低。
130.图7是示出根据本公开的实施例的显示面板100的截面图。图8是示出根据本公开的实施例的显示面板100的截面图。图7是示出显示面板100的包括主显示区域dp-a3的部分的截面图，并且图8是示出显示面板100的包括第一显示区域dp-a1和第二显示区域dp-a2的部分的截面图。
131.参考图7和图8，显示面板100可以包括多个绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆或沉积工艺形成。然后，绝缘层、半导体层和导电层可以通过数个光刻工艺选择性地图案化。因此，可以形成包括在电路层120中的半导体图案、导电图案和信号线、以及发光元件层130。然后，可以形成封装层140以覆盖发光元件层130。
132.图7示出第三发光元件ld3和第三像素电路pc3(参考图5)的硅薄膜晶体管s-tft和氧化物薄膜晶体管o-tft。图8示出第一发光元件ld1、第一像素电路pc1、第二发光元件ld2和第二像素电路pc2。
133.缓冲层120br可以设置在基体层110上。缓冲层120br可以防止金属原子或杂质从基体层110扩散到第一半导体图案。此外，缓冲层120br可以控制结晶工艺期间的供热速率以形成第一半导体图案，使得可以均匀地形成第一半导体图案。
134.光阻挡层可以设置在基体层110和缓冲层120br之间。光阻挡层可以包括多个第一光阻挡图案lbl-1和多个第二光阻挡图案bml。第一光阻挡图案lbl-1可以设置在第一显示区域dp-a1中。第二光阻挡图案bml可以设置在第二显示区域dp-a2和第三显示区域dp-a3中。根据实施例，第二光阻挡图案bml可以设置在基体层110上，并且可以对应于与第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3重叠的后表面金属层bml，以保护第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3。后表面金属层bml可以阻挡外部光到达第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3。例如，后表面金属层bml可以防止由基体层110的极化现象引起的电位对第一像素电路pc1、第二像素电路pc2和第三像素电路pc3施加影响。后表面金属层bml可以包括，例如，钼(mo)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)、铜(cu)等。
135.包括在光阻挡层中的第一光阻挡图案lbl-1和第二光阻挡图案bml可以通过相同的工艺形成。即，设置在第一显示区域dp-a1中的第一光阻挡图案lbl-1可以与设置在第二显示区域dp-a2和第三显示区域dp-a3中的基体层110上的后表面金属层bml一起图案化。第一光阻挡图案lbl-1可以包括与后表面金属层bml的材料或金属相同的材料或金属。
136.第一半导体图案可以设置在缓冲层120br上。第一半导体图案可以包括硅半导体。作为示例，硅半导体可以包括非晶硅或多晶硅。例如，第一半导体图案可以包括低温多晶硅。
137.图7示出设置在缓冲层120br上的第一半导体图案的一部分。第一半导体图案还可以设置在其他区域中。第一半导体图案可以遍及像素以特定规则地布置。第一半导体图案可以依据它是否被掺杂或者它是否被掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂而具有不同的电特性。第一半导体图案可以包括具有相对高导电率的第一区和具有相对低导电率的第二区。第一区可以被掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括被掺杂有p型掺杂剂的区，并且n型晶体管可以包括被掺杂有n型掺杂剂的区。第二区可以是非掺杂区或以比第一区的浓度低的浓度进行掺杂的区。
138.第一区可以具有比第二区的导电率大的导电率，并且可以基本上用作电极或信号线。第二区可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。例如，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区域，半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且半导体图案的又一部分可以是连接电极或连接信号线。
139.硅薄膜晶体管s-tft的源极区域se1、有源区域ac1和漏极区域de1可以由第一半导体图案形成。在截面中，源极区域se1和漏极区域de1可以从有源区域ac1在彼此相反的方向上延伸。
