显示装置及制造显示装置的方法与流程

显示装置及制造显示装置的方法
1.本技术要求于2021年8月9日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0104921号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.本公开涉及一种显示装置及一种制造显示装置的方法。


背景技术：

3.随着信息化社会的发展，对于显示装置的各种需求不断增加。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置、发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括：包括有机发光二极管作为发光元件的有机发光显示装置、包括无机半导体元件作为发光元件的无机发光显示装置以及包括发光二极管作为发光元件的微型led显示装置。
4.最近，已经开发了包括发光显示装置的头戴式显示器。头戴式显示器(hmd)是提供虚拟现实(vr)或增强现实(ar)的眼镜型监视器装置，其以眼镜或头盔的形式佩戴在用户的身体上以形成靠近用户眼睛的焦点。
5.包括微型发光二极管的高分辨率微型led显示面板应用于头戴式显示器。


技术实现要素：

6.本公开的方面提供了一种显示装置，在该显示装置中，通过增大第一发光元件的面积来改善内部量子效率。
7.本公开的方面还提供了一种制造显示装置的方法，在该显示装置中，通过增大第一发光元件的面积来改善内部量子效率。
8.应当注意的是，本公开的方面不限于上述目的，并且根据以下描述，本公开的其他方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
9.根据本公开的方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括发光元件，布置在电路基底上，在电路基底的厚度方向上延伸，并且包括被构造为发射第一光的第一发光元件和被构造为发射第二光的第二发光元件，并且第二发光元件具有比第一发光元件的宽度小的宽度；共电极层，在发光元件上方；以及连接电极层，在第一发光元件与共电极层之间。
10.第一发光元件可以与第二发光元件在不同的层。
11.发光元件还可以包括被构造为发射第三光的第三发光元件，并且第三发光元件与第一发光元件在不同的层。
12.第三发光元件可以与第二发光元件在同一层。
13.第一发光元件的宽度可以大于第三发光元件的宽度。
14.第一发光元件的一个或更多个部分可以在平面视图中与第二发光元件和第三发光元件叠置。
15.连接电极层可以不与第二发光元件叠置。
16.连接电极层可以包括与共电极层相同的材料。
17.连接电极层的宽度可以小于第一发光元件的宽度。
18.发光元件可以包括：第一半导体层，在电路基底上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
19.发光元件还可以包括：电子阻挡层，在第一半导体层与活性层之间；以及超晶格层，在活性层与第二半导体层之间。
20.电路基底还可以包括像素电极，其中，发光元件的第一半导体层连接到像素电极中的对应的像素电极。
21.显示装置还可以包括在发光元件的第一半导体层与像素电极之间的连接电极。
22.第一发光元件的连接电极的长度可以小于第二发光元件的连接电极的长度。
23.连接电极层可以包括与第二半导体层相同的材料。
24.根据本公开的其它方面，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在第一基底上形成共电极层；在共电极层上形成用于发射第一光的第一发光元件和用于发射第二光的第二发光元件；在第一发光元件与第二发光元件之间形成连接电极层；以及在连接电极层上形成用于发射第三光的第三发光元件。
25.第一发光元件和第二发光元件可以包括：第一半导体层，在电路基底上；活性层，在第一半导体层上；以及第二半导体层，在活性层上。
26.连接电极层可以包括与共电极层相同的材料。
27.第三发光元件的宽度可以大于第二发光元件的宽度并且大于第一发光元件的宽度。
28.第三发光元件可以在平面视图中与第二发光元件和第一发光元件叠置。
29.在附图和以下描述中阐述了本说明书中描述的主题的一个或更多个实施例的详情。
30.根据本公开的实施例，可以通过增大第一发光元件的面积来改善显示装置的内部量子效率。
31.应当注意的是，本公开的各方面不限于上述那些，并且根据以下描述，本公开的其它方面对于本领域技术人员而言将是明显的。
附图说明
32.通过参照附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上和其他方面将变得更加明显，其中：
33.图1是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的布局的视图。
34.图2是示出图1的区域a的布局的视图。
35.图3是详细示出图2的区域b的平面视图。
36.图4是示出沿着图3的线q1-q1'截取的显示面板的示例的剖视图。
37.图5是用于示出根据本公开的一些实施例的用于制造显示装置的方法的流程图。
38.图6至图20是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的工艺操作的剖视图。
39.图21是示出根据本公开的其他实施例的显示面板的剖视图。
40.图22是示出根据其他实施例的第一发光二极管至第三发光二极管的布局的平面
视图。
41.图23是根据本公开的一些实施例的显示装置的像素的等效电路图。
42.图24至图26是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的应用的视图。
43.图27和图28是示出包括根据一些实施例的显示装置的透明显示装置的示例的视图。
具体实施方式
44.这里公开的本公开的实施例的结构和功能性描述仅用于本公开的实施例的说明性目的。在不脱离本公开的精神和重要特性的情况下，实施例可以以许多不同的形式体现。因此，本公开的实施例仅出于说明性目的而公开，并且不应被解释为限制性的。也就是说，所要求保护的实施例仅由权利要求的范围限定。
45.通过参照实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本公开的一些实施例的方面及实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，描述的实施例可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式体现，并且不应解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面，并且应当理解的是，本公开涵盖在本公开的构思和技术范围内的所有的修改、等同物和替换。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面而不是必需的工艺、元件和技术。
46.除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，因此，将不再重复其描述。此外，可以不示出与实施例的描述不相关或无关的部件以使描述清楚。
