像素驱动电路、时序控制方法和显示面板与流程

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、时序控制方法和显示面板。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)等发光器件因为具备轻薄、节能、色域广、对比度高等特性，而被越来越广泛地应用于电视、手机等产品中。
3.其中，oled是电流驱动器件，在工作时通过oled驱动电路提供驱动电流，当有电流流经oled时，oled发光，且发光亮度由流经oled的电流决定。
4.oled等发光器件在应用过程中材料会逐渐老化，导致发光器件的驱动电流变化，从而影响显示面板的画质，因此，如何延缓oled等发光器件的老化是本领域人员需要解决的一个技术问题。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术提供一种像素驱动电路、时序控制方法和显示面板，用以延缓像素驱动电路中发光器件的老化。
6.为了实现上述目的，第一方面，本技术实施例提供一种像素驱动电路，包括：数据输入电路、储能电路、复位电路、发光控制电路、第一开关电路和第二开关电路；
7.所述数据输入电路与所述发光控制电路的控制端电连接，用于在复位阶段、补偿阶段和写入阶段向所述发光控制电路的控制端输出数据电压；
8.所述储能电路的一端与所述发光控制电路的控制端电连接，所述储能电路的另一端与所述发光控制电路的输出端电连接，所述储能电路用于储存电能；
9.所述复位电路的输入端与复位信号线的输出端电连接，所述复位电路的输出端与所述发光控制电路的输出端电连接，所述复位电路用于在复位阶段向所述发光控制电路的输出端输出复位电压；
10.所述发光控制电路用于在发光阶段向第一发光器件或第二发光器件输出驱动电流，所述发光控制电路的输入端与第一电源电连接，所述发光控制电路的输出端通过所述第一开关电路与所述第一发光器件的阳极电连接，通过所述第二开关电路与所述第二发光器件的阳极电连接；所述第一发光器件的阴极和所述第二发光器件的阴极均与第二电源电连接；所述第一开关电路和所述第二开关电路在复位阶段、补偿阶段和写入阶段关断，在不同的发光阶段交替导通。
11.作为本技术实施例一种可选的实施方式，在每个交替导通周期中，所述第一开关电路的导通帧数和所述第二开关电路的导通帧数均为n帧，n为正整数。
12.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第一开关电路包括第一开关管和第一扫描线，所述第一开关管的第一极与所述发光控制电路的输出端电连接，所述第一开关管的第二极与所述第一发光器件的阳极电连接，所述第一开关管的控制极与所述第一扫描
线的输出端电连接。
13.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述第二开关电路包括第二开关管和第二扫描线，所述第二开关管的第一极与所述发光控制电路的输出端电连接，所述第二开关管的第二极与所述第二发光器件的阳极电连接，所述第二开关管的控制极与所述第二扫描线的输出端电连接。
14.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述复位电路包括第三开关管和第三扫描线，所述第三开关管的第一极与所述复位信号线的输出端电连接，所述第三开关管的第二极与所述发光控制电路的输出端电连接，所述第三开关管的控制极与所述第三扫描线的输出端电连接。
15.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述像素驱动电路还包括：稳压电路，所述稳压电路的一端与所述发光控制电路的输出端电连接，所述稳压电路的另一端与所述第二电源电连接。
16.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述储能电路包括电容。
17.作为本技术实施例一种可选的实施方式，所述发光控制电路包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的第一极与所述第一电源电连接，所述驱动薄膜晶体管的第二极通过所述第一开关电路与所述第一发光器件的阳极电连接，通过所述第二开关电路与所述第二发光器件的阳极电连接，所述驱动薄膜晶体管的控制极与所述数据输入电路的输出端电连接。