140.第一绝缘层10可以设置在缓冲层120br上。第一绝缘层10可以公共地与多个像素重叠，并且可以覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括，诸如例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种的材料。在实施例中，第一绝缘层10可以具有氧化硅层的单层结构。不仅第一绝缘层10，而且下面描述的电路层120的绝缘层也可以是无
机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种。然而，无机层不限于此。
141.硅薄膜晶体管s-tft的栅极gt1可以设置在第一绝缘层10上。栅极gt1可以是金属图案的一部分。栅极gt1可以与有源区域ac1重叠。栅极gt1可以用作掺杂第一半导体图案的工艺中的掩模。栅极gt1可以包括，例如钛(ti)、银(ag)、包含银(ag)的合金、钼(mo)、包含钼(mo)的合金、铝(al)、包含铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等。
142.第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极gt1。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括，例如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在实施例中，第二绝缘层20可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。
143.第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层结构或多层结构。作为示例，第三绝缘层30可以具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。存储电容器cst(参考图6)的第二电极cst2(参考图6)可以设置在第二绝缘层20和第三绝缘层30之间。此外，存储电容器cst(参考图6)的第一电极cst1(参考图6)可以设置在第一绝缘层10和第二绝缘层20之间。
144.第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物薄膜晶体管o-tft的源极区域se2、有源区域ac2和漏极区域de2可以由第二半导体图案形成。在截面中，源极区域se2和漏极区域de2可以从有源区域ac2在彼此相反的方向上延伸。
145.第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以公共地与多个像素重叠，并且可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以包括，例如氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
146.氧化物薄膜晶体管o-tft的第二栅极gt2可以设置在第四绝缘层40上。第二栅极gt2可以是金属图案的一部分。第二栅极gt2可以与有源区域ac2重叠。第二栅极gt2可以在掺杂第二半导体图案的工艺中用作掩模。
147.第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上，并且可以覆盖第二栅极gt2。第五绝缘层50可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。
148.第一连接电极cne1可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极cne1可以经由穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50限定的接触孔连接到硅薄膜晶体管s-tft的漏极区域de1。
149.第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne2可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极cne2可以经由穿过第六绝缘层60限定的接触孔连接到第一连接电极cne1。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上，并且可以覆盖第二连接电极cne2。第八绝缘层80可以设置在第七绝缘层70上。