47.在图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。另外，在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在与否都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出元件之间的共性和/或任何其他特性、属性、性质等的任何偏好或要求。
48.这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各种实施例。如此，将预料到作为例如制造技术和/或公差的结果的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，这里公开的具体结构或功能性描述仅是说明性的。因此，这里公开的实施例不应被解释为限于区域的具体示出的形状，而是包括由例如制造引起的形状上的偏差。
49.例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘具有圆形或弯曲特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区可以引起在掩埋区与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。
50.因此，图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
51.在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的全面理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或更多个等效布置的情况下实践各种实施例。在其他情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施
例不必要地模糊。
52.为了易于解释，在这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应当理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于第二部分的基于重力方向的上侧。
53.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面视图”意味着从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”意味着从侧面观看通过垂直切割目标部分而形成的剖面。
54.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上，直接在所述另一元件、层、区域或组件上，直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上，间接在所述另一元件、层、区域或组件上，间接连接到或间接结合到另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个居间元件、层、区域或组件。另外，这可以共同意味着直接或间接结合或连接以及一体的或非一体的结合或连接。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电结合”到另一层、区域或组件时，它可以直接电连接或结合到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”或者“直接在
……
上”是指一个组件直接连接或直接结合另一组件或者直接在另一组件上而没有中间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其它表达，诸如“在
……
之间”、“紧邻在
……
之间”或者“与
……
相邻”和“直接与
……
相邻”。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或层。
55.出于本公开的目的，诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表达在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列的单独元件。例如，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z组成的组中的至少一个”可以被解释为仅x，仅y，仅z，x、y和z中的两个或更多个的任何组合(诸如，以xyz、xyy、yz和zz为例)或者其任何变化。类似地，诸如“a和b中的至少一个(种/者)”的表达可以包括a、b或者a和b。如这里所使用的，“或”通常意味着“和/或”，术语“和/或”包括相关的所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表达可以包括a、b或者a和b。
56.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，以下所描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。将元件描述为“第一”元件可能不需要或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等也可以在这里用于区分不同类别或
组的元件。为简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类别(或第一组)”、“第二类别(或第二组)”等。
57.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
58.这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，并不旨在限制本公开。如这里所使用的，单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指出。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“具有”、“包括”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
59.当可以不同地实现一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者按照与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。
60.如这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”、“大致”和类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量或计算值中的固有偏差。如这里使用的，“大约(约)”或“大致”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在特定值的如由本领域普通技术人员所确定的可接受的偏差范围之内。例如，“大约(约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，在描述本公开的实施例时“可以(可)”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。