18.第二方面，本技术实施例提供一种时序控制方法，应用于如上述第一方面或第一方面任一项所述的像素驱动电路，所述方法包括：
19.在复位阶段向所述数据输入电路和所述复位电路输入第一电位信号，控制所述数据输入电路和所述复位电路导通；向所述第一开关电路和所述第二开关电路输入第二电位信号，控制所述第一开关电路和所述第二开关电路关断；
20.在补偿阶段和写入阶段向所述数据输入电路输入所述第一电位信号，控制所述数据输入电路导通；向所述复位电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路输入所述第二电位信号，控制所述复位电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路关断；
21.在发光阶段向所述数据输入电路和所述复位电路输入所述第二电位信号，控制所述数据输入电路和所述复位电路关断；
22.在不同的发光阶段交替向所述第一开关电路和所述第二开关电路输入所述第一电位信号，控制所述第一开关电路和所述第二开关电路在不同的发光阶段交替导通。
23.第三方面，本技术实施例提供一种显示面板，包括多个像素单元，每个像素单元包括多个子像素单元，每个子像素单元包括两个发光器件和如上述第一方面或第一方面任一项所述的像素驱动电路。
24.本技术实施例提供的技术方案，包括数据输入电路、储能电路、复位电路、发光控制电路、第一开关电路和第二开关电路；数据输入电路与发光控制电路的控制端电连接，用于在复位阶段、补偿阶段和写入阶段向发光控制电路的控制端输出数据电压；储能电路的一端与发光控制电路的控制端电连接，储能电路的另一端与发光控制电路的输出端电连接，储能电路用于储存电能；复位电路的输入端与复位信号线的输出端电连接，复位电路的输出端与发光控制电路的输出端电连接，复位电路用于在复位阶段向发光控制电路的输出
端输出复位电压；发光控制电路用于在发光阶段向第一发光器件或第二发光器件输出驱动电流，发光控制电路的输入端与第一电源电连接，发光控制电路的输出端通过第一开关电路与第一发光器件的阳极电连接，通过第二开关电路与第二发光器件的阳极电连接；第一发光器件的阴极和第二发光器件的阴极均与第二电源电连接；第一开关电路和第二开关电路在复位阶段、补偿阶段和写入阶段关断，在不同的发光阶段交替导通。上述技术方案中，第一开关电路和第二开关电路在不同的发光阶段交替导通，在每个发光阶段对应只有第一发光器件或第二发光器件发光，相比于目前发光器件在每个发光阶段都发光，在单位时间内本方案的第一发光器件和第二发光器件的发光时长均小于目前发光器件的发光时长，而发光器件会随着发光时长的增加而逐渐老化，即单位时间内发光器件的发光时长越短，发光器件的老化速度越慢，因此本方案能够延缓像素驱动电路中发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命。
附图说明
25.图1为本技术实施例提供的显示面板中任意一个像素单元的子像素的结构示意图；
26.图2为图1中像素驱动电路的电路结构示意图；
27.图3为本技术实施例提供的时序控制方法控制像素驱动电路的工作时序图；
28.图4为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图；
29.图5为本技术实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图。
30.附图标记说明：
31.11-衬底基板；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12-遮光层；
32.13-缓冲层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
14-有源层；
33.15-栅极绝缘层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
16-栅极；
34.17-源极；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
18-漏极；
35.19-过孔；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
20-层间介质层；
36.21-绝缘层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