150.第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以是有机层。作为示例，第六绝缘层60、第七绝缘层70和第八绝缘层80中的每一者可以包括诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、
酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或它们的共混物。
151.包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的发光元件层130可以设置在电路层120上。第一发光元件ld1可以包括第一下电极ae1、第一发光层el1和第一上电极ce1，第二发光元件ld2可以包括第二下电极ae2、第二发光层el2和第二上电极ce2，并且第三发光元件ld3可以包括第三下电极ae3、第三发光层el3和第三上电极ce3。
152.第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3可以设置在第八绝缘层80上。第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3中的每一者可以是半透射电极或反射电极。根据实施例，第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3中的每一者可以包括由例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或它们的化合物形成的反射层、以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括，例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)和铝掺杂氧化锌(azo)中的至少一种。例如，第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3中的每一者可以包括ito/ag/ito的三层结构。第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3可以分别限定第一电极区域ana1、第二电极区域ana2和第三电极区域ana3。当在第三方向dr3上观察时，第一电极区域ana1、第二电极区域ana2和第三电极区域ana3可以与分别由第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3占据的区域对应。当在平面中观察时，第一电极区域ana1、第二电极区域ana2和第三电极区域ana3中的每一者可以具有比下文所述的第一发光区域la1、第二发光区域la2和第三发光区域la3中的每一者的尺寸大的尺寸。该平面可以是在第三方向dr3上观察的平面。
153.像素限定层pdl和像素限定图案pdp可以设置在第八绝缘层80上。像素限定层pdl和像素限定图案pdp可以包括相同的材料并且可以通过相同的工艺形成。像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以具有光吸收特性，例如，像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以具有黑色。像素限定层pdl和像素限定图案pdp中的每一者可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包括诸如以炭黑、铬或它们的氧化物为例的材料。
154.像素限定图案pdp可以设置在第一显示区域dp-a1中。像素限定图案pdp可以覆盖第一发光元件ld1的第一下电极ae1的一部分。作为示例，像素限定图案pdp可以覆盖第一下电极ae1的边缘。
155.像素限定图案pdp可以提供有开口pdp-op以暴露第一下电极ae1的一部分。其中通过开口pdp-op暴露第一下电极ae1的区域可以定义为第一发光区域la1。第一发光区域la1可以提供为多个，并且第一发光区域la1的数量可以对应于第一发光元件ld1的数量。
156.根据实施例，多个第一发光区域la1中的每一个可以限定在多个第一下电极ae1中的每一个中的相同位置处。作为示例，第一下电极ae1的被像素限定图案pdp覆盖的部分可以是多个第一发光元件ld1中的每一个上的相同部分。根据实施例，像素限定图案pdp可以以相同的面积覆盖多个第一下电极ae1中的每一个的两个边缘。