61.此外，这里公开和/或叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0与所叙述的最大值10.0之间(包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里所叙述的任何最大数值限度旨在包括其中包含的所有较低数值限度，并且本说明书中所叙述的任何最小数值限度旨在包括其中包含的所有较高数值限度。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确叙述包括在这里明确叙述的范围内的任何子范围。所有这样的范围旨在在本说明书中固有地描述，使得修改以明确叙述任何这样的子范围将符合要求。
62.除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中和/或本说明书中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里如此明确地定义。
63.图1是示出根据本公开的一些实施例的显示装置的布局的视图。图2是示出图1的区域a的布局的视图。图3是详细示出图2的区域b的平面视图。
64.在图1至图3中所示的示例中，根据一些实施例的显示装置是包括微型发光二极管作为发光元件的微型发光二极管显示装置。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
65.另外，在图1至图3中所示的示例中，根据一些实施例的显示装置被实现为硅上发
光二极管(ledos)微型显示器(例如，发光二极管位于经由半导体工艺形成的半导体电路板上)。然而，应当理解的是，本公开的实施例不限于此。
66.在图1至图3中，第一方向dr1表示显示面板100的竖直方向，第二方向dr2表示显示面板100的水平方向，第三方向dr3表示显示面板100的厚度方向。如这里所使用的，术语“左”侧、“右”侧、“上”侧和“下”侧表示当从顶部观看显示面板100时的相对位置。例如，右侧是指在第二方向dr2上的一侧，左侧是指在第二方向dr2上的相对侧，上侧是指在第一方向dr1上的一侧，下侧是指在第一方向dr1上的相对侧。另外，上部是指由第三方向dr3的箭头表示的一侧，而下部是指在第三方向dr3上的相对侧。
67.参照图1至图3，根据一些实施例的显示装置10包括包含显示区域da和非显示区域nda的显示面板100。
68.当从顶部观看时，显示面板100可以具有包括在第一方向dr1上的较短边并且在第二方向dr2上的较长边的四边形形状。然而，应当理解的是，当从顶部观看时的显示面板100的形状不限于此。当从顶部观看时，显示面板100可以具有除矩形形状之外的多边形形状、圆形形状、椭圆形形状或不规则形状。
69.在显示区域da中，可以显示图像。在非显示区域nda中，可以不显示图像。当从顶部观看时，显示区域da的形状可以遵循显示面板100的形状。在图1中所示的示例中，当从顶部观看时，显示区域da具有矩形形状。显示区域da可以位于显示面板100的中心区域。非显示区域nda可以位于显示区域da周围。非显示区域nda可以围绕显示区域da。
70.显示面板100的显示区域da可以包括多个像素px。可以将像素px中的每个定义为用于显示光(例如，白光)的最小发光单元。
71.像素px中的每个可以包括多个发射区域，光从发射区域中的每个出射。发光二极管ed1、ed2和ed3可以位于发射区域中的每个中。尽管根据本公开的一些实施例，多个像素px中的每个包括三个发射区域，但是本公开不限于此。例如，多个像素px中的每个可以包括四个发射区域。另外，可以理解为像素px包括三个发光二极管ed1、ed2和ed3。
72.多个发射区域中的每个可以包括用于发射第一光的第一发光二极管ed1、用于发射第二光的第二发光二极管ed2和用于发射第三光的第三发光二极管ed3。尽管在所示的示例中，当从顶部观看时，发光二极管ed1、ed2和ed3具有圆形形状，但是本公开的实施例不限于此。例如，发光二极管ed1、ed2和ed3可以具有除圆形形状以外的多边形形状、椭圆形形状或的不规则形状。
73.第一发射区域中的每个是指用于发射第一光的区域。第一发射区域中的每个可以原样输出从第一发光二极管ed1发射的第一光。第一光可以是红色波长范围内的光。红色波长范围可以是大致600nm至大致750nm，但是本公开的实施例不限于此。
74.第二发射区域中的每个是指发射第二光的区域。第二发射区域中的每个可以输出从第二发光二极管ed2发射的第二光。第二光可以是绿色波长范围内的光。绿色波长范围可以是大致480nm至大致560nm，但是本公开的实施例不限于此。
75.第三发射区域中的每个是指发射第三光的区域。第三发射区域中的每个可以输出从第三发光二极管ed3发射的第三光。第三光可以是蓝色波长范围内的光。蓝色波长范围可以是大致370nm至大致460nm，但是本公开的实施例不限于此。
76.如图3中所示，像素px可以在第一方向dr1和第二方向dr2上布置。包括在像素px中
的第一发光二极管ed1的宽度可以大于第二发光二极管ed2的宽度和第三发光二极管ed3的宽度。当从顶部观看时，第一发光二极管ed1可以与第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3叠置。根据本公开的一些实施例，当从顶部观看时，第一发光二极管ed1可以与第二发光二极管ed2的一部分和第三发光二极管ed3的一部分叠置。在单个像素px中，第二发光二极管ed2可以位于第一发光二极管ed1的中心的左侧，而第三发光二极管ed3可以位于第一发光二极管ed1在第二方向dr2上的右侧。然而，应当理解的是，本公开不限于此。
77.非显示区域nda可以包括第一焊盘区域pda1和第二焊盘区域pda2。
78.第一焊盘区域pda1可以位于非显示区域nda中。第一焊盘区域pda1可以位于显示面板100的上部。第一焊盘区域pda1可以包括连接到外部电路板的第一焊盘pd1。
79.第二焊盘区域pda2可以位于非显示区域nda中。第二焊盘区域pda2可以包括连接到外部电路板的第二焊盘。在一些实施例中，可以省略第二焊盘区域pda2。
80.另外，非显示区域nda还可以包括围绕显示区域da的共电极连接区域cpa。
81.共电极连接区域cpa可以位于非显示区域nda中，并且可以位于第一焊盘区域pda1与显示区域da之间以及第二焊盘区域pda2与显示区域da之间。另外，共电极连接区域cpa可以位于显示区域da在第一方向dr1上的一侧和相对侧上，并且可以位于在第二方向dr2上的一侧和相对侧上。共电极连接区域cpa可以包括要连接到半导体电路板的多个共连接电极ccp。
82.尽管图1示出了共电极连接区域cpa完全围绕显示区域da，但是本说明书的一些实施例不限于此。例如，共电极连接区域cpa可以位于显示区域da的一侧、两侧或至少三侧上。
83.图4是示出沿着图3的线q1-q1'截取的显示面板的示例的剖视图。
84.结合图1至图3参照图4，在根据一些实施例的显示装置10中，显示面板100(见图1)可以包括电路基底和显示基底。电路基底可以包括第一基底110和像素电路pxc，显示基底可以包括发光二极管ed1、ed2和ed3。