22-平坦层；
37.23-第一阳极；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
24-第二阳极；
38.25-第一像素定义层；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
26-第二像素定义层；
39.oled1-第一发光器件；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
oled2-第二发光器件。
具体实施方式
40.下面结合本技术实施例中的附图对本技术实施例进行描述。本技术实施例的实施方式部分使用的术语仅用于对本技术的具体实施例进行解释，而非旨在限定本技术。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
41.本技术实施例中的发光器件可以是oled、量子点发光二极管(quantumdot light emitting diodes，qled)和次毫米发光二极管(mini light emittingdiodes，mini led)中的任意一种；本实施例后续以发光器件为oled为例，进行示例性说明。
42.本技术实施例提供的显示面板可以包括多个像素单元，每个像素单元可以包括多
个子像素单元，图1为本技术实施例提供的显示面板中任意一个像素单元的子像素单元的结构示意图，如图1所示，该子像素单元可以包括第一电源vdd、第二电源vss、第一发光器件oled1、第二发光器件oled2 和像素驱动电路。
43.第一电源vdd可以输出高电位电压，第二电源vss可以输出低电位电压。
44.像素驱动电路可以包括：数据输入电路1、储能电路2、稳压电路3、发光控制电路4、第一开关电路5、第二开关电路6和复位电路7。
45.数据输入电路1与发光控制电路4的控制端电连接，用于在复位阶段、补偿阶段和写入阶段向发光控制电路4的控制端输出数据电压。
46.储能电路2的一端与发光控制电路4的控制端电连接，储能电路2的另一端与发光控制电路4的输出端电连接，储能电路2用于储存电能。
47.发光控制电路4的输入端与第一电源vdd电连接，发光控制电路4的输出端通过第一开关电路5与第一发光器件oled1的阳极电连接，通过第二开关电路6与第二发光器件oled2的阳极电连接，发光控制电路4用于在发光阶段向第一发光器件oled1或第二发光器件oled2输出驱动电流。第一发光器件oled1的阴极和第二发光器件oled2的阴极均与第二电源vss电连接。
48.第一开关电路5和第二开关电路6在复位阶段、补偿阶段和写入阶段关断，在不同的发光阶段交替导通。这样在每个发光阶段对应只有第一发光器件oled1或第二发光器件oled2发光，相比于目前发光器件在每个发光阶段都发光，在单位时间内第一发光器件oled1和第二发光器件oled2的发光时长均小于目前发光器件的发光时长，由于发光器件会随着发光时长的增加而逐渐老化，即单位时间内发光器件的发光时长越短，发光器件的老化速度越慢，从而本方案能够延缓像素驱动电路中发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命。
49.在每个交替导通周期中，第一开关电路5的导通帧数和第二开关电路6 的导通帧数均为n帧，n为正整数。这样在每个交替导通周期中，第一发光器件oled1和第二发光器件oled2的发光时长基本相同(每帧的发光阶段的时长可能会有略微的差异)，从而在使用时第一发光器件oled1和第二发光器件oled2的老化程度基本相同，降低了两个发光器件中一个发光器件因使用时间过长老化，另一个发光器件使用时间较短仍旧较新的情况发生的概率。本实施例后续以每个交替导通周期中，第一开关电路5和第二开关电路 6的均导通一帧为例，进行示例性说明。
50.复位电路7的输入端与复位信号线vl的输出端电连接，复位电路7的输出端与发光控制电路4的输出端电连接，复位电路7用于在复位阶段向发光控制电路4的输出端输出复位电压，对s点的电压进行复位，复位电压可以为低电位电压，以便于在补偿阶段，第一电源vdd向s点充电，实现s 点电位的补偿。
51.稳压电路3的一端与发光控制电路4的输出端电连接，稳压电路3的另一端与第二电源vss电连接，稳压电路3用于稳定发光控制电路4的输出端的电压，提升显示效果。
