技术特征：
1.一种下式的化学品：m(fab)3·
d
y
其中m是稀土元素，优选地选自钇、la、ce、sm、tb、yb，其中fab是氟化阴离子二齿、优选地β-二酮、更优选地hfac，并且其中d是中性配体，其中y＝0至4、优选地y＝1或2，并且优选地各d独立地选自由以下组成的组：单甘醇二甲醚(1,2-二甲氧基乙烷；dme)、二甘醇二甲醚(双(2-甲氧基乙基)醚)、dmp(1,2-二甲氧基丙烷)、1-(2-甲氧基乙氧基)丙烷和乙二醇乙基甲基醚(2-甲氧基乙醇)。2.如权利要求1所述的化学品，其中m是钇。3.如权利要求1或2所述的化学品，其中该fab是β-二酮。4.如权利要求3所述的化学品，其中该β-二酮具有化学式i：其中各r可以独立地是cf3或氟二价碳基、优选地氟化的直链或支链c
1-c4烷基，更优选地各r是cf3或c2f5。5.如权利要求1或2所述的化学品，其中该fab具有化学式ii：其中各e独立地是o、s、或n-r'，其中r'是h、直链或支链c
1-c6烷基，其中各q独立地是n、p、ch、cf、cr'，其中r'是直链或支链c
1-c6烷基，其中各r'可以任选地用一个或多个f氟化，并且其中各r可以独立地是cf3或氟二价碳基、优选地氟化的直链或支链c
1-c4烷基，更优选地各r是cf3或c2f5。6.如权利要求1或2所述的化学品，其中至少一个fab选自由以下组成的组：六氟乙酰丙酮(hfac)、三氟乙酰丙酮酸盐(tfac)、2,2-二甲基-6,6,7,7,8,8,8-七氟-3,5-辛二酮(fod)、以及它们的组合。7.如权利要求1或2中任一项所述的化学品，其中至少一个d选自由以下组成的组：单甘醇二甲醚(1,2-二甲氧基乙烷；dme)、二甘醇二甲醚(双(2-甲氧基乙基)醚)、dmp(1,2-二甲氧基丙烷)、1-(2-甲氧基乙氧基)丙烷和乙二醇乙基甲基醚(2-甲氧基乙醇)、以及它们的组合。8.如权利要求1或2中任一项所述的化学品，其中y＝1或2。9.如权利要求1或2中任一项所述的化学品，其中至少一个d包含磷。
10.如权利要求9所述的化学品，其中该至少一个d选自由以下组成的组：磷酸三甲酯、磷酸三正丁酯、三-(2,2,2-三氟乙基)磷酸酯、三-(3,3,3,2,2-五氟丙基)磷酸酯、以及它们的组合。11.如权利要求1或2中任一项所述的化学品，其中该化学品在1个大气压和50℃或更低下是液体、优选地在25℃或更低下是液体、更优选地在20℃或更低下是液体。12.如权利要求1所述的化学品，其选自由以下组成的组a.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1,2-二甲氧基乙烷，b.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1,2-二甲氧基丙烷，c.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)2-甲氧基乙醇，以及d.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1-(2-甲氧基乙氧基)丙烷。13.如权利要求1所述的化学品，其选自由以下组成的组a.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1,2-二甲氧基丙烷，b.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)2-甲氧基乙醇，以及c.六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1-(2-甲氧基乙氧基)丙烷。14.如权利要求1所述的化学品，其中该化学品是六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1,2-二甲氧基乙烷。15.如权利要求1所述的化学品，其中该化学品是六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1,2-二甲氧基丙烷。16.如权利要求1所述的化学品，其中该化学品是六氟乙酰丙酮酸钇(iii)2-甲氧基乙醇。17.如权利要求1所述的化学品，其中该化学品是六氟乙酰丙酮酸钇(iii)1-(2-甲氧基乙氧基)丙烷。18.一种化学品组合物，其包含如权利要求1-17中任一项所述的化学品。19.如权利要求18所述的化学品组合物，其中如权利要求1-17中任一项所述的化学品是按重量计、按摩尔百分比计、或按两者计该化学品组合物的95％或更多。20.如权利要求19所述的化学品组合物，其中如权利要求1-17中任一项所述的化学品是按重量计、按摩尔百分比计、或按两者计该化学品组合物的99％或更多。21.如权利要求20所述的化学品组合物，其中如权利要求1-17中任一项所述的化学品是按重量计、按摩尔百分比计、或按两者计该化学品组合物的99.9％或更多。22.如权利要求18所述的化学品组合物，其中该化学品组合物具有小于以下量的以下指定杂质：a.小于1％、优选地小于0.1％的氯杂质。23.一种在形成制品的全部或部分的化学反应性材料的表面上沉积保形且粘附的mof或mf3薄膜的方法，该方法包括以下步骤：a.首先将该表面暴露于如权利要求18所述的含金属的化学品组合物的蒸气，b.其次将该表面暴露于氧化剂气体、优选地臭氧，以及c.重复步骤a.和b.、优选地顺序为a.然后b.，以在该表面上形成期望厚度的保形且粘附的mof或mf3膜。24.如权利要求23所述的方法，其中在步骤a.和/或步骤b.期间温度是从200℃至350