85.第一基底110可以是半导体电路板。第一基底110是使用半导体工艺形成的硅晶圆基底，并且可以包括多个像素电路pxc。像素电路pxc中的每个可以经由在硅晶圆上形成半导体电路的工艺形成。多个像素电路pxc中的每个可以包括经由半导体工艺形成的至少一个晶体管和至少一个电容器。例如，多个像素电路pxc可以包括cmos电路。
86.多个像素电路pxc可以位于显示区域da和非显示区域nda中。在多个像素电路pxc之中，位于显示区域da中的像素电路pxc可以分别电连接到像素电极ae。位于显示区域da中的多个像素电路pxc可以分别与多个像素电极ae相关联。它们可以在作为厚度方向的第三方向dr3上与位于显示区域da中的发光二极管ed1、ed2和ed3叠置。
87.显示基底的多个发光二极管ed1、ed2和ed3可以位于显示基底的显示区域da中，并且可以分别与第一基底110的多个像素电极ae相关联。
88.发光二极管ed1、ed2和ed3可以是无机发光二极管。发光二极管ed1、ed2和ed3可以包括半导体层及活性层mqw1、mqw2和mqw3。发光二极管ed1、ed2和ed3可以电连接到第一基底110的像素电路pxc以从活性层mqw1、mqw2和mqw3发光。
89.发光二极管ed1、ed2和ed3可以具有在第三方向dr3上延伸的形状。发光二极管ed1、ed2和ed3在第三方向dr3上的长度可以小于在水平方向上的长度。例如，发光二极管ed1、ed2和ed3在第三方向dr3上的长度可以是大致1μm至大致5μm。发光二极管ed1、ed2和
ed3可以具有宽度长于高度的圆柱形形状、盘形状或棒形状。然而，应当理解的是，本公开不限于此。发光二极管ed1、ed2和ed3可以具有棒、线、管等、诸如立方体、长方体和六角棱柱的多边形棱柱的形状，或者可以在具有部分倾斜的外表面的方向上延伸。
90.第一发光二极管ed1可以包括第一半导体层sem1a、电子阻挡层ebl、活性层mqw1、超晶格层slt和第二半导体层sem2a。第一半导体层sem1a、电子阻挡层ebl、活性层mqw1、超晶格层slt和第二半导体层sem2a可以在第三方向dr3上以此顺序彼此堆叠。
91.第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3可以包括第一半导体层sem1b、电子阻挡层ebl、活性层mqw2或mqw3、超晶格层slt和第二半导体层sem2b。第一半导体层sem1b、电子阻挡层ebl、活性层mqw2或mqw3、超晶格层slt和第二半导体层sem2b可以在第三方向dr3上以此顺序彼此堆叠。
92.第一发光二极管ed1的第一半导体层sem1a的材料可以与第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3的第一半导体层sem1b的材料相同。第一发光二极管ed1的第二半导体层sem2a的材料可以与第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3的第二半导体层sem2b的材料相同。
93.第一半导体层sem1a和sem1b可以是p型半导体，并且可以包括具有以下化学式的半导体材料：al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x y≤1)。例如，它可以是p型掺杂的algainn、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第一半导体层sem1a和sem1b可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是mg、zn、ca、ba等。例如，第一半导体层sem1a和sem1b可以是掺杂有p型mg的p-gan。
94.电子阻挡层ebl可以位于第一半导体层sem1a和sem1b上。电子阻挡层ebl可以减少或防止不能与活性层mqw1、mqw2和mqw3中的空穴复合且注入其他层中的电子流入活性层mqw1、mqw2和mqw3。例如，电子阻挡层ebl可以是掺杂有p型mg的p-algan。电子阻挡层的厚度可以在约10nm至约50nm的范围内，但是本公开不限于此。在一些实施例中，可以省略电子阻挡层ebl。
95.活性层mqw1、mqw2和mqw3可以位于电子阻挡层ebl上。活性层mqw1、mqw2和mqw3可以响应于通过第一半导体层sem1a和sem1b和第二半导体层sem2a和sem2b施加的发射信号随着电子和空穴在活性层mqw1、mqw2和mqw3中复合而发射光。活性层mqw1、mqw2和mqw3可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性层mqw1、mqw2和mqw3包括具有多量子阱结构的材料时，阱层和阻挡层可以在结构中彼此交替堆叠。阱层可以由ingan制成，阻挡层可以由gan或algan制成，但是本公开不限于此。例如，活性层mqw1、mqw2和mqw3中的每个可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料彼此交替堆叠的结构，并且可以根据发射光的波长范围包括其他iii族至v族半导体材料。
96.超晶格层slt位于活性层mqw1、mqw2和mqw3上。由于第二半导体层sem2a和sem2b与活性层mqw1、mqw2和mqw3之间的晶格常数的差异，超晶格层slt可以减轻应力。例如，超晶格层slt可以由ingan或gan制成。超晶格层slt的厚度可以为大致50nm至大致200nm。应当注意的是，在一些实施例中可以省略超晶格层slt。
97.第二半导体层sem2a和sem2b可以位于超晶格层slt上。第二半导体层sem2a和sem2b可以是n型半导体。第二半导体层sem2a和sem2b可以包括具有化学式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)的半导体材料。例如，它可以是n型掺杂的algainn、gan、
algan、ingan、aln和inn中的至少一种。第二半导体层sem2a和sem2b可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是si、ge、sn等。例如，第二半导体层sem2a和sem2b可以是掺杂有n型si的n-gan。第二半导体层sem2a和sem2b的厚度可以在但不限于从约2μm至约4μm的范围内。
98.根据一些实施例，显示装置10的发光二极管ed1、ed2和ed3中的一些可以包括不同的活性层mqw1、mqw2和mqw3以发射不同颜色的光。例如，第一发光二极管ed1可以包括第一活性层mqw1，第二发光二极管ed2可以包括第二活性层mqw2，第三发光二极管ed3可以包括第三活性层mqw3。第一发光二极管ed1可以发射第一颜色的红光，第二发光二极管ed2可以发射第二颜色的绿光，第三发光二极管ed3可以发射第三颜色的蓝光。第一发光二极管ed1、第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3可以具有掺杂在第一半导体层sem1a和sem1b、电子阻挡层ebl、活性层mqw1、mqw2和mqw3、超晶格层slt以及第二半导体层sem2a和sem2b中的不同浓度的掺杂剂，或者可以在式al
x
gayin
1-x-y