52.图2为图1中像素驱动电路的电路结构示意图，如图2所示，第一开关电路5可以包括第一开关管t1和第一扫描线odd，第一开关管t1的第一极与发光控制电路4的输出端电连接，第一开关管t1的第二极与第一发光器件 oled1的阳极电连接，第一开关管t1的控制极与第一扫描线odd的输出端电连接。
53.第二开关电路6可以包括第二开关管t2和第二扫描线even，第二开关管t2的第一极与发光控制电路4的输出端电连接，第二开关管t2的第二极与第二发光器件oled2的阳极电连接，第二开关管t2的控制极与第二扫描线even的输出端电连接。
54.复位电路7可以包括第三开关管t3和第三扫描线s1，第三开关管t3的第一极与复位信号线vl的输出端电连接，第三开关管t3的第二极与发光控制电路4的控制端电连接，第三开关管t3的控制极与第三扫描线s1的输出端电连接。
55.数据输入电路1可以包括第四开关管t4、数据线data和第四扫描线s2，第四开关管t4的第一极与数据线data的输出端电连接，第四开关管t4的第二极与发光控制电路4的控制端电连接，第四开关管t4的控制极与第四扫描线s2的输出端电连接。
56.第一开关管t1、第二开关管t2、第三开关管t3和第四开关管t4可以是pmos管，也可以是nmos管。当上述开关管为pmos管时，上述开关管的第一极为源极，第二极为漏极，控制极为栅极；当上述开关管为nmos 管时，上述开关管的第一极为漏极，第二极为源极，控制极为栅极。本实施例后续以上述开关管均为nmos管为例，进行示例性说明。
57.发光控制电路4可以包括驱动薄膜晶体管t5，驱动薄膜晶体管t5的第一极与第一电源vdd电连接，驱动薄膜晶体管t5的第二极通过第一开关管 t1与第一发光器件oled1的阳极电连接，通过第二开关管t2与第二发光器件oled2的阳极电连接，驱动薄膜晶体管t5的控制极与第四开关管t4的第二极电连接。
58.驱动薄膜晶体管t5可以为nmos管，此时驱动薄膜晶体管t5的第一极为漏极，第二极为源极，控制极为栅极。驱动薄膜晶体管t5也可以为其他类型的mos管，本实施例对次不作具体限定，本实施例后续以驱动薄膜晶体管 t5为nmos管为例，进行示例性说明。
59.储能电路2可以包括第一电容c1，第一电容c1的一端与驱动薄膜晶体管t5的栅极电连接，第一电容c1的另一端与驱动薄膜晶体管t5的源极电连接。
60.稳压电路3可以包括第二电容c2，第二电容c2的一端与驱动薄膜晶体管t5的源极电连接，第二电容c2的另一端与第二电源vss电连接。
61.本技术实施例还提供一种上述像素驱动电路的时序控制方法，该方法在复位阶段向数据输入电路和复位电路输入第一电位信号，控制数据输入电路和复位电路导通；向第一开关电路和第二开关电路输入第二电位信号，控制第一开关电路和第二开关电路关断。第一电位信号可以是高电位信号，第二电位信号可以是低电位信号。
62.在补偿阶段和写入阶段向数据输入电路输入第一电位信号，控制数据输入电路导通；向复位电路、第一开关电路和第二开关电路输入第二电位信号，控制复位电路、第一开关电路和第二开关电路关断。
63.在发光阶段向数据输入电路和复位电路输入第二电位信号，控制数据输入电路和复位电路关断。
64.在不同的发光阶段交替向第一开关电路和第二开关电路输入第一电位信号，控制第一开关电路和第二开关电路在不同的发光阶段交替导通。
65.可以理解的是，在发光阶段，向第一开关电路输入第一电位信号控制第一开关电路导通时，会向第二开关电路输入第二电位信号控制第二开关电路关断；向第二开关电路输入第一电位信号控制第二开关电路导通时，会向第一开关电路输入第二电位信号控制第一开关电路关断。
66.图3为本技术实施例提供的时序控制方法控制像素驱动电路的工作时序图，如图3所示，每一帧均可以分为复位阶段i、补偿阶段ii、写入阶段iii 和发光阶段iv。
67.在第n帧的复位阶段i，第一扫描线odd和第二扫描线even输出低电位信号，第一开关管t1和第二开关管t2关闭；第三扫描线s1和第四扫描线s2输出高电位信号，第三开关管t3和第四开关管t4导通，s点写入复位信号线vl输出的复位电压，复位电压可以为低电位电压，以便于在补偿阶段，第一电源vdd向s点充电，实现s点电位的补偿；g点写入数据线data 输出的低电位电压vref。