157.当在显示面板100的厚度方向上观察时，例如，当在第三方向dr3上观察时，像素限定图案pdp可以具有环形形状。然而，本公开的实施例不限于此。根据实施例，当在第三方向dr3上观察时，像素限定图案pdp可以具有，例如菱形形状或矩形形状。
158.像素限定层pdl可以设置在第二显示区域dp-a2和主显示区域dp-a3中。像素限定
层pdl可以覆盖第二下电极ae2和第三下电极ae3中的每一者的一部分。作为示例，像素限定层pdl可以提供有穿过像素限定层pdl而限定以暴露第二下电极ae2的一部分的第一开口pdl-op1以及穿过像素限定层pdl而限定以暴露第三下电极ae3的一部分的第二开口pdl-op2。
159.像素限定图案pdp可以增加第一下电极ae1的边缘和第一上电极ce1之间的距离，并且像素限定层pdl可以增加第二下电极ae2的边缘与第二上电极ce2之间的距离以及第三下电极ae3的边缘与第三上电极ce3之间的距离。因此，像素限定图案pdp和像素限定层pdl可以防止在第一下电极ae1、第二下电极ae2和第三下电极ae3中的每一者的边缘上出现电弧。
160.在第一显示区域dp-a1中，与其中设置第一下电极ae1和像素限定图案pdp的区域重叠的区域可以定义为元件区域da，并且其他区域可以定义为透射区域ta。
161.第一下电极ae1可以电连接到设置在第二显示区域dp-a2中的第一像素电路pc1。作为示例，第一下电极ae1可以经由连接电极cne1'、连接线twl和连接桥cpn电连接到第一像素电路pc1。在这种情况下，连接线twl可以与透射区域ta重叠。因此，连接线twl可以包括光透射材料。
162.连接线twl可以设置在第五绝缘层50和第六绝缘层60之间。然而，本公开的实施例不限于此。连接桥cpn可以设置在第六绝缘层60和第七绝缘层70之间。连接桥cpn可以连接到连接线twl和第一像素电路pc1。连接电极cne1'可以连接到第一下电极ae1和连接线twl。
163.第一发光层el1可以设置在第一下电极ae1上，第二发光层el2可以设置在第二下电极ae2上，并且第三发光层el3可以设置在第三下电极ae3上。在实施例中，第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3中的每一者可以发射具有蓝色、红色和绿色中的一者的光。
164.第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3可以分别设置在第一发光层el1、第二发光层el2和第三发光层el3上。第二上电极ce2和第三上电极ce3可以遍及多个像素px(参考图4)公共地设置。第二上电极ce2可以遍及多个第二像素px2(参考图4)公共地设置，并且第三上电极ce3可以遍及多个第三像素px3(参考图4)公共地设置。第二上电极ce2和第三上电极ce3可以使用开口掩模遍及多个第二像素px2和多个第三像素px3中的每一者公共地设置。
165.第一上电极ce1的一部分可以提供有多个电极开口ce1-op。多个电极开口ce1-op中的每一个可以限定在与透射区域ta重叠的部分中。由于第一上电极ce1的一部分从与透射区域ta重叠的部分中去除，因此可以增加透射区域ta的透光率。根据实施例，第一上电极ce1可以使用开口掩模遍及多个第一像素px1公共地形成，并且然后，可以去除第一上电极ce1的与透射区域ta重叠的部分。因此，可以限定电极开口ce1-op。
166.第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3中的每一者可以是光透射电极。根据实施例，第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3中的每一者可以是透明或半透明电极，并且可以由金属薄膜形成，该金属薄膜具有小功函数并且包括例如li、ca、lif、al、ag、mg或它们的化合物或者具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料。此外，诸如以氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟(in2o3)为例的透明导电氧化物(tco)可以进一步设置在该金属薄膜上。