n(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x y≤1)中具有不同的x值和y值。第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3可以具有基本上相同的结构和材料，但是可以包括在半导体层处的不同的组分比以发射不同颜色的光。
99.例如，第一活性层mqw1可以响应于通过第一半导体层sem1a和第二半导体层sem2a施加的电信号随着电子和空穴在第一活性层mqw1中复合而发射光。第一活性层mqw1可以发射具有在大致600nm至大致750nm的范围内的主峰值波长的第一光(例如，红色波长范围的光)。
100.第二活性层mqw2可以响应于通过第一半导体层sem1b和第二半导体层sem2b施加的电信号随着电子和空穴在第二活性层mqw2中复合而发射光。第二活性层mqw2可以发射具有在大致480nm至大致560nm范围内的主峰值波长的第二光(例如，绿色波长范围的光)。
101.第三活性层mqw3可以响应于通过第一半导体层sem1b和第二半导体层sem2b施加的电信号随着电子和空穴在第三活性层mqw3中复合而发射光。第三活性层mqw3可以发射具有在大致370nm至大致460nm范围内的主峰值波长的第三光(例如，蓝色波长范围的光)。
102.在第一活性层mqw1、第二活性层mqw2和第三活性层mqw3中的每个包含ingan的一些实施例中，它们可以根据铟(in)的含量发射不同颜色的光。例如，随着铟(in)的含量增加，从第一活性层至第三活性层mqw1、mqw2和mqw3输出的光的波长范围可以移动到红色波长范围，并且随着铟(in)的含量减少，输出光的波长范围可以移动到蓝色波长范围。第一活性层mqw1中的铟(in)的含量可以高于第二活性层mqw2中的铟(in)的含量，并且第二活性层mqw2中的铟(in)的含量可以高于第三活性层mqw3中的铟(in)的含量。例如，第三活性层mqw3中的铟(in)的含量可以是约15％，第二活性层mqw2中的铟(in)的含量可以是约25％，第一活性层mqw1中的铟(in)的含量可以是约35％或更多。
103.类似地，在第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3的第一半导体层sem1a和sem1b、第二半导体层sem2a和sem2b、超晶格层slt和电子阻挡层ebl包含ingan的一些实施例中，它们可以具有不同含量的铟(in)。与第一活性层至第三活性层mqw1、mqw2和mqw3类似，第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3的第一半导体层sem1a和sem1b、第二半导体层sem2a和sem2b、超晶格层slt和电子阻挡层ebl可以具有比其他发光二极管ed1、ed2和ed3的铟(in)的含量高或低的铟(in)含量。
104.绝缘层ins可以围绕发光二极管ed1、ed2和ed3的侧表面，并且绝缘层ins的部分可以位于共电极层cel上。绝缘层ins可以完全位于共电极层cel的面对第一基底110的表面
上，并且除发光二极管ed1、ed2和ed3的侧表面之外，绝缘层ins还可以部分地覆盖第一半导体层sem1a和sem1b的表面。连接电极cne1和cne2可以位于发光二极管ed1、ed2和ed3的表面的未定位绝缘层ins的部分上。此外，绝缘层ins也可以位于连接电极层cnl的侧表面和第二半导体层sem2a的一个表面(面对共电极层cel的表面)上。第二连接电极cne2可以将第一半导体层sem1b与像素电极ae连接，第一连接电极cne1可以将第一半导体层sem1a与像素电极ae连接。
105.绝缘层ins可以保护多个发光二极管ed1、ed2和ed3，并且可以使它们与其他层绝缘。绝缘层ins可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(aloy)和氮化铝(aln
x
)的无机绝缘材料。
106.第一反射层rl1a和rl1b以及第二反射层rl2a和rl2b可以位于绝缘层ins上，并且可以围绕发光二极管ed1、ed2和ed3的侧表面。第一反射层rl1a和rl1b以及第二反射层rl2a和rl2b可以不形成在发光二极管ed1、ed2和ed3之间的绝缘层ins的定位有共电极层cel的部分上。在图4中所示的示例中，第一反射层rl1a和rl1b可以位于发光二极管ed1、ed2和ed3的左侧，第二反射层rl2a和rl2b可以位于发光二极管ed1、ed2和ed3的右侧。反射层rl1a、rl1b、rl2a和rl2b也可以位于连接电极层cnl的侧表面上。
107.因为连接电极cne1和cne2将第一半导体层sem1a和sem1b与像素电极ae直接连接，所以反射层rl1a、rl1b、rl2a和rl2b以及绝缘层ins可以与连接电极cne1和cne2的侧表面接触。反射层rl1a、rl1b、rl2a和rl2b可以包括诸如铝(al)的具有高反射率的金属材料。
108.连接电极cne1和cne2可以位于发光二极管ed1、ed2和ed3与第一基底110之间。连接电极cne1和cne2可以包括位于第一发光二极管ed1与像素电极ae之间的第一连接电极cne1，以及位于第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3与像素电极ae之间的第二连接电极cne2。
109.第一连接电极cne1和第二连接电极cne2可以在显示区域da中定位为与发光二极管ed1、ed2和ed3以及像素电极ae一致。第一连接电极cne1可以位于第一发光二极管ed1的第一半导体层sem1a的表面上，而第二连接电极cne2可以位于第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3的第一半导体层sem1b的表面上。
110.连接电极cne1和cne2可以电连接到像素电极ae，以将施加到像素电极ae的发射信号传输到发光二极管ed1、ed2和ed3。连接电极cne1和cne2可以是欧姆连接电极。然而，将理解的是，本公开不限于此。连接电极cne1和cne2可以是肖特基连接电极。连接电极cne1和cne2的宽度可以小于发光二极管ed1、ed2和ed3的宽度。连接电极cne1和cne2可以位于(例如，可以接触)第一半导体层sem1a和sem1b的表面的仅部分上，并且绝缘层ins可以位于(例如，可以接触)其他部分上。
111.在一些实施例中，子连接电极可以进一步位于连接电极cne1和cne2与第一半导体层sem1a和sem1b之间。当发光二极管ed1、ed2和ed3电连接到连接电极cne1和cne2时，子连接电极可以减小通过发光二极管ed1、ed2和ed3与连接电极cne1和cne2之间的接触而产生的电阻。
112.连接电极cne1和cne2可以直接位于像素电极ae上，并且可以与像素电极ae接触。在制造工艺期间，连接电极cne1和cne2可以用作用于将像素电极ae与发光二极管ed1、ed2和ed3结合的结合金属。连接电极cne1和连接电极cne2可以包括能够电连接到像素电极ae
以及发光二极管ed1、ed2和ed3的材料。例如，连接电极cne1和cne2可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种，或者可以包括诸如氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物。可选地，连接电极cne1和cne2可以包括包含金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的一种的第一层，包含金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的另一种的第二层。