68.在第n帧的补偿阶段ii，第一扫描线odd、第二扫描线even和第三扫描线s1输出低电位信号，第一开关管t1、第二开关管t2和第三开关管 t3关闭；第四扫描线s2输出高电位信号，第四开关管t4导通，g点保持数据线data输出的低电位电压vref，驱动薄膜晶体管t5导通，第一电源vdd 向s点充电，当s点的电位抬升至vref-vth，驱动薄膜晶体管t5截断，其中， vth为驱动薄膜晶体管t5的阈值电压。
69.在第n帧的写入阶段iii，第一扫描线odd、第二扫描线even和第三扫描线s1输出低电位信号，第一开关管t1、第二开关管t2和第三开关管 t3关闭；第四扫描线s2输出高电位信号，第四开关管t4导通，g点写入数据线data输出的高电位电压vdata，驱动薄膜晶体管t5重新导通，第一电源vdd继续向s点充电，由于第一电容c1和第二电容c2的影响，s点的电位的变化量δv1为(vdata-vref)*c1/(c1 c2)，此时s点的电压为vref-vth δv1。
70.在第n帧的发光阶段iv，第一扫描线odd输出高电位信号，第一开关管t1导通；第二扫描线even、第三扫描线s1和第四扫描线s2输出低电位信号，第二开关管t2、第三开关管t3和第四开关管t4关断；第一电容c1 向驱动薄膜晶体管t5的栅极放电，驱动薄膜晶体管t5导通，第一发光器件 oled1发光。此时s点的电压为vss voled1，s点的电压变化量为 vss voled1
–
(vref-vth δv1)，由于电容的耦合作用，g点的电压变化量等于s点的电压变化量，此时g点的电压为vdata vss voled1
–ꢀ
(vref-vth δv1)。
71.驱动薄膜晶体管t5的栅极相对于源极的电压vgs＝vg-vs＝vdata
–ꢀ
(vref-vth δv1)。根据驱动电流计算公式可得：
72.i
oled1
＝1/2μ
ncox
w/l(vgs
–
vth)273.＝1/2μ
ncox
w/l(vdata
–
vref-δv1)274.＝1/2μ
ncox
w/l[(vdata
–
vref)*c2/(c1 c2)]2[0075]
其中，i
oled1
为第一发光器件oled1的驱动电流，μn为驱动薄膜晶体管t5的电子迁移率，c
ox
为驱动薄膜晶体管t5的栅氧化层单位面积电容， w/l为驱动薄膜晶体管t5的宽长比。
[0076]
根据上述公式可知，第一发光器件oled1的驱动电流与驱动薄膜晶体管 t5的阈值电压和第一电源vdd的电压均无关，这样不仅可以消除驱动薄膜晶体管t5的阈值电压漂移对第一发光器件oled1的驱动电流的影响，提高显示面板的画质，还可以减小第一电源vdd与各发光器件的距离差异引起的各发光器件的驱动电流的差异，提高显示画面亮度的均匀性。
[0077]
第n 1帧的复位阶段i、补偿阶段ii和写入阶段iii，各扫描线与数据线 data输出的电压与第n帧相同，此处不再赘述。
[0078]
第n 1帧的发光阶段iv，第二扫描线even输出高电位信号，第二开关管t2导通；第一扫描线odd、第三扫描线s1和第四扫描线s2输出低电位信号，第一开关管t1、第三开关管
t3和第四开关管t4关断；第一电容 c1向驱动薄膜晶体管t5的栅极放电，驱动薄膜晶体管t5导通，第二发光器件oled2发光。此时s点的电压为vss voled2，s点的电压变化量为 vss voled2
–
(vref-vth δv1)，由于电容的耦合作用，g点的电压变化量等于s点的电压变化量，此时g点的电压为vdata vss voled2
–ꢀ
(vref-vth δv1)。
[0079]
驱动薄膜晶体管t5的栅极相对于源极的电压vgs＝vg-vs＝vdata
–ꢀ
(vref-vth δv1)。根据驱动电流计算公式可得：
[0080]ioled2
＝1/2μ
ncox
w/l(vgs
–
vth)2[0081]
＝1/2μ
ncox
w/l(vdata
–
vref-δv1)2[0082]
＝1/2μ
ncox
w/l[(vdata
–
vref)*c2/(c1 c2)]2[0083]
其中，i
oled2
为第二发光器件oled2的驱动电流。
[0084]
根据上述公式可知，第二发光器件oled2的驱动电流与驱动薄膜晶体管 t5的阈值电压和第一电源vdd的电压均无关，这样不仅可以消除驱动薄膜晶体管t5的阈值电压漂移对第二发光器件oled2的驱动电流的影响，提高显示面板的画质，还可以减小第一电源vdd与各发光器件的距离差异引起的各发光器件的驱动电流的差异，提高显示画面亮度的均匀性。
[0085]