167.根据实施例，包括有机材料的覆盖层可以设置在第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3上。覆盖层可以保护第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3，并且可以增加光提取效率。覆盖层可以包括具有比第一上电极ce1、第二上电极ce2和第三上电极ce3的折射率高的折射率的有机材料。根据实施例，覆盖层可以通过堆叠彼此具有不同的折射率的层来实现。例如，覆盖层可以通过堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层来获得。在这种情况下，高折射率层可以具有等于或大于大约1.7的折射率，并且低折射率层可以具有等于或小于大约1.3的折射率。覆盖层还可以包括lif。根据实施例，覆盖层还可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)等为例。
168.根据实施例，空穴控制层可以设置在第一下电极ae1和第一发光层el1之间、第二下电极ae2和第二发光层el2之间以及第三下电极ae3和第三发光层el3之间。空穴控制层可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子控制层可以设置在第一发光层el1和第一上电极ce1之间、第二发光层el2和第二上电极ce2之间以及第三发光层el3和第三上电极ce3之间。电子控制层可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。空穴控制层和电子控制层可以使用开口掩模遍及多个像素px(参考图4)公共地形成。
169.封装层140可以设置在发光元件层130上。封装层140可以包括顺序地堆叠的无机层141、有机层142和无机层143。然而，包括在封装层140中的层不限于此。
170.无机层141和143可以保护发光元件层130免受湿气和氧气的影响，并且有机层142可以保护发光元件层130免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机层141和143可以包括，例如氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层。有机层142可以包括，例如丙烯酸基有机层。然而，本公开的实施例不限于此。
171.根据实施例，在第一显示区域dp-a1中，第一光阻挡图案lbl-1可以设置为与第一发光元件ld1重叠。第一光阻挡图案lbl-1可以与作为第一下电极ae1的阳极重叠。多个第一光阻挡图案lbl-1可以分别设置在多个阳极下面。当在平面中观察时，多个第一光阻挡图案lbl-1可以不规则地布置。在本公开中，“不规则地布置”可以意味着多个第一光阻挡图案lbl-1以不同的间隔彼此间隔开。作为示例，多个第一光阻挡图案lbl-1之中的一个第一光阻挡图案lbl-1的中心可以在第一方向dr1或第二方向dr2上以不同的间隔与相邻于所述一个第一光阻挡图案lbl-1的第一光阻挡图案lbl-1的中心间隔开。
172.在第三显示区域dp-a3中，第二光阻挡图案bml可以设置为与第三像素电路pc3和第三发光元件ld3重叠。第二光阻挡图案bml可以与第三下电极ae3重叠。当在平面中观察时，多个第二光阻挡图案bml可以规则地布置。在本公开中，“规则地布置”可以意味着多个第二光阻挡图案bml以彼此规则的间隔彼此间隔开。作为示例，多个第二光阻挡图案bml之中的一个第二光阻挡图案bml的中心可以在第一方向dr1或第二方向dr2上以规则的间隔与相邻于所述一个第二光阻挡图案bml的第二光阻挡图案bml的中心间隔开。将参照图9a至图10b详细描述第一光阻挡图案lbl-1和第二光阻挡图案bml。
173.图9a和图9b是示出根据本公开的实施例的图7的显示面板100的主显示区域dp-a3的视图。图10a和图10b是示出根据本公开的实施例的图8的显示面板100的第一显示区域dp-a1的视图。
174.图9a是示出主显示区域dp-a3的平面图，并且图9b是示出主显示区域dp-a3的截面图。图9a示出显示面板的主显示区域dp-a3的一部分，并且图9b示出沿着图9a的线x-x'截取
的截面。
175.参考图9a和图9b，在主显示区域dp-a3中，第三发光区域la3可以限定在第三下电极ae3中。第三发光区域la3可以限定在第三下电极ae3中的特定位置处。即，多个第三发光区域la3中的每一个可以限定在多个第三下电极ae3中的每一个中的相同位置处。因此，当在平面中观察时，多个第三发光区域la3每一个的边缘和多个第三下电极ae3中的每一个的边缘之间的最短距离lt1对于所有第三发光区域la3和第三下电极ae3可以是相同的。
