电子封装件及其制法的制作方法

1.本发明有关一种封装结构，尤指一种具散热件的电子封装件及其制法。


背景技术：

2.随着电子产品在功能及处理速度的需求的提升，作为电子产品的核心组件的半导体芯片需具有更高密度的电子元件(electronic components)及电子电路(electronic circuits)，故半导体芯片在运行时将随之产生更大量的热能。此外，由于传统包覆该半导体芯片的封装胶体为一种导热系数仅0.8瓦/(公尺.克耳文)(w.m-1
.k-1
)的不良传热材料(即热量的逸散效率不佳)，因而若不能有效逸散半导体芯片所产生的热量，将会造成半导体芯片的损害与产品信赖性问题。
3.因此，为了迅速将热能散逸至外部，业界通常在半导体封装件中配置散热片(heat sink或heat spreader)，该散热片通常经由散热胶，如导热介面材(thermal interface material，简称tim)，结合至半导体芯片背面，以借散热胶与散热片逸散出半导体芯片所产生的热量；此外，通常令散热片的顶面外露出封装胶体或直接外露于大气中，从而取得较佳的散热效果。
4.如图1所示，现有半导体封装件1先将一半导体芯片11以其作用面11a利用覆晶接合方式(即通过导电凸块110与底胶111)设于一封装基板10上，再将一散热件13以其顶片130经由tim层12结合于该半导体芯片11的非作用面11b上，且该散热件13的支撑脚131通过粘着层14架设于该封装基板10上。
5.于运行时，该半导体芯片11所产生的热能经由该非作用面11b、tim层12而传导至该散热件13的顶片130以散热至该半导体封装件1的外部。
6.此外，为了配合电子产品逐渐朝多接点(i/o)、大尺寸封装规格、大面积及高散热等发展趋势，遂采用液态金属(liquid metal)制作tim层12，以取代传统的硬质材tim。
7.然而，现有半导体封装件1中，因该tim层12为液态金属，其为流体，且于高温时会膨胀，使其无法稳定地铺设于该半导体芯片11的非作用面11b上，甚至会溢流出该半导体封装件1外，造成该半导体封装件1外部的其它元件受污染。
8.因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。


技术实现要素：

9.鉴于上述现有技术的种种缺陷，本发明提供一种电子封装件及其制法，可调节热胀冷缩时的体积空间。
10.本发明的电子封装件，包括：承载结构；电子元件，其设于该承载结构上；散热体，其环设于该电子元件上；散热件，其设于该散热体上，以令该电子元件、散热体与散热件形成一容置空间；以及散热材，其形成于该容置空间中且接触该散热件与该电子元件，其中，该散热材与该散热体之间形成有流体调节空间。
11.本发明还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一发热物及一散热件，该发热物
包含承载结构及设于该承载结构上的电子元件；将散热体环设于该电子元件上；形成散热材于该电子元件上；以及将该散热件设于该散热体上，以令该电子元件、散热体与散热件形成一容置空间，使该散热材位于该容置空间中且接触该散热件与该电子元件，其中，该散热材与该散热体之间形成有流体调节空间。
12.前述的电子封装件及其制法中，该流体调节空间存有空气或填满该散热材。
13.前述的电子封装件及其制法中，该散热体呈环状围绕该散热材，以令该散热材的外周缘与该散热体的内周缘定义出该流体调节空间。
14.前述的电子封装件及其制法中，该散热体沿该电子元件的上表面边缘设置。
15.前述的电子封装件及其制法中，该散热体形成有至少一调节通道，其具有气体区段，且该气体区段连通该流体调节空间与该散热体外部。例如，该调节通道还具有形成于内环面的流体区段，其采用朝该气体区段渐缩的型态连通该气体区段，以令该流体区段界定出该流体调节空间。或者，该调节通道的最小宽度介于10至1200微米之间，进一步，该调节通道的最小宽度介于10至800微米之间。
16.前述的电子封装件及其制法中，该流体调节空间的容积大于或等于该散热材于受热后的体积膨胀量与该容置空间于受热后的体积变化量的差值。
