一种高PPIMicroLED器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种高ppi micro led器件，其特征在于，具有依次设置的：含cmos驱动连接电极的晶圆、晶圆表面的像素阳极、位于像素阳极上表面的发光单元、封装层、色转换层、滤光层、透明保护层。2.如权利要求1所述的高ppi micro led器件，其特征在于，所述发光单元为led，由下到上依次为p-gan层、mqw层、n-gan层；所述p-gan、mqw、n-gan形成顶层窄、底层宽的倒梯形结构。3.如权利要求2所述的高ppi micro led器件，其特征在于，所述像素阳极包括ito/cr/al/cr/pt/au、ito/cr/pt/au、ito/al或ito/al/au。4.如权利要求3所述的高ppi micro led器件，其特征在于，绝缘钝化层由透明而不导电的材料制成，包括sio、sin、sion或其组合物。5.如权利要求4所述的高ppi micro led器件，其特征在于，色转换层中的bm光刻胶表面进一步有金属溅射在表面，金属包括au、ag或al。6.如权利要求5所述的高ppi micro led器件，其特征在于，量子点表层上dbr层是由透明而不导电的材料制成，材料包括al2o3、sio2、sio2或al2o3。7.如权利要求1-5任一所述的高ppi micro led器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供包含cmos驱动电路的硅晶圆，其包含通孔；2)对硅晶圆的表面进行清洁处理后沉积第一金属层，形成第一阳极层；3)通过光刻工艺在通孔位置形成第一阳极；4)提供led外延片，所述led外延片由下向上依次为衬底、外延层；5)对led外延片表面进行清洁后在表面沉积第一金属层，形成第二阳极层；6)采用光刻加刻蚀工艺使得第二阳极层与外延层共同构成抛物面结构，其中第二阳极层隔离后形成第二阳极；7)在经过步骤6)后的外延片表面沉积300nm厚的sio2绝缘钝化层，所述绝缘钝化层位于外延层与第二阳极侧面；8)将硅晶圆上的第一阳极与led外延片上的第二阳极进行对准对位；9)在250℃下施加250kn压力使得第一阳极电极与第二阳极电极发生键合反应；10)采用激光剥离作用于n-gan的方法将衬底进行剥离去除；11)采用溅射工艺在发光区的所有发光单元的n-gan层表面以及平坦化光阻表面形成1000nm透明导电共阴极ito；12)表面涂布oc胶水层，作为封装层；13)在封装层表面涂布bm光刻胶，对其进行曝光、显影、图形化后保留光刻胶覆盖的区域；14)在bm光刻胶两侧壁表面溅射第二金属层；15)在封装层表面上，依次涂布蓝色量子点光刻胶、红色量子点光刻胶、绿色量子点光刻胶，再分别对其进行曝光、显影、图形化后保留光刻胶覆盖的区域；16)在bm光刻胶层和红、绿、蓝量子点层表面上，蒸镀dbr层；17)在dbr层表面涂布bm光刻胶，对其进行曝光、显影、图形化后保留光刻胶覆盖的区域；
18)在bm光刻胶和dbr层表面，依次涂布彩色光刻胶，对其进行曝光、显影、图形化后保留光刻胶覆盖的区域，形成滤光层；19)在滤光层涂布oc胶水层，然后贴合基板，形成透明保护层，完成封装。8.如权利要求1所述的高ppi micro led器件的制造方法，其特征在于，所述第一金属层为cr-al-cr-pt-au，厚度分别为5nm-100nm-5nm-20nm-300nm。9.如权利要求1所述的高ppi micro led器件的制造方法，其特征在于，所述外延层包括n-gan层、mqw层、p-gan层。10.如权利要求1所述的高ppi micro led器件的制造方法，其特征在于，所述彩色光刻胶包括红色量子点层、绿色量子点层、蓝色介质层。

技术总结
本发明公开了一种高PPI Micro LED器件及其制造方法，具有依次设置的：含CMOS驱动连接电极的晶圆、晶圆表面的像素阳极、位于像素阳极上表面的发光单元、封装层、色转换层、滤光层、透明保护层，为制备大规模地制备高分辨率器件提供了一种经济、实用的解决方案，特别是微显示应用的全彩色Micro-LED器件。LED器件。LED器件。


技术研发人员：李蕊 王仕伟 张金金 冯璐阳
受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日：2022.11.18
技术公布日：2023/3/10