176.当在平面中观察时，多个第二光阻挡图案bml中的每一个的面积可以大于多个第三下电极ae3(在下文中称为阳极ae3)中的每一个的面积。即，当在第三方向dr3上观察时，所有阳极ae3可以设置在第二光阻挡图案bml内部。
177.根据实施例，在平面中，多个第二光阻挡图案bml可以分别与多个阳极ae3对准。即，多个第二光阻挡图案bml中的每一个的中心cp可以与多个阳极ae3之中的对应的阳极ae3的中心cp重叠。第二光阻挡图案bml可以设置成与阳极ae3对准，而不相对于阳极ae3在任一方向上偏移。即，多个第二光阻挡图案bml之间的分隔距离可以彼此相同。
178.图9a示出作为代表性示例的设置在主显示区域dp-a3中并且彼此相邻的四个阳极ae3以及分别对应于四个阳极ae3的四个第二光阻挡图案bml。设置在主显示区域dp-a3中的所有阳极ae3和与阳极ae3对应的第二光阻挡图案bml可以以均匀的间隔与相邻于其的其他阳极ae3和其他对应的第二光阻挡图案bml间隔开。此外，多个阳极ae3中的每一个的中心cp可以与多个第二光阻挡图案bml之中的对应的第二光阻挡图案bml的中心重叠。
179.如图9b中所示，第三像素电路pc3可以设置在第三发光元件ld3下面，并且第二光阻挡图案bml可以设置在第三像素电路pc3下面。根据实施例，多个第二光阻挡图案bml可以以规则的间隔彼此间隔开。
180.图10a是示出根据本公开的实施例的第一显示区域dp-a1的平面图，并且图10b是示出根据本公开的实施例的第一显示区域dp-a1(参考图10a)的截面图。图10a示出显示面板的第一显示区域dp-a1的一部分，并且图10b示出沿着图10a的线y-y'截取的截面。
181.参考图10a和图10b，在第一显示区域dp-a1中，第一发光区域la1可以限定在第一下电极ae1中。第一发光区域la1可以限定在第一下电极ae1中的特定位置处。即，多个第一发光区域la1中的每一个可以限定在多个第一下电极ae1中的每一个中的相同位置处。因此，当在平面中观察时，多个第一发光区域la1中的每一个的边缘和多个第一下电极ae1中的每一个的边缘之间的最短距离lt1对于所有第一发光区域la1和第一下电极ae1可以是相同的。
182.根据实施例，当在平面中观察时，第一下电极ae1(在下文中称为阳极ae1)不与第一光阻挡图案lbl-1对准。根据实施例，当在平面中观察时，多个阳极ae1可以彼此以规则的间隔规则地布置。然而，当在平面中观察时，多个第一光阻挡图案lbl-1可以彼此以不规则的间隔不规则地布置。在平面中，多个第一光阻挡图案lbl-1中的每一个的面积可以大于多个阳极ae1中的每一个的面积。当在平面中观察时，多个阳极ae1中的每一个可以设置在多个第一光阻挡图案lbl-1之中的对应的第一光阻挡图案lbl-1的内部。
183.根据实施例，多个第一光阻挡图案lbl-1中的每一个的中心lbl-1cp不与多个阳极ae1中的对应的阳极ae1的中心ae1cp对准。即，第一光阻挡图案lbl-1的中心lbl-1cp可以与阳极ae1的中心ae1cp以预定的距离dt1或dt1-1间隔开。其中第一光阻挡图案lbl-1的中心
lbl-1cp与阳极ae1的中心ae1cp以预定的距离dt1或dt1-1间隔开的结构可以表明：在平面中，第一光阻挡图案lbl-1从多个阳极ae1之中的对应的阳极ae1在一个方向上偏移预定的距离dt1或dt1-1。即，根据实施例，当在平面中观察时，第一光阻挡图案lbl-1和对应于第一光阻挡图案lbl-1的阳极ae1彼此不对准。
184.图10a示出彼此相邻的四个阳极ae1以及彼此相邻且分别对应于阳极ae1的四个第一光阻挡图案lbl-1。图10a中的彼此相邻的四个阳极ae1和彼此相邻的四个第一光阻挡图案lbl-1之间的关系可以应用于彼此相邻的五个或更多个阳极ae1和彼此相邻的五个或更多个第一光阻挡图案lbl-1。
185.第一显示区域dp-a1中的彼此相邻的四个阳极ae1可以以规则的间隔彼此间隔开，正如主显示区域dp-a3(参考图9a)中的彼此相邻的四个阳极ae3(参考图9a)以规则的间隔彼此间隔开。
186.参考图10a，第一个第一光阻挡图案lbl-1可以在第一方向dr1上从对应的阳极ae1偏移第一距离dt1，并且第二个第一光阻挡图案lbl-1可以在与第一方向dr1相反的方向上从对应的阳极ae1偏移第一距离dt1。第一个第一光阻挡图案lbl-1和第二个第一光阻挡图案lbl-1可以具有相同的偏移距离，但具有不同的偏移方向。
187.第三个第一光阻挡图案lbl-1可以在第二方向dr2上从对应的阳极ae1偏移第一距离dt1。第四个第一光阻挡图案lbl-1可以在第二方向dr2上从对应的阳极ae1偏移第二距离dt1-1。即，第三个第一光阻挡图案lbl-1和第四个第一光阻挡图案lbl-1可以具有相同的偏移方向，但具有不同的偏移距离。