17.前述的电子封装件及其制法中，该流体调节空间的容积与该散热材的体积的比值介于27.72至146.16(μm3/mm3)之间。
18.前述的电子封装件及其制法中，该散热件具有对应该容置空间的凹部，其内填满该散热材。例如，该凹部为凹槽，其位于该散热件的对应该容置空间的中心处的位置上。或者，该凹部为沟道，其沿该散热件的对应该容置空间的边缘配置。抑或，该散热件还具有连通该凹部的辅助通道。进一步，该散热体形成有至少一调节通道，其具有气体区段，且该气体区段连通该流体调节空间与该散热体外部，以令该辅助通道连通或不连通该气体区段。
19.由上可知，本发明的电子封装件及其制法，可有效经由该散热体防止该散热材溢流出该电子封装件外，因而可避免该电子封装件外部的其它元件受到污染的问题，且主要经由该散热体与散热材之间形成有流体调节空间，供作为该散热材于进行热胀冷缩时的体积调节空间，因而可避免流体的不可压缩性所造成的爆裂问题。
附图说明
20.图1为现有半导体封装件的剖视示意图。
21.图2a至图2c为本发明的电子封装件的第一实施例的制法的剖面示意图。
22.图2a-1为图2a的上视示意图。
23.图2c-1为图2c省略散热材的局部放大剖视示意图。
24.图2c-2为图2c-1的另一实施例的剖视示意图。
25.图2d为图2c省略散热件的上视示意图。
26.图2d-1为图2d的局部放大上视示意图。
27.图2d-2为图2d-1的另一实施例的上视示意图。
28.图3a至图3c为本发明的电子封装件的第二实施例的制法的剖面示意图。
29.图3a-1为图3a的散热片的下视平面示意图，其中，图3a为图3a-1的a-a剖面线的剖面图。
30.图3d为图3c所示的制程于受压后的剖视示意图。
31.图3d-1为图3c省略散热件的上视示意图。
32.图4a至图4c为本发明的电子封装件的第三实施例的制法的剖面示意图。
33.图4a-1为图4a的散热片的下视平面示意图，其中，图4a为图4a-1的b-b剖面线的剖面图。
34.图4c-1为图4c沿c1-c1横切面的上视示意图。
35.图4d-1为图4c所示的制程于受压前的局部放大剖视示意图。
36.图4d-2为图4c的局部放大剖视示意图。
37.附图标记说明
38.1:半导体封装件
39.10:封装基板
40.11:半导体芯片
41.11a,25a:作用面
42.11b,25b:非作用面
43.110:导电凸块
44.111,250:底胶
45.12:tim层
46.13:散热件
47.130:顶片
48.131,21:支撑脚
49.14:粘着层
50.2,3,4:电子封装件
51.2a:发热物
52.2b,3b,4b:散热件
53.20:散热片
54.20a:第一侧
55.20b:第二侧
56.22:散热体
57.220:调节通道
58.221:流体区段
59.222:气体区段
60.23:散热材
61.230:空气间隙
62.24:承载结构
63.25:电子元件
64.25c:侧面
65.26:结合材
66.30,40:凹部
67.31:辅助通道
68.a:流体调节空间
69.d:截面积
70.d1,d2,w:宽度
71.r:虚线轮廓
72.r1:实线轮廓
73.s,s1:容置空间
74.z:中心区域。
具体实施方式
75.以下经由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
76.须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
77.图2a至图2c为本发明的电子封装件2的第一实施例的制法的剖面示意图。
78.如图2a所示，提供一发热物2a，且于该发热物2a上布设散热体22。
79.于本实施例中，该发热物2a例如为一封装模块，其包含一承载结构24及配置于该承载结构24上的电子元件25，且该散热体22结合于该电子元件25上，并于该承载结构24上形成如胶材的结合材26。
