电子装置的制作方法

1.本公开是有关于一种电子装置，且特别是有关于电子装置中的一种电路结构。


背景技术：

2.在将电路板结合(bonding)到基板的制程中，涂布在基板及电路板的接触面的异方性导电膜会容易受到结合刀头的压迫而溢出，如此一来，可能会导致导线间的短路。因此，需要一种电路结构来改善现有技术的缺点。


技术实现要素：

3.本公开的一些实施例提供一种电子装置中的电路结构，包括一基板以及一挡墙。多个条导线设置于基板上。挡墙设置于基板上，并包括多个间隔部。在一俯视图中，这些导线的其中一者至少有一部分位于这些间隔部之中的相邻两者之间。
附图说明
4.本案公开的各面向可由以下的详细说明并配合所附附图来完整了解。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。
5.图1表示根据本公开一些实施例的电子装置的电路结构的示意图。
6.图2表示根据本公开一些实施例的电子装置的电路结构的示意图。
7.图3a表示本公开的电子装置内部堆叠结构的剖面结构示意图。
8.图3b表示根据本公开一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构的剖视图。
9.图4表示根据本公开另一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构的剖视图。
10.图5表示根据本公开另一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构的剖视图。
11.图6表示根据本公开另一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构的剖视图。
12.符号说明：
13.10:基板
14.11:导线
15.20:电路板
16.21:电路板接垫
17.30:挡墙
18.30a:绝缘层
19.30a’:绝缘层
20.30b:有机层
21.30c:金属层
22.30d:金属层
23.30e:绝缘层
24.31:间隔部
25.32:连接部
26.40:接合元件
27.40a:导电粒子
28.50:驱动元件
29.60:堆叠结构
30.100:电路结构
31.111:基板接垫
32.311:容纳空间
33.cp:接触面
34.d:漏极
35.d1:基板边缘延伸方向
36.d2:法线方向,基板法线方向
37.d3:延伸方向
38.e1:电极
39.e2:电极
40.g:栅极
41.gd:间隔距离
42.gi:栅极绝缘层
43.h:挡墙厚度
44.ins1:第一绝缘层
45.ins2:第二绝缘层
46.ins3:绝缘层
47.ins4:绝缘层
48.ins5:绝缘层
49.ins6:绝缘层
50.ins7:绝缘层
51.og:有机层
52.s:源极
53.sm1:半导体层
54.sm2:突起
具体实施方式
55.透过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本公开，须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本公开中的多张附图只绘出显示装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本公开的范围。此外，不同实施例中可能使用类似及/或对应的标号，仅为简单清楚地叙述一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
56.本公开通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域
技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
的意。因此，当本公开的描述中使用术语“包括”、“含有”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
57.此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如“下方”或“底部”及“上方”或“顶部”，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“下方”侧的元件将会成为在“上方”侧的元件。
58.当相应的构件(例如元件或膜层或区域)被称为“在另一个构件上”或“连接到另一个构件”时，它可以直接在另一个构件上或直接连接到另一个构件，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”或“直接连接另一个构件”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。
59.术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值的20％以内，或所给定的值的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内的范围。
60.能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”等来叙述各种元件、层及/或部分，这些元件、层及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、层及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、层及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第二元件、层及/或部分。另外，为了简洁起见，在说明书中亦可不使用“第一”、“第二”等用语来区别不同元件。在不违背后附权利要求所界定的范围的情况下，权利要求所记载的第一元件及/或第二元件可解读为说明书中符合叙述的任何元件。
61.在本公开中，厚度、长度与宽度的测量方式可采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。
62.须说明的是，下文中不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本公开精神的情况下构成另一实施例。
63.除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇公开所属的一般技艺者所通常理解的相同涵义。能理解的是这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有一与相关技术及本公开的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在此特别定义。