图4为本技术实施例提供的显示面板的结构示意图，如图4所示，本实施例提供的显示面板可以包括：衬底基板11、遮光层12、缓冲层13、有源层14、栅极16绝缘层15、栅极16、源极17、漏极18、过孔19、层间介质层20、绝缘层21、平坦层22、第一阳极23、第二阳极24、第一像素定义层 25、第二像素定义层26、第一发光器件oled1和第二发光器件oled2。
[0086]
衬底基板11可以为刚性基板或柔性基板，刚性基板的材料可以为玻璃，柔性基板的材料可以为聚酰亚胺等聚合物材料。
[0087]
遮光层12位于所述衬底基板11上方，遮光层12可以包括多个间隔设置的遮光单元，遮光层12的材料可以是钼、钛、铜等金属及其氧化物或者黑色树脂等。
[0088]
缓冲层13位于遮光层12和衬底基底上方，缓冲层13在显示屏受到挤压或跌落等冲击时起缓冲作用，降低显示屏破碎的概率，缓冲层13的材料可以是二氧化硅等，这样有利于提升igzo电子迁移率。
[0089]
有源层14位于缓冲层13上方，有源层14的材料可以是铟锌氧化物 (indium gallium zinc oxide，igzo)，从而能够为显示屏提供更高的精度与更低的功耗。
[0090]
栅极16绝缘层15位于有源层14上方，栅极16绝缘层15的材料可以是氧化硅、氮化硅中的一种或多种组合。
[0091]
栅极16位于栅极16绝缘层15上方，层间介质层20位于缓冲层13、有源层14、栅极16绝缘层15和栅极16上方，层间介质层20中设置有多个过孔19，源极17和漏极18位于层间介质层20上方，通过不同的过孔19与有源层14的两端接触。
[0092]
有源层14、栅极16绝缘层15、栅极16、源极17和漏极18共同组成薄膜晶体管。
[0093]
绝缘层21位于层间介质层20、源极17和漏极18上方，绝缘层21的材料可以是氧化硅、氮化硅及其组合，用于进行层间电气隔绝，并保护薄膜晶体管。
[0094]
平坦层22位于绝缘层21上方，用于提高显示屏内部结构的平坦度和密封性。
[0095]
位于平坦层22的上方，显示面板的每个子像素单元的平坦层22的上方可以设置有第一阳极23和第二阳极24，第一阳极23的上方可以设置有第一像素定义层25，第二阳极24
的上方可以设置有第二像素定义层26，第一阳极23和第一像素定义层25的上方可以设置有第一发光器件oled1，第二阳极24和第二像素定义层26的上方可以设置有第二发光器件oled2。
[0096]
图5为本技术实施例提供的显示面板制备方法的流程示意图，如图5所示，本技术实施例提供的显示面板制备方法可以包括如下步骤：
[0097]
s110、在衬底基板上形成遮光层。
[0098]
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺在衬底基板11上方形成遮光层12，在形成遮光层12时，可以对遮光层12进行图案化处理，具体可以采用包括涂布光刻胶、曝光、显影、湿刻、去除光刻胶等工艺的方式等对遮光层12进行图案化处理。
[0099]
遮光层12的材料可以是钼、钛、铜等金属及其氧化物或者黑色树脂等。
[0100]
s120、在遮光层上方形成缓冲层。
[0101]
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在遮光层12上方形成缓冲层13。缓冲层13的材料可以是二氧化硅等。
[0102]
s130、在缓冲层上方形成薄膜晶体管和层间介质层。
[0103]
薄膜晶体管可以包括有源层14、栅极16绝缘层15、栅极16、源极17 和漏极18。
[0104]
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺与图案化处理相结合的方式，在缓冲层13上方依次形成有源层14、栅极16绝缘层15和栅极16，接着在缓冲层13、有源层14、栅极16绝缘层15和栅极16上方形成层间介质层20，接着在层间介质层20形成多个过孔19，在过孔19内和层间介质层 20上方形成源极17和漏极18。源极17和漏极18通过不同的过孔19与有源层14接触。
[0105]
s140、在层间介质层、源极和漏极的上方依次形成绝缘层、平坦层、第一阳极、第二阳极、第一像素定义层和第二像素定义层。
[0106]