113.显示基底可以包括电连接到发光二极管ed1、ed2和ed3的第二半导体层sem2a和sem2b的共电极层cel作为单个公共层。共电极层cel可以定位为遍及显示基底的整个表面。共电极层cel可以包括与第二半导体层sem2a和sem2b相同的材料。共电极层cel和第二半导体层sem2b可以一体地形成。连接电极层cnl还可以位于共电极层cel与第二半导体层sem2a之间。连接电极层cnl的宽度可以小于第二半导体层sem2a的宽度或第一发光二极管ed1的宽度。连接电极层cnl可以包括与共电极层cel相同的材料。连接电极层cnl可以与共电极层cel和第二半导体层sem2a一体地形成。根据一些实施例，连接电极层cnl可以不与第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3叠置。例如，第一发光二极管ed1与共电极层cel间隔开，且连接电极层cnl置于第一发光二极管ed1与共电极层cel之间，并且第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3与共电极层cel直接接触，因此第一发光二极管ed1位于与第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3不同的层。第一发光二极管ed1与共电极层cel之间在厚度方向上的分隔距离可以大于第二发光二极管ed2与共电极层cel之间在厚度方向上的分隔距离。另外，第一发光二极管ed1与像素电极ae之间在厚度方向上的分隔距离可以小于第二发光二极管ed2与像素电极ae之间在厚度方向上的分隔距离。因此，第一连接电极cne1在厚度方向上的长度可以小于第二连接电极cne2在厚度方向上的长度。
114.第三半导体层sem3位于共电极层cel上。第三半导体层sem3可以是未掺杂的半导体。第三半导体层sem3可以包括与第二半导体层sem2a和sem2b相同的材料，但是可以不掺杂有n型或p型掺杂剂。在一些实施例中，第三半导体层sem3可以是但不限于未掺杂的inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。
115.显示基底可以包括面对第一基底110的第二基底sub。第二基底sub可以是透明基底。第二基底sub可以包括蓝宝石基底(al2o3)或诸如玻璃的透明基底。然而，将理解的是，本公开不限于此。支撑基底可以形成为诸如gan、sic、zno、si、gap和gaas的导电基底。根据本公开的一些实施例，第二基底sub可以是蓝宝石基底(al2o3)。
116.填充层fm可以位于第一基底110与第二基底sub之间。填充层fm可以用于填充由第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3的水平差形成的第二基底sub与第一基底110之间的空间。填充层fm材料可以包括但不限于诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)的绝缘材料。
117.顺便提及，如在一些实施例中，当发光二极管ed1、ed2和ed3的活性层mqw1、mqw2和mqw3由ingan制成时，当第一活性层mqw1发射作为第一光的红光时，内部量子效率(iqe)可能在高电流密度下降低。因此，为了降低第一活性层mqw1中的电流密度，第一活性层mqw1的面积大于第二活性层mqw2和第三活性层mqw3的面积可以是合适的。如果第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3位于同一层，则会难以增大给定区域中的第一发光二极管ed1的第一活性层mqw1的面积。相反，根据本公开的一些实施例，包括第一活性层mqw1的第一发光二极管ed1所定位的层不同于第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3所定位的层，因此可以不难增大第一活性层mqw1的面积(或宽度)。
118.如在一些实施例中，包括第一活性层mqw1的第一发光二极管ed1所定位的层不同于第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3所定位的层，因此第一发光二极管ed1的宽度w1可以通过利用附加区域而大于第二发光二极管ed2的宽度w2和/或第三发光二极管ed3的宽度w3，可以降低第一活性层mqw1的电流密度。因此，可以防止内部量子效率(iqe)的降低。
119.在下文中，将参照其他附图描述制造显示装置10的工艺操作。
120.图5是用于示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的流程图。图6至图20是示出根据本公开的一些实施例的制造显示装置的方法的工艺操作的剖视图。
121.参照图5，根据本公开的一些实施例的制造显示装置10的方法可以包括在支撑基底上形成用于发射第二光的第二发光二极管和用于发射第三光的第三发光二极管(s10)，以及在第二发光二极管和第三发光二极管上方形成用于发射第一光的第一发光二极管(s20)。图5的流程图的支撑基底可以与图4的第二基底sub相同。
122.在下文中，将参照图5至图20更详细地描述根据一些实施例的制造显示装置10的方法。
123.首先，参照图5和图6，在第二基底sub上形成第三半导体层sem3，并且在第三半导体层sem3上形成共电极层cel。
124.第三半导体层sem3可以是未掺杂的半导体。第三半导体层sem3可以包括与第二半导体层sem2a和sem2b相同的材料，但是可以不掺杂n型或p型掺杂剂。在一些实施例中，第三半导体层sem3可以是但不限于未掺杂的inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种。
125.共电极层cel可以包括与以上参照图4描述的第二半导体层sem2a和sem2b相同的材料。
126.可以通过外延生长形成共电极层cel。可以通过电子束沉积、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体激光沉积(pld)、双型热蒸发、溅射、金属有机化学气相沉积(mocvd)等来执行外延生长。例如，可以通过但不限于金属有机化学气相沉积(mocvd)来执行外延生长。也可以通过外延生长形成将在后面描述的连接电极层cnl和第一半导体层sem1a和sem1b。
127.随后，参照图7，在共电极层cel上形成支撑层spl。支撑层spl可以完全位于共电极层cel上。支撑层spl可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)的绝缘材料，并且可以用作用于形成发光二极管ed1、ed2和ed3的工艺的掩模。
128.随后，参照图8，形成穿透支撑层spl的孔h1和h2。稍后分别在孔h1和h2中形成第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3。通过蚀刻形成孔h1和h2。