80.所述的承载结构24例如为具有核心层与线路结构的封装基板、无核心层(coreless)形式线路结构的封装基板、具导电硅穿孔(through-silicon via，简称tsv)的硅中介板(through silicon interposer，简称tsi)或其它板型，其包含至少一绝缘层及至少一结合该绝缘层的线路层，如至少一扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer，简称rdl)。应可理解地，该承载结构24也可为其它承载芯片的板材，如导线架(lead frame)、晶圆(wafer)、或其它具有金属布线(routing)的板体等，并不限于上述。
81.所述的电子元件25为主动元件、被动元件、封装体(chip module)或其组合者，其中，该主动元件例如为半导体芯片，而该被动元件为例如电阻、电容及电感。于本实施例中，该电子元件25为半导体芯片，其具有相对的作用面25a(或下表面)与非作用面25b(或上表面)，并使该作用面25a经由多个如焊锡材料、金属柱(pillar)或其它等的导电凸块以覆晶方式设于该承载结构24的线路层上并电性连接该线路层，且以底胶250封装该电子元件25，而该散热体22结合于该非作用面25b上；或者，该电子元件25可经由多个焊线(图未示)以打线方式电性连接该承载结构24的线路层；抑或，该电子元件25可直接接触该承载结构24的线路层。应可理解地，且有关电子元件25电性连接承载结构24的方式繁多，且于该承载结构24上可接置所需类型及数量的电子元件，并不限于上述。
82.此外，该散热体22环绕布设于该非作用面25b的边缘，以呈环状，且该散热体22形
成有调节通道220(如图2a-1所示)，以调节后续制程用的散热材23的体积。
83.所述的调节通道220定义出一连通该散热体22环内的非作用面25b处的流体区段221，以及至少一连通该流体区段221至该非作用面25b外的气体区段222。例如，该气体区段222的其中一开口端连通该流体区段221，而该气体区段222的另一开口端远离该流体区段221，如图2a-1所示的连通该承载结构24或连通外界环境。较佳地，该流体区段221的截面积d朝该气体区段222的方向渐缩，如图2a-1所示，且该气体区段222为沟道，其相对两侧的间距(即该气体区段222的宽度w)可依需求渐缩(图未示)或一致化(如图2a-1所示的直条状)。应可理解地，该气体区段222的沟道路径与形状可依需求设计，并无特别限制。
84.另外，该散热体22具有低导热系数，约2～20瓦/(公尺.克耳文)(wm-1k-1)，其可为含有硅胶材或如压克力材的紫外线(uv)胶等结合膜，且其还可包含金属颗粒、石墨材或其它适当充填物。例如，该硅胶材不仅具有高延展性，且其热传导系数也高于uv胶，故相比于uv胶，该散热体22选用硅胶材较佳。
85.如图2b所示，提供一散热件2b，且形成散热材23于该电子元件25的非作用面25b上，使该散热材23与该电子元件25的非作用面25b之间接合紧密而无其它介质(如空气或其它气体)。于另一实施例中，也可先形成该散热材23，再于该承载结构24上形成该结合材26。
86.于本实施例中，该散热材23具有高导热系数，约25～80瓦
·
公尺-1
克耳文-1
(wm-1
k-1
)。例如，该散热材23为固态铟(in)或液态金属。
87.此外，该散热件2b包括一散热片20与至少一立设于该散热片20上的支撑脚21，其中，该散热片20具有相对的第一侧20a与第二侧20b。
88.另外，该散热材23位于该散热体22的环内，且该散热片20的第一侧20a的表面上可依需求对应布设该散热材23。
89.另外，该支撑脚21设于该散热片20的第一侧20a的边缘处而朝该承载结构24延伸。
90.如图2c所示，将该散热件2b结合于该发热物2a上，以令该散热片20经由该散热材23结合至该发热物2a的电子元件25上，且令该散热件2b的支撑脚21结合至该发热物2a的承载结构24上的结合材26上，使该电子元件25的非作用面25b、散热片20的第一侧20a及该散热体22形成一容置空间s，如图2c-1所示，以容置该散热材23。之后，进行烘烤固化，以获取所需的电子封装件2。