具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在层间介质层20、源极17和漏极18的上方依次形成绝缘层21、平坦层22，然后采用溅射工艺，在平坦层22上方形成金属薄膜，接着对金属薄膜进行图案化处理，在显示面板的每个子像素单元对应的区域形成第一阳极23和第二阳极24，然后在第一阳极23的上方形成第一像素定义层25，在第二阳极24的上方形成第二像素定义层26。
[0107]
s150、在第一阳极和第一像素定义层上方设置第一发光器件，在第二阳极和第二像素定义层上方设置第二发光器件。
[0108]
可以理解的是，本技术实施例示意的电路模块并不构成对像素驱动电路的具体限定。在本技术另一些实施例中，像素驱动电路可以包括比图示更多或更少的电路模块，或者组合某些电路模块，或者拆分某些电路模块；每个电路模块可以包括比图示更多或更少的器件。图示的电路模块可以以硬件，软件或软件和硬件的组合实现。
[0109]
本技术实施例提供的技术方案，包括数据输入电路、储能电路、复位电路、发光控制电路、第一开关电路和第二开关电路；数据输入电路与发光控制电路的控制端电连接，用于在复位阶段、补偿阶段和写入阶段向发光控制电路的控制端输出数据电压；储能电路的一端与发光控制电路的控制端电连接，储能电路的另一端与发光控制电路的输出端电连接，储能电路用于储存电能；复位电路的输入端与复位信号线的输出端电连接，复位电路的输出端与发光控制电路的输出端电连接，复位电路用于在复位阶段向发光控制电路的输出
端输出复位电压；发光控制电路用于在发光阶段向第一发光器件或第二发光器件输出驱动电流，发光控制电路的输入端与第一电源电连接，发光控制电路的输出端通过第一开关电路与第一发光器件的阳极电连接，通过第二开关电路与第二发光器件的阳极电连接；第一发光器件的阴极和第二发光器件的阴极均与第二电源电连接；第一开关电路和第二开关电路在复位阶段、补偿阶段和写入阶段关断，在不同的发光阶段交替导通。上述技术方案中，第一开关电路和第二开关电路在不同的发光阶段交替导通，在每个发光阶段对应只有第一发光器件或第二发光器件发光，相比于目前发光器件在每个发光阶段都发光，在单位时间内本方案的第一发光器件和第二发光器件的发光时长均小于目前发光器件的发光时长，而发光器件会随着发光时长的增加而逐渐老化，即单位时间内发光器件的发光时长越短，发光器件的老化速度越慢，因此本方案能够延缓像素驱动电路中发光器件的老化，延长发光器件的使用寿命。
[0110]
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
[0111]
另外，附图中各部件之间的尺寸比例关系仅是示意性的，其并不反映各部件之间的实际尺寸比例关系。
[0112]
在本技术的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0113]
在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0114]
应当理解，当在本技术说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
[0115]
在本技术的描述中，除非另有说明，“/”表示前后关联的对象是一种“或”的关系，例如，a/b可以表示a或b；本技术中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况，其中a，b可以是单数或者复数。
[0116]
并且，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个。“以下至少一项”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项或复数项的任意组合。例如，a，b，或c中的至少一项，可以表示：a，b，c，a-b， a-c，b-c，或a-b-c，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
[0117]
另外，在本技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
[0118]
在本技术说明书中描述的参在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。
[0119]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。