半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：着陆垫；以及电容器，设置于所述着陆垫上且与所述着陆垫电性连接，其中所述电容器包括：圆柱形底电极，设置于所述着陆垫上且与所述着陆垫接触，其中所述圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且所述圆柱形底电极的外表面包括多个凹部；介电层，共形地设置在所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上，且覆盖所述圆柱形底电极的所述多个凸部及所述多个凹部；以及顶电极，共形地设置在所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上方的所述介电层上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个凸部彼此分离，且所述多个凹部彼此分离。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括支撑结构，其自所述圆柱形底电极的所述外表面支撑所述电容器。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述支撑结构包括：第一部分，支撑所述圆柱形底电极的底部；以及第二部分，支撑所述圆柱形底电极的中间部。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括多个岛状结构，其夹设在所述支撑结构与所述圆柱形底电极的所述外表面之间。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述多个岛状结构是由钛或氧化硅制成。7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供着陆垫；交替地形成支撑层及氧化层于所述着陆垫上；图案化所述支撑层及所述氧化层，以形成圆柱形开口，其中所述支撑层被图案化以形成支撑结构；形成多个岛状结构于所述支撑结构与所述氧化层上及所述圆柱形开口的侧壁上；共形地形成导电层于所述多个岛状结构上及所述圆柱形开口内；图案化所述导电层以形成圆柱形底电极，其中所述圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且所述圆柱形底电极的外表面包括多个凹部；剥离所述氧化层并移除未被所述支撑结构覆盖的所述多个岛状结构；共形地形成介电层于所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上，且覆盖所述圆柱形底电极的所述多个凸部及所述多个凹部；以及共形地形成顶电极于所述圆柱形底电极的所述内表面及所述外表面上方的所述介电层上。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多个岛状结构是由氧化硅制成，且其中剥离所述氧化层并移除未被所述支撑结构覆盖的所述多个岛状结构的方法，包括执行单一蚀刻制程，以连同所述多个岛状结构移除所述氧化层。9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多个岛状结构是由钛制成，且所述多个岛状结构被氧化以形成氧化钛，其中剥离所述氧化层并移除未被所述支撑结构覆盖
的所述多个岛状结构的方法，包括执行单一蚀刻制程，以连同所述多个岛状结构移除所述氧化层。10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多个岛状结构形成在所述圆柱形开口的所述侧壁上及所述着陆垫上，且在形成所述导电层之前，移除位于所述着陆垫上的所述多个岛状结构。11.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多个岛状结构选择性地形成在所述圆柱形开口的所述侧壁上，且不形成在所述着陆垫上。

技术总结
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括着陆垫以及设置于着陆垫上且与着陆垫电性连接的电容器。电容器包括圆柱形底电极、介电层以及顶电极。圆柱形底电极设置于着陆垫上且与着陆垫接触，其中圆柱形底电极的内表面包括多个凸部，且圆柱形底电极的外表面包括多个凹部。介电层共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上，且覆盖圆柱形底电极的多个凸部及多个凹部。顶电极共形地设置在圆柱形底电极的内表面及外表面上方的介电层上。柱形底电极的内表面及外表面上方的介电层上。柱形底电极的内表面及外表面上方的介电层上。


技术研发人员：高场裕之
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/12/8