188.在实施例中，设置在第一显示区域dp-a1中的多个第一光阻挡图案lbl-a1可以在彼此不同的方向上从对应的阳极ae1偏移或者可以从对应的阳极ae1彼此偏移不同的距离。根据实施例，彼此相邻的第一光阻挡图案lbl-a1可以具有不同的偏移方向和不同的偏移距离。图10a中所示的四个第一光阻挡图案lbl-1在平面中可以具有基本上相同的面积和相同的形状。第一光阻挡图案lbl-1的面积和形状将在后面参照图15至图17进行描述。
189.参考图10b，在第一显示区域dp-a1中，透射区域ta可以限定在彼此相邻的第一光阻挡图案lbl-1之间。阳极ae1和第一光阻挡图案lbl-1均未设置在透射区域ta中。
190.图11是示出根据本公开的实施例的显示面板100的截面图。图12a和图12b是示出根据本公开的实施例的图11的显示面板100的第一显示区域dp-a1的视图。
191.参考图11，在第一显示区域dp-a1中，第一光阻挡图案lbl-2可以设置在电路层120的第一绝缘层10上。在实施例中，可以省略第二光阻挡图案bml。
192.第一光阻挡图案lbl-2可以与主显示区域dp-a3(参考图7)和第二显示区域dp-a2中的第一栅极gt1设置在相同的层上。第一光阻挡图案lbl-2可以包括与第一栅极gt1的金属或材料相同的金属或材料。第一光阻挡图案lbl-2可以包括，例如钛(ti)、银(ag)、包含银(ag)的合金、钼(mo)、包含钼(mo)的合金、铝(al)、包含铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等。即，第一光阻挡图案lbl-2可以与第一栅极gt1通过相同的工艺形成。
193.图12a是示出根据本公开的实施例的显示面板的第一显示区域dp-a1的一部分的平面图，并且图12b是根据本公开的实施例的沿着图12a的线z-z'线截取的截面图。
194.参考图12a和图12b，与第一下电极ae1(在下文中称为阳极ae1)重叠的第一光阻挡
图案lbl-2可以设置在第一绝缘层10上，第一绝缘层10可以是与其上设置第一栅极gt1的层相同的层。多个第一光阻挡图案lbl-2中的每一个的中心lbl-2cp不与多个阳极ae1中的对应的阳极ae1的中心ae1cp对准。参照图12a和图12b，省略与先前参照图10a和图10b描述的那些方面类似的方面的进一步描述。
195.图13是示出根据本公开的实施例的显示面板100的截面图。图14a和图14b是示出根据本公开的实施例的图13的显示面板100的第一显示区域dp-a1的视图。
196.参考图13，在第一显示区域dp-a1中，第一光阻挡图案lbl-3可以设置在电路层120的第二绝缘层20上。在实施例中，可以省略第二光阻挡图案bml。
197.第一光阻挡图案lbl-3可以与主显示区域dp-a3(参考图7)和第二显示区域dp-a2中的第二栅极gt2设置在相同的层上。图13示出其中第一光阻挡图案lbl-3和第二栅极gt2设置在相同的第二绝缘层20上的结构。根据实施例，第一光阻挡图案lbl-3可以设置在第四绝缘层40上，第四绝缘层40是与主显示区域dp-a3中的其上设置第二栅极gt2的层相同的层。
198.第一光阻挡图案lbl-3可以包括与第二栅极gt2的金属或材料相同的金属或材料。第一光阻挡图案lbl-3可以包括，例如钛(ti)、银(ag)、包含银(ag)的合金、钼(mo)、包含钼(mo)的合金、铝(al)、包含铝(al)的合金、氮化铝(aln)、钨(w)、氮化钨(wn)、铜(cu)、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)等。即，第一光阻挡图案lbl-3可以与第二栅极gt2通过相同的工艺形成。
199.图14a是示出根据本公开的实施例的显示面板100(参考图13)的第一显示区域dp-a1的一部分的平面图，并且图14b是根据本公开的实施例的沿着图14a的线w-w'截取的截面图。
200.参考图14a和图14b，与第一下电极ae1(在下文中称为阳极ae1)重叠的第一光阻挡图案lbl-3可以设置在第二绝缘层20或第四绝缘层40上，第二绝缘层20或第四绝缘层40是与其上设置第二栅极gt2的层相同的层。多个第一光阻挡图案lbl-3中的每一个的中心lbl-3cp不与多个阳极ae1中的对应的阳极ae1的中心ae1cp对准。参考图14a和图14b，省略与先前参照图10a和图10b描述的那些方面类似的方面的进一步描述。
