显示设备、制造显示设备的方法和电子设备与流程

技术特征：
1.一种显示设备，包括：第一半导体基板，设置有驱动发光单元的包括像素晶体管组的驱动电路单元，所述像素晶体管组包括多个像素晶体管；以及第二半导体基板，设置有所述发光单元和外围电路单元，所述外围电路单元包括向所述驱动电路单元提供信号电压的多个外围电路晶体管，所述第二半导体基板堆叠在所述第一半导体基板上并接合至所述第一半导体基板，其中所述多个像素晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度大于所述多个外围电路晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在所述显示设备的平面图中，所述外围电路单元位于所述发光单元的周围。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述发光单元沿着所述显示设备的堆叠方向位于所述驱动电路单元的正上方。4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述发光单元和所述驱动电路单元通过穿过所述第二半导体基板的通孔电连接。5.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述发光单元和所述驱动电路单元通过穿过绝缘膜的通孔电连接。6.根据权利要求3所述的显示设备，其中所述外围电路单元设置在更靠近所述第二半导体基板的面向所述第一半导体基板的第一表面的一侧，以及所述发光单元设置在更靠近所述第二半导体基板的与所述第一表面相对的第二表面的一侧。7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述发光单元包括沿行方向和列方向布置的多个发光元件。8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述像素晶体管组被设置成对应于所述多个发光元件的每一个。9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，在更靠近所述第二半导体基板的所述第二表面的一侧设有将所述多个发光元件的电极与电源电路电连接的接触件。10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，所述接触件沿所述堆叠方向位于所述外围电路单元的正上方。11.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述外围电路单元沿所述堆叠方向位于所述驱动电路单元的正上方。12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述多个发光元件中的相邻发光元件之间的间隔比所述多个像素晶体管中的相邻像素晶体管之间的间隔窄。13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，电连接每个所述发光元件和每个所述像素晶体管的导线的导线长度基本相同。14.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述第一半导体基板和所述第二半导体基板中的每一个均包括配线层，并且所述配线层彼此接合，使得所述第一半导体基板和所述第二半导体基板接合。15.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述像素晶体管组包括驱动所述发光元件
的晶体管、根据行选择信号操作的行选择晶体管、根据列选择信号操作的列选择晶体管以及重置施加至所述发光元件的电压的重置晶体管中的至少一个。16.一种制造显示设备的方法，包括：形成设置有驱动发光单元的包括像素晶体管组的驱动电路单元的第一半导体基板，所述像素晶体管组包括多个像素晶体管；形成第二半导体基板，所述第二半导体基板设置有所述发光单元和外围电路单元，所述外围电路单元包括向所述驱动电路单元提供信号电压的多个外围电路晶体管；以及将所述第二半导体基板堆叠在所述第一半导体基板上以接合所述基板，其中在形成所述第一半导体基板时，所述多个像素晶体管被形成为使得所述多个像素晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度大于所述多个外围电路晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度。17.一种安装有一个或多个显示设备的电子设备，其中每个显示设备包括：第一半导体基板，设置有驱动发光单元的包括像素晶体管组的驱动电路单元，所述像素晶体管组包括多个像素晶体管；以及第二半导体基板，设置有所述发光单元和外围电路单元，所述外围电路单元包括向所述驱动电路单元提供信号电压的多个外围电路晶体管，所述第二半导体基板堆叠在所述第一半导体基板上并接合至所述第一半导体基板，以及所述多个像素晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度大于所述多个外围电路晶体管中的每一个的栅极氧化膜的膜厚度。

技术总结
提供了一种显示设备，包括：第一半导体基板(100)，设置有驱动发光单元(20)的包括由多个像素晶体管(400)组成的像素晶体管组的驱动电路单元(40)；以及第二半导体基板(200)，设置有外围电路单元(30)，外围电路单元(30)包括向发光单元和驱动电路单元提供信号电压的多个外围电路晶体管(300)，第二半导体基板被沉积在第一半导体基板上并接合至所述第一半导体基板。多个像素晶体管的栅极氧化膜(404)的膜厚度大于多个外围电路晶体管的栅极氧化膜(304)的膜厚度。(304)的膜厚度。(304)的膜厚度。


技术研发人员：青柳健一
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2021.06.09
技术公布日：2023/2/24