℃、优选地从250℃至300℃、更优选地从250℃至275℃。25.如权利要求23或24所述的方法，其中该保形且粘附的mof或mf3膜包含小于15％的氧原子百分比、优选地小于10％的氧原子百分比、更优选地小于5％的氧原子百分比，以及小于3％的碳原子百分比、优选地小于1.5％的碳原子百分比。26.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中被该保形且粘附的mof或mf3膜涂覆的该化学反应性材料的表面包含具有6.25:1或更大、诸如10:1或20:1的纵横比的结构特征。27.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中在步骤b.之前，不吹扫来自步骤a.的如权利要求12-16中任一项所述的含金属的化学品组合物的蒸气。28.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中沉积的每次循环的膜生长是0.11埃或更大、优选地0.14埃或更大、更优选地0.24埃或更大，诸如0.24埃至0.30埃。29.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中该mof或mf3膜自下伏表面起的厚度是从5nm至1000nm、优选地10nm至500nm、更优选地10nm至100nm，诸如20nm、25nm、或30nm。30.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中通过扫描电子显微镜测量，最终的mof或mf3膜是20％至100％保形的、优选地50％至100％、更优选地80％至100％，诸如95％至100％。31.如权利要求23或24中任一项所述的方法，其中该mof或mf3膜自下伏表面起的厚度是从10nm至100nm并且是95％至100％保形的。32.如权利要求23或24所述的方法，其中，根据astm d3330/d3330m-04(2018)，使用采用对钢具有2.5n/cm的粘附力的胶带的剥离测试，该mof或mf3膜不从下伏表面剥离。33.一种包含化学反应性材料的制品，该制品进一步包含涂覆该制品的保形且粘附的mof或mf3层，其中m是稀土元素，并且其中mof或mf3涂覆层覆盖大于50％的该化学反应性材料的表面、优选地大于90％的该表面、甚至更优选地大于95％的该表面，诸如99％或99.9％。34.如权利要求33所述的制品，其中m是钇。35.如权利要求33或34所述的制品，其中涂覆该制品的该保形且粘附的mof或mf3层的厚度是1000nm或更小、优选地5nm至250nm、更优选地10nm至100nm，诸如15nm、20nm、25nm、或30nm。36.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中通过扫描电子显微镜测量，涂覆该制品的该保形且粘附的mof或mf3层是20％至100％保形的、优选地50％至100％、更优选地80％至100％，诸如95％至100％。37.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中使用采用胶带的剥离测试，涂覆该制品的该保形且粘附的mof或mf3层不从该制品剥离，其中该胶带根据astm d3330/d3330m-04(2018)对钢具有2.5n/cm的粘附力。38.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中该制品被设计用于、并且被配置成在原子层沉积工艺中操作，其中该制品的表面既包含该化学反应性材料并且也暴露于在该原子层沉积工艺中使用的沉积工艺化学品，并且其中该沉积工艺化学品能够在该原子层沉积工艺期间与该化学反应性材料反应。39.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中该制品被设计用于、并且被配置成在蚀刻气体环境中操作，其中该制品的表面既包含该化学反应性材料并且也暴露于能够与该
化学反应性材料化学反应的蚀刻气体。40.如权利要求39所述的制品，其中该蚀刻气体环境是半导体制造工艺中的蚀刻工艺。41.如权利要求40所述的制品，其中该制品是喷头，该喷头被设计并且配置成用于将该蚀刻气体引入外壳或腔室内的该蚀刻工艺中。42.如权利要求40所述的制品，其中该外壳或腔室是蚀刻腔室，并且该半导体制造工艺是利用碳氟化合物蚀刻气体的干式蚀刻工艺。43.如权利要求42所述的制品，其中该制品是喷头，该喷头被设计并且配置成用于将该蚀刻气体引入外壳或腔室内的该蚀刻工艺中。44.如权利要求43所述的制品，其中该外壳或腔室是分批蚀刻腔室，并且该半导体制造工艺是利用碳氟化合物蚀刻气体的干式蚀刻工艺。45.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中该蚀刻气体环境是nf3远程等离子体。46.如权利要求33或34中任一项所述的制品，其中该化学反应性材料的表面包含具有6.25:1或更大、诸如10:1或20:1的纵横比的结构特征。47.一种将蚀刻气体输送至蚀刻工艺的方法，其包括以下步骤：a.经由如权利要求33或34中任一项所述的制品将该蚀刻气体引入该蚀刻工艺中。
技术总结
公开了一类含稀土的化学品。这些含稀土的化学品适合用于顺序气相沉积工艺以形成稀土氟化物或稀土氟氧化物膜。此种膜可以用于保护材料和器件免受腐蚀性化学品的腐蚀。材料和器件免受腐蚀性化学品的腐蚀。
技术研发人员：寺本乔 克里斯汀
受保护的技术使用者：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
技术研发日：2021.06.16
技术公布日：2023/2/13
再多了解一些
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