201.图15至图17是示出根据本公开的实施例的显示面板的第一显示区域dp-a1的视图。
202.图15示出具有不同面积的多个第一光阻挡图案lbl。图16示出具有除圆形形状以外的形状的多个第一光阻挡图案lbl。图17示出具有不同尺寸和不同形状的多个第一光阻挡图案lbl。
203.参考图15至图17，根据本公开的各种实施例，第一光阻挡图案lbl可以包括图8的第一光阻挡图案lbl-1、图11的第一光阻挡图案lbl-2和图13的第一光阻挡图案lbl-3。即，第一光阻挡图案lbl可以设置在基体层110、第一绝缘层10、第二绝缘层20或第四绝缘层40上。多个第一光阻挡图案lbl中的每一个的中心lblcp不与多个阳极ae1中的对应的阳极ae1的中心ae1cp对准。
204.参考图15，在平面中，从对应的第一下电极ae1(在下文中称为阳极ae1)在相同的方向上偏移相同的偏移距离的第一光阻挡图案lbl可以具有彼此不同的面积。
205.作为示例，在第一方向dr1上彼此相邻的第一个第一光阻挡图案lbl和第二个第一
光阻挡图案lbl可以在第一方向dr1上偏移相同的偏移距离，例如，第一距离dt1。然而，根据实施例，第一个第一光阻挡图案lbl可以具有比第二个第一光阻挡图案lbl的面积小的面积。
206.即，第二个第一光阻挡图案lbl可以具有比第一个第一光阻挡图案lbl的半径dt2大的半径dt3。
207.在第一方向dr1上彼此相邻的第三个第一光阻挡图案lbl和第四个第一光阻挡图案lbl可以具有彼此不同的面积。第三个第一光阻挡图案lbl可以具有比第四个第一光阻挡图案lbl的半径dt4大的半径dt2。
208.此外，在第二方向dr2上彼此相邻的第一个第一光阻挡图案lbl和第三个第一光阻挡图案lbl可以具有彼此相同的面积，但可以在彼此相反的方向上偏移。在第二方向dr2上彼此相邻的第二个第一光阻挡图案lbl和第四个第一光阻挡图案lbl可以在彼此相反的方向上偏移，并且可以具有不同的面积。
209.第一个第一光阻挡图案lbl和第四个第一光阻挡图案lbl可以偏移相同的距离，例如第一距离dt1，但是可以在彼此相反的方向上偏移并且可以具有彼此不同的面积。第二个第一光阻挡图案lbl和第三个第一光阻挡图案lbl可以偏移相同的距离，例如第一距离dt1，但是可以在彼此相反的方向上偏移并且可以具有彼此不同的面积。
210.即，根据实施例，多个第一光阻挡图案lbl可以在第一显示区域dp-a1中具有不同的面积，或者当多个第一光阻挡图案lbl具有相同的面积时，多个第一光阻挡图案lbl可以相对于对应的阳极ae1在不同的方向上偏移，或者可以偏移不同的距离。
211.参考图16，第一光阻挡图案lbl可以具有在第一方向dr1、第二方向dr2或相对于第一方向dr1和第二方向dr2的对角线方向上伸长的类椭圆形形状或椭圆形形状。即，第一光阻挡图案lbl的形状不局限于圆形形状，并且可以具有各种不同的形状。类似于参照图15描述的第一光阻挡图案lbl，如图16中所示，彼此相邻的第一光阻挡图案lbl可以具有相同的形状，但是可以相对于对应的阳极ae1在不同的方向上偏移，和/或可以偏移彼此不同的距离。
212.图17示出在第一显示区域dp-a1中的包括在彼此相邻的四个第一发光元件ld1(参考图8)中的第一下电极ae1以及与第一下电极ae1重叠的第一光阻挡图案lbl。
213.参考图17，第一个第一光阻挡图案lbl和第二个第一光阻挡图案lbl可以在第一方向dr1上偏移并且可以偏移相同的移动距离，例如第一距离dt1。在当在平面中观察时第一个第一光阻挡图案lbl和第二个第一光阻挡图案lbl具有基本相同的面积的情况下，第一个第一光阻挡图案lbl和第二个第一光阻挡图案lbl可以具有不同的形状。即，第一个第一光阻挡图案lbl可以具有圆形形状，并且第二个第一光阻挡图案lbl可以具有在第一方向dr1上伸长的椭圆形形状。
214.根据实施例，第一光阻挡图案lbl可以在第一方向dr1和第二方向dr2之间的对角线方向上偏移。第三个第一光阻挡图案lbl和第四个第一光阻挡图案lbl可以在对角线方向上偏移相同的偏移距离。第三个第一光阻挡图案lbl和第四个第一光阻挡图案lbl可以具有彼此不同的尺寸。在图17中，彼此相邻的四个第一光阻挡图案lbl可以在偏移方向、偏移距离、尺寸和形状中的至少一者上不同。
215.根据本公开的实施例，在其中设置电子模块的区域中保持高显示质量的同时，可
以提高电子模块的灵敏度。
216.尽管已经参照本公开的实施例特别示出和描述了本公开，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。