91.于本实施例中，该散热材23作为导热介面材(thermal interface material，简称tim)，从而供结合发热物2a，如图2d所示。例如，该散热材23的外周缘与该散热体22的内周缘形成一空气间隙230，该空气间隙230与该流体区段221合并界定出流体调节空间a，且若该散热材23于热膨胀后会朝该散热体22外扩，因该散热材23为流体而具有不可压缩性，故该流体调节空间a可供该散热材23热膨胀时的体积涨缩调节，如图2d-1至图2d-2所示的该散热材23填满该空气间隙230而散流至该流体区段221，因而能避免挤压爆裂(popcorn)问题。
92.此外，该散热体22的气体区段222因其宽度w设计使其可以经由表面张力及内聚力作用而止挡该散热材23扩散而自该容置空间s向外溢流，故该散热体22能防止该散热材23由侧向(即该电子元件25的侧面25c的方向)泄漏的问题。例如，该宽度w为10至1200微米(um)，较佳为10至800微米。
93.另外，该流体区段221可容置部分该散热材23以调节该散热材23的体积，如图2d-1
至图2d-2所示，且该气体区段222保持空气状态以调节气体的体积，使多余的气体快速排逸至预定处，即该散热材23不会存留于该气体区段222中。
94.另外，该流体调节空间a的容积大于或等于该散热材23在高温(约300℃)的体积膨胀量(如图4d-1至图4d-2所示的23体积变化量e)以及该容置空间s于受热(约300℃)时而发生翘曲所产生的体积变化量(即如图2c-2所示的翘曲状态的容置空间s1减去正常容置空间s，其中，当该容置空间s的容积受热变大时，则该体积变化量e为正值，而当该容置空间s的容积受热变小时，则该体积变化量e为负值)的差值(即a≧e-(s1-s))。例如，在常温下，当该散热材23为液态金属(其镓(ga)/铟(in)配比为7:3，但不以此为限)时，该流体调节空间a的容积与该散热材23的体积的比值介于27.72至146.16(μm3/
㎜3)之间，可达到最佳的流体的体积的调节作用，并使该散热材23与散热件2b之间的有效接触散热面积于受热翘曲状态发生的前后皆达到最佳化。由此可知，该流体调节空间a的容积需考虑该散热材23的热膨胀量及该容置空间s因受热而发生翘曲所产生的体积变化量。
95.因此，本发明的电子封装件2，其经由该散热体22与散热材23之间形成有该空气间隙230与该流体区段221合并界定出流体调节空间a，供作为该散热材23于进行热胀冷缩时的体积调节空间，因而可避免流体的不可压缩性所造成的爆裂问题。应可理解地，该流体调节空间a也可只包含该流体区段221，而该散热体22与散热材23之间没有空气间隙230，以仅经由该流体区段221调节流体体积。
96.进一步，经由该散热体22具有该调节通道220的设计，以提供调节该散热材23热膨胀的空间，再经由该气体区段222提供空气体积的调节，使空气可向外溢散排出，而不会受到挤压，故相比于现有技术，本发明的流体区段221能提供调节该散热材23热膨胀的空间，以于高温时，该散热材23能稳定地铺设于该电子元件25的非作用面25b上，并经由该气体区段222的宽度w设计，使该气体区段222可经由表面张力及内聚力作用，以产生止挡该散热材23溢流至该气体区段222内的效果，不仅能有效防止该散热材23溢流出该电子封装件2外，避免该电子封装件2外部的其它元件受到污染的问题，且经由该气体区段222能调节压力而避免发生爆孔(popcorn)的问题。
97.另外，经由该流体区段221采用截面积d渐缩的设计，使作为该散热材23的入口侧的宽度d1较大(此处的压力较小)，如图2d所示，以令该散热材23于受压后会朝该流体区段221流动，并经由该流体区段221的渐缩状设计，可有效加大流体的体积调节空间。
98.图3a至图3c为本发明的电子封装件3的第二实施例的制法的剖面示意图。本实施例与第一实施例的差异在于散热件3b的结构，故以下不再赘述相同处。
99.如图3a所示，提供一具有如凹槽状的凹部30的散热件3b，且该凹部30形成于散热片20的第一侧20a上，其呈矩形状，如图3a-1所示。
100.于本实施例中，该凹部30位于该散热片20的第一侧20a的表面中心处的位置上，且该散热片20的第一侧20a上也可形成有连通该凹部30边缘的至少一辅助通道31。例如，该辅助通道31的位置可对应该调节通道220的位置。应可理解地，该辅助通道31的形状也可依需求设计，如对应该调节通道220的形状、宽度一致化(如图3a-1所示的平直化沟道)或其它型态，并无特别限制。