129.随后，参照图5和图9，在多个孔h1和h2中形成第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3(s10)。上面已经参照图4描述了第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3的结构。因此，将省略其冗余描述。
130.随后，参照图10，在去除支撑层spl之后，形成填充层fm'，将填充层fm'用于填充第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3的上表面上方和侧表面之间的空间。将填充层fm'用于填充第二发光二极管ed2与第三发光二极管ed3之间的空间，以及第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3的表面或上表面(与图10中的上表面相比，其在图4中被描绘为下
表面)上方的区域，以提供平坦表面。填充层fm'材料可以包括但不限于诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sio
x
ny)的绝缘材料。
131.随后，参照图11，形成穿透填充层fm'的孔h3。在孔h3中形成第一发光二极管ed1。通过蚀刻形成孔h3。例如，在填充层fm'上完全形成支撑层spl(见图7)，然后与支撑层spl的将要形成孔h3的位置一致地形成附加孔。随后，可以通过蚀刻形成孔h3。
132.随后，参照图12，从共电极层cel的上表面(在图4中描绘为下表面)形成连接电极层cnl和第二半导体层sem2a。如上所述，可以通过外延生长形成连接电极层cnl和第二半导体层sem2a。可以通过电子束沉积、物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体激光沉积(pld)、双型热蒸发、溅射、金属有机化学气相沉积(mocvd)等来执行外延生长。例如，可以通过但不限于金属有机化学气相沉积(mocvd)来执行外延生长。连接电极层cnl和第二半导体层sem2a可以包括与共电极层cel相同的材料。
133.随后，参照图5和图13，形成第一发光二极管ed1(s20)。第一发光二极管ed1的宽度可以大于连接电极层cnl的宽度，并且第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3可以在厚度方向上不与连接电极层cnl叠置。上面已经参照图4描述了第一发光二极管ed1的结构。因此，将省略其冗余描述。
134.随后，参照图14，在去除填充层fm'之后，在发光二极管ed1、ed2和ed3的侧表面上以及共电极层cel上完全形成绝缘层ins'。可以在发光二极管ed1、ed2和ed3的侧表面上以及共电极层cel的未定位有发光二极管ed1、ed2和ed3的表面上直接形成绝缘层ins'。也可以将绝缘层ins'定位在连接电极层cnl的侧表面和第二半导体层sem2a的表面(面对共电极层cel的表面)上。绝缘层ins'可以包括诸如氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(aloy)和氮化铝(aln
x
)的无机绝缘材料。
135.随后，参照图15，形成反射层rla和rlb。可以将反射层rla和rlb定位在发光二极管ed1、ed2和ed3上，但可以不在发光二极管ed1、ed2和ed3之间的共电极层cel上形成反射层rla和rlb。反射层rla和rlb可以包括诸如铝(al)的具有高反射率的金属材料。
136.随后，参照图16，形成填充层fm”。可以在共电极层cel上方形成填充层fm”以补偿由第一发光二极管ed1至第三发光二极管ed3产生的水平差，以提供平坦表面。填充层fm”的材料与图4的填充层fm的材料相同。因此，将省略其冗余描述。
137.随后，如图17中所示，形成第四孔h4和第五孔h5。第四孔h4在厚度方向上穿透填充层fm、反射层rla(见图16)和绝缘层ins以暴露第一半导体层sem1a的表面。第五孔h5穿透填充层fm、反射层rlb(见图16)和绝缘层ins以暴露第一半导体层sem1b的表面。通过蚀刻形成第四孔h4和第五孔h5。
138.随后，如图18中所示，形成第一连接电极cne1和第二连接电极cne2。连接电极cne1和cne2可以包括在第一发光二极管ed1上的第一连接电极cne1，以及在第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3上的第二连接电极cne2。
139.可以在显示区域da中将第一连接电极cne1和第二连接电极cne2定位为与发光二极管ed1、ed2和ed3以及稍后将描述的像素电极ae一致。可以将第一连接电极cne1定位在第一发光二极管ed1的第一半导体层sem1a的表面上，而可以将第二连接电极cne2定位在第二发光二极管ed2和第三发光二极管ed3的第一半导体层sem1b的表面上。
140.连接电极cne1和cne2可以电连接到像素电极ae以将施加到像素电极ae的发射信
号分别传输到发光二极管ed1、ed2和ed3。连接电极cne1和cne2可以是欧姆连接电极。然而，应当理解的是，本公开不限于此。连接电极cne1和cne2可以是肖特基连接电极。连接电极cne1和cne2的宽度可以小于发光二极管ed1、ed2和ed3的宽度。连接电极cne1和cne2可以仅位于第一半导体层sem1a和sem1b的表面的一部分上，并且绝缘层ins可以位于其他部分上。
141.可以将连接电极cne1和cne2直接定位在像素电极ae上，并且连接电极cne1和cne2可以与像素电极ae接触。在制造工艺期间，连接电极cne1和cne2可以用作用于将像素电极ae与发光二极管ed1、ed2和ed3结合的结合金属。连接电极cne1和连接电极cne2可以包括能够电连接到像素电极ae以及发光二极管ed1、ed2和ed3的材料。例如，连接电极cne1和cne2可以包括金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的至少一种，或者可以包括诸如氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)的透明导电氧化物。可选地，连接电极cne1和cne2可以包括包含金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的一种的第一层，包含金(au)、铜(cu)、铝(al)和锡(sn)中的另一种的第二层。
142.第一发光二极管ed1与共电极层cel之间在厚度方向上的分隔距离可以大于第二发光二极管ed2与共电极层cel之间在厚度方向上的分隔距离。另外，第一发光二极管ed1与像素电极ae之间在厚度方向上的分隔距离可以小于第二发光二极管ed2与像素电极ae之间在厚度方向上的分隔距离(例如，见图20)。因此，第一连接电极cne1在厚度方向上的长度可以小于第二连接电极cne2在厚度方向上的长度。
143.随后，参照图19和图20，将像素电极ae与连接电极cne1和cne2放置为使得它们在第一基底110上彼此面对，然后像素电极ae与连接电极cne1和cne2分别彼此连接。
144.在下文中，将描述本公开的其他实施例。
145.图21是示出根据本公开的其他实施例的显示面板的剖视图。
146.根据与图21对应的实施例的显示面板与图4的显示面板100的不同之处在于，第一发光二极管ed1的宽度w1_1大于第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3的宽度w2和/或w3，并且当从顶部观看时，第一发光二极管ed1不与第二发光二极管ed2和/或第三发光二极管ed3叠置。
147.其他元件与以上参照图4描述的元件相同。因此，将省略其冗余描述。
148.图22是示出根据其他实施例的第一发光二极管至第三发光二极管的布局的平面视图。
149.根据与图22对应的实施例的像素px_1与图3的像素px的不同之处在于，第一发光二极管至第三发光二极管ed1、ed2和ed3以矩阵/布置结构(例如，矩阵结构、结构、rgbg矩阵结构或rgbg结构)布置。是韩国三星显示有限公司的注册商标。
150.例如，当从顶部或在平面视图中观看时，一个像素px_1的第一发光二极管ed1可以与四个第二发光二极管ed2叠置，而不与任何第三发光二极管ed3叠置。特定/主题像素px_1的第三发光二极管ed3可以位于相邻像素px_1的第一发光二极管ed1(例如，在特定/主题像素px_1的左侧上)与特定像素px_1的第一发光二极管ed1之间。此外，第三发光二极管ed3可以位于特定像素px_1的第一发光二极管ed1的左上侧上的像素px_1的第一发光二极管ed1与特定像素px_1的第一发光二极管ed1的左下侧上的像素px_1的第一发光二极管ed1之间。多个像素px_1可以在水平方向上以之字形图案布置，并且以之字形图案布置的像素px_1的
行可以在竖直方向上彼此间隔开一定距离(例如，预定距离)。
151.图23是根据本公开的一些实施例的显示装置的像素的等效电路图。图23示出了图3的一个像素px中包括的像素电路图的示例。
152.参照图23，发光二极管ed1、ed2和ed3响应于驱动电流而发射光。从发光二极管ed1、ed2和ed3发射的光的量可以与驱动电流成比例。发光二极管ed1、ed2和ed3中的每个可以是包括阳电极、阴电极以及位于阳电极与阴电极之间的无机半导体的无机发光元件。
153.发光二极管ed(例如，ed1、ed2和ed3)的阳电极可以连接到驱动晶体管dt的源电极，并且阴电极可以连接到从其施加比高电平电压低的低电平电压的第二电源电压线vsl。
154.根据栅电极与源电极之间的电压差，驱动晶体管dt分别调节从供应第一电源电压的第一电源电压线vdl流到发光二极管ed1、ed2和ed3的电流。驱动晶体管dt的栅电极可以连接到第一晶体管st1的第一电极，驱动晶体管dt的源电极可以分别连接到发光二极管ed1、ed2和ed3的阳电极，并且驱动晶体管dt的漏电极可以连接到被施加高电平电压的第一电源电压线vdl。
155.第一晶体管st1通过第一扫描线scl1的第一扫描信号而导通，以将数据线dl与驱动晶体管dt的栅电极连接。第一晶体管st1的栅电极可以连接到第一扫描线scl1，第一晶体管st1的第一电极可以连接到驱动晶体管dt的栅电极，并且第一晶体管st1的第二电极可以连接到数据线dl。
156.第二晶体管st2通过第二扫描线scl2的第二扫描信号而导通，以将初始化电压线vil与驱动晶体管dt的源电极连接。第二晶体管st2的栅电极可以连接到第二扫描线scl2，第二晶体管st2的第一电极可以连接到初始化电压线vil，并且第二晶体管st2的第二电极可以连接到驱动晶体管dt的源电极。
157.第一晶体管st1和第二晶体管st2中的每个的第一电极可以是源电极，第二电极可以是漏电极，但是本公开不限于此。也就是说，第一晶体管st1和第二晶体管st2中的每个的第一电极可以是漏电极，其第二电极可以是源电极。
158.电容器cst可以形成在驱动晶体管dt的栅电极与源电极之间。电容器cst被构造为存储等于或对应于驱动晶体管dt的栅极电压与源极电压之间的差的电压。
159.尽管图23示出了驱动晶体管dt与第一晶体管st1和第二晶体管st2中的每个被实现为n型mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)，但是应当注意的是，本公开不限于此。在一些实施例中，驱动晶体管dt以及第一晶体管st1和第二晶体管st2中的每个可以被实现为p型mosfet。
160.应当注意的是，根据一些实施例的用于显示图像的显示装置可以应用于各种设备和装置。
161.图24示出了应用根据一些实施例的显示装置10_1的虚拟现实装置1。图25示出了应用根据一些实施例的显示装置10_2的智能手表2。图26示出了其中应用根据一些实施例的显示装置10_a、10_b、10_c、10_d和10_e作为显示器的车辆。
162.参照图24，根据一些实施例的虚拟现实装置1可以是以眼镜的形式的装置。根据本公开的一些实施例的虚拟现实装置1可以包括显示装置10_1、左眼镜片10a、右眼镜片10b、支撑框架20、眼镜腿30a和30b、反射构件40和显示装置壳体50。
163.尽管在图中示出了包括眼镜腿30a和30b的虚拟现实装置1，但是可以采用具有头
带的头戴式显示器代替眼镜腿30a和30b作为根据本公开的一些实施例的虚拟现实装置1。应当理解的是，虚拟现实装置1不限于图中所示的虚拟现实装置，而是可以以各种形式应用于各种电子装置中。
164.显示装置壳体50可以包括显示装置10_1和反射构件40。显示在显示装置10_1上的图像可以被反射构件40反射并且通过右眼透片10b提供给用户的右眼。因此，用户可以通过右眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
165.尽管显示装置壳体50可以位于支撑框架20的右端，但是本公开的实施例不限于此。例如，显示装置壳体50可以位于支撑框架20的左端。在这样的情况下，显示在显示装置10_1上的图像被反射构件40反射并且通过左眼镜片10a提供给用户的左眼。因此，用户可以通过左眼观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。可选地，显示装置壳体50可以分别位于支撑框架20的左端和右端。在这样的情况下，用户可以通过左眼和右眼两者观看显示在显示装置10_1上的虚拟现实图像。
166.参照图25，根据一些实施例的显示装置10_2可以应用于智能手表2，智能手表2是一种类型的智能装置。
167.参照图26，根据本公开的一些实施例的显示装置10_a、10_b和10_c可以应用于车辆的仪表组，可以应用于车辆的中央仪表板，或者可以应用于位于车辆的仪表板上的中央信息显示器(cid)。另外，根据本公开的一些实施例的显示装置10_d和10_e可以应用于可以替代车辆的后视镜的室内镜显示器。
168.图27和图28是示出包括根据一些实施例的显示装置的透明显示装置的示例的视图。
169.参照图27和图28，根据一些实施例的显示装置10_3可以应用于透明显示装置。透明显示装置可以在显示图像im的同时透射光。位于透明显示装置的前侧的用户不仅可以观看显示在显示装置10_3上的图像im，而且还可以观看位于透明显示装置的后侧的对象rs或背景。
170.尽管已经出于说明性目的公开了本公开的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围和精神以及如所附权利要求中公开的要求保护的实施例(其中包括其功能等同物)的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。