101.如图3b所示，进行如图2b所示的制程，形成散热材23于该电子元件25的非作用面25b上，且可将部分该散热材23布设于该散热件3b的凹部30中。
102.如图3c所示，将该散热件3b结合于该发热物2a上，以令该散热片20经由该散热材23结合至该发热物2a的电子元件25上，且令该散热件2b的支撑脚21结合至该发热物2a的承载结构24上的结合材26上，使该电子元件25的非作用面25b、散热片20、凹部30及该散热体22形成容置空间，以容置该散热材23，其中，该凹部30填满该散热材23。之后，进行烘烤固化，以获取所需的电子封装件3。
103.于本实施例中，该散热体22与散热材23之间形成有流体调节空间a，供作为该散热材23于进行热胀冷缩时的体积调节空间，且若该散热材23于热膨胀后会朝该散热体22外扩，该流体调节空间a可供该散热材23热膨胀时的体积涨缩调节，如图3d及图3d-1所示的该散热材23填满该空气间隙230。
104.另外，该辅助通道31用于调节气体的体积，供气体逸散以防止发生爆孔(popcorn)的问题，且该辅助通道31可连通该调节通道220或不连通该调节通道220。具体地，该辅助通道31的功效如同该气体区段222，以经由该辅助通道31提供空气体积的调节，使空气可向外溢散排出，而不会受到挤压，故本发明经由该辅助通道31的宽度d2设计，例如，该宽度d2为10至1200微米(um)，较佳为10至800微米，如图3d-1所示，使该辅助通道31可经由表面张力及内聚力作用，以产生止挡该散热材23溢流至该辅助通道31内的效果，不仅能有效防止该散热材23溢流出该电子封装件2外，避免该电子封装件2外部的其它元件受到污染的问题，且经由该辅助通道31能调节压力而避免发生爆孔(popcorn)的问题。
105.因此，本发明的电子封装件3经由该散热件3b具有凹部30的设计，以增加容置该散热材23的空间，而能填入更多该散热材23，故当该电子封装件3因受热而发生翘曲现象(如图2c-2所示)时，经由预先填入较多散热材23的填充量，以补偿该翘曲现象所造成的容置空间的变形量，使该散热材23与该散热件3b之间的散热接触面积仍可符合需求，以有效进行散热作用。较佳地，当该电子封装件3的翘曲方向呈u状(如图2c-2所示的虚线轮廓r的笑脸状态)时，该凹部30的补偿状况更好。换言之，于第一实施例中，当发生如图2c-2所示的翘曲现象时，该散热材23与该散热片20的接触面积会减小，致使其散热效率不如本实施例。
106.图4a至图4c为本发明的电子封装件4的第三实施例的制法的剖面示意图。本实施例与第一实施例的差异在于散热件4b的设计，故以下不再赘述相同处。
107.如图4a所示，提供一具有如沟道状的凹部40的散热件4b，且该凹部40形成于该散热片20的第一侧20a上，其呈环状，如图4a-1所示的矩形环。
108.于本实施例中，该凹部40沿该配置的电子元件25的非作用面25b边缘并位于该散热体22的环内，以形成于该散热片20的第一侧20a的表面中心区域z的边缘，如图4a-1所示，且该散热片20的第一侧20a上也可形成有至少一连通该凹部40的辅助通道31。例如，该辅助通道31的位置可对应该调节通道220的位置。
109.如图4b所示，进行如图2b所示的制程，形成散热材23于该电子元件25的非作用面25b上，且可将部分该散热材23布设于该凹部40内环处的散热片20上。
110.如图4c所示，将该散热件4b结合于该发热物2a上，以令该散热片20经由该散热材23结合至该发热物2a的电子元件25上，且令该散热件2b的支撑脚21结合至该发热物2a的承载结构24上的结合材26上，使该电子元件25的非作用面25b、散热片20、凹部40及该散热体22形成容置空间，以容置该散热材23，其中，该凹部40可填充该散热材23，如图4c-1所示。之后，进行烘烤固化，以获取所需的电子封装件4。
111.于本实施例中，该散热材23于热膨胀后会朝该散热体22外扩，使该散热材23填充流体调节空间a(如图2d-1至图2d-2)。
112.因此，本发明的电子封装件4经由该散热件4b具有凹部40的设计，以增加容置该散热材23的空间，而能填入更多该散热材23，如图4c所示，故当该电子封装件4因受热而发生翘曲现象(如图2c-2所示)时，经由预先填入较多散热材23的填充量，以补偿该翘曲现象所造成的容置空间s的变形量，使该散热材23与该散热件4b之间的散热接触面积仍可符合需求，以有效进行散热作用。较佳地，当该电子封装件4的翘曲方向呈倒u状(如图2c-2所示的实线轮廓r1的哭脸状态)时，该凹部40的补偿状况更好。
113.另外，该辅助通道31用于调节气体的体积，供气体逸散以防止发生爆孔(popcorn)的问题，且该辅助通道31可连通该调节通道220或不连通该调节通道220。具体地，该辅助通道31的功效如同该气体区段222，以经由该辅助通道31提供空气体积的调节，使空气可向外溢散排出，而不会受到挤压，故本发明经由该辅助通道31的宽度d2设计，例如，该宽度d2为10至1200微米(um)，较佳为10至800微米，如图4c-1所示，使该辅助通道31可经由表面张力及内聚力作用，以产生止挡该散热材23溢流至该辅助通道31内的效果，不仅能有效防止该散热材23溢流出该电子封装件2外，避免该电子封装件2外部的其它元件受到污染的问题，且经由该辅助通道31能调节压力而避免发生爆孔(popcorn)的问题。
114.于其它实施例中，该凹部40也可为直条状，以沿该配置的电子元件25的非作用面25b边缘并位于该散热体22的环内，以形成于该散热片20的第一侧20a的表面中心区域z的边缘。
115.本发明也提供一种电子封装件2,3,4，包括：一承载结构24、一设于该承载结构24上的电子元件25、环设于该电子元件25上的散热体22、设于该电子元件25上的散热材23、以及一设于该散热体22上的散热件2b,3b,4b。
116.所述的电子元件25、散热体22与散热件2b,3b,4b形成有一容置空间s。
117.所述的散热材23形成于该容置空间s中且接触该散热件2b,3b,4b与该电子元件25，其中，该散热材23与该散热体22之间形成有流体调节空间a。
118.于一实施例中，该流体调节空间a存有空气(如空气间隙230及/或流体区段221)或填满该散热材23。
119.于一实施例中，该散热体22呈环状围绕该散热材23，以令该散热材23的外周缘与该散热体22的内周缘定义出该流体调节空间a。
120.于一实施例中，该散热体22沿该电子元件25的表面边缘设置。
121.于一实施例中，该散热体22形成有至少一调节通道220，其具有气体区段222，且该气体区段222连通该流体调节空间a与该散热体22外部。例如，该调节通道22还具有形成于内环面的流体区段221，其采用朝该气体区段222渐缩的型态连通该气体区段222，以令该流体区段221界定出该流体调节空间a。或者，该调节通道220的最小宽度w介于10至1200微米之间，较佳为介于10至800微米之间。
122.于一实施例中，该流体调节空间a的容积大于或等于该散热材23于受热后的体积膨胀量与该容置空间s于受热后的体积变化量的差值。
123.于一实施例中，该流体调节空间a的容积与该散热材23的体积的比值介于27.72至146.16(μm3/mm3)之间。
124.于一实施例中，该散热件3b,4b具有对应该容置空间s的凹部30,40，其内填满该散热材23。例如，该凹部30为凹槽，其位于该散热件3b的对应该容置空间s中心处的位置上。或者，该凹部40为沟道，其沿该散热件4b的对应该容置空间s的边缘配置。抑或，该散热件3b,4b还具有连通该凹部30,40的辅助通道31。进一步，该散热体22形成有至少一调节通道220，其具有气体区段222，且该气体区段222连通该流体调节空间a与该散热体22外部，以令该辅助通道31连通或不连通该气体区段222。
125.综上所述，本发明的电子封装件及其制法，主要经由该散热体围绕该散热材而可有效防止该散热材溢流出该电子封装件外，因而能避免该电子封装件外部的其它元件受到污染的问题，且该散热体与该散热材之间形成有流体调节空间，供作为该散热材于进行热胀冷缩时的体积调节空间，因而可避免流体的不可压缩性所造成的爆裂问题。
126.上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。