64.本公开的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置，但不以此为限。显示装置可如触控显示装置(touch display)、曲面显示装置(curved display)、非矩形显示装置(free shape display)或可挠式显示装置(flexible display)，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。前述装置可通过拼接而形成例如包括拼接显示装置或拼接天线装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统
…
等周边系统以支援电子装置。下文将以显示装置说明本公开内容，但本公开的电子装置类型并不以此为限。
65.图1表示根据本公开一些实施例的电子装置的电路结构100的示意图。电路结构
100可以包括一基板10、一电路板20、一挡墙30、一接合元件40以及一驱动元件50。基板10与电路板20可以借由接合元件40彼此电性连接。挡墙30可以设置在基板10上，并邻近接合元件40。
66.基板10上可以设置多个条导线11。导线11可以从例如驱动元件50所在位置朝向电路板20延伸，且每一条导线11可以包括一基板接垫111。
67.电路板20可以包括多个电路板接垫21。在一些实施例中，其中至少一个基板接垫111是沿着基板10的法线方向d2而与对应的电路板接垫21重叠
68.在基板接垫111及对应的电路板接垫21之间可以设置有接合元件40，使得基板接垫111与对应的电路板接垫21可以借由接合元件40彼此电性连接。在一些实施例中，接合元件40可以具有导电性质而使基板接垫111与对应的电路板接垫21电性连接。例如，接合元件40可以是具有导电粒子40a的异方性导电膜(anisotropic conductive film，acf)，但本公开不限于此。
69.在一些实施例中，挡墙30可以设置在导线11附近，但是挡墙30可不与导线11直接接触。在一些实施例中，接合元件40的涂布范围可能大于基板接垫111与电路板接垫21的一接触面cp，亦即，接合元件40可能溢出到基板接垫111之外或电路板接垫21之外，使得接合元件40接触挡墙30。
70.在一些实施例中，挡墙30具有绝缘材料，且挡墙30可以包括多个间隔部31。如图1所示，在一些实施例中，从俯视图来看，一条导线11至少有一部分位于两相邻间隔部31之间。相邻的两个间隔部31可以形成一容纳空间311。沿着基板法线方向d2观察时，一个容纳空间311可以对应一导线11以及至少一导电粒子40a。更具体的说，导线11的两侧可以分别对应有间隔部31，将邻近不同导线11的导电粒子40a彼此分隔，减少不同导线11因为导电粒子40a彼此接触而短路(short)的情况。
71.请继续参阅图1，当沿着基板边缘延伸方向d1观察时，挡墙30与电路板接垫21彼此不重叠。在一些实施例中，在电路板接垫21的延伸方向d3上，间隔部31与电路板接垫21可间隔一间隔距离gd，更具体的说，电路板接垫21的一末端与相邻间隔部31的一末端相接近，而间隔距离gd是两末端在电路板接垫21的延伸方向d3上所量到的最小距离。在一些实施例中，间隔距离gd于0.05毫米(mm)至1毫米之间(0.05毫米≦间隔距离≦1毫米)。如此一来，可以减少后续制程损害挡墙30的情况。
72.综上所述，借由在导线11之间设置间隔部31可以减少溢出接触面cp的导电粒子40a造成导线11之间短路的情况，进而使得电路结构100更加的稳定、或可提升电路结构100的信赖度(reliability)。
73.图2表示根据本公开一些实施例的电子装置的电路结构100的示意图。在图2所示的实施例中，挡墙30可以更包括一连接部32，连接部32可沿着基板边缘延伸方向d1延伸。
74.如图2所示，连接部32连接至少两个间隔部31，使得从基板法线方向d2观察时，连接部32及其对应的两个间隔部31可以呈现为倒u字型。在本实施例中，容纳空间311可以是由连接部32及其对应的两个相邻间隔部31所构成，亦即容纳空间311可以是半封闭空间，且呈现为倒u字型。
75.连接部32可以阻挡导电粒子40a，以减少导电粒子40a溢流出挡墙30而彼此接触的情况，进而减少线路之间短路的可能性。此外，连接部32还可以保护导线11，减少导线11受
到损害的几率。
76.电子装置内部可包含由线路、晶体管等电子元件及膜层所构成的堆叠结构60。图3a为本公开的电子装置内部的堆叠结构60的剖面结构示意图。如图3a所示，堆叠结构60可包含一晶体管设置于基板10之上，晶体管至少可包含栅极g、漏极d、源极s、半导体层sm1与栅极绝缘层gi。栅极绝缘层gi可介于栅极g与半导体层sm1之间，而漏极d与源极s分别位于半导体层sm1的两侧且电连接半导体层sm1，且漏极d与源极s之间具有一间隔。除此之外，电子装置尚可包含第一绝缘层ins1覆盖源极s与漏极d，有机层og位于第一绝缘层ins1上方，因其厚度较厚，可以使因设置晶体管而起伏的表面平坦化，第二绝缘层ins2可设置于有机层og上方，以及一电极e1通过位于第二绝缘层ins2、有机层og、第一绝缘层ins1的通孔而与漏极d电性连接。需说明的是，上述的结构仅为一示例，本公开中晶体管的结构与层别并不以上述内容为限，例如图3a所示，漏极d与源极s在与半导体层sm1之间可分别包含一突起sm2，该突起sm2可由蚀刻半导体层sm1或在半导体层sm1上另外沉积所形成。电子装置也可包含另一电极e2，且电极e1与电极e2之间可例如用第二绝缘层ins2相间隔。
77.图3b表示根据本公开一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构100的剖视图，在本公开中堆叠结构60可位于电子装置的工作区内，而电路结构100可位于电子装置的周边区内。在本公开中，电路结构100可至少部分地与图3a所示的堆叠结构60由相同制程所形成，也就是说，在电路结构100中，至少一部分的层别与图3a所示的堆叠结构60中的部分层别相同。例如图3b所示的电路结构100中，在基板10上方的线路11可与图3a中的栅极g同层，接着在线路11上方形成与图3a中的栅极绝缘层gi同层的绝缘层ins3、与图3a中的第一绝缘层ins1同层的绝缘层ins4、与图3a中的有机层og同层的挡墙第一部分30b、与图3a中的第二绝缘层ins2同层的绝缘层30a。其中可以将挡墙的第一部分30b图案化之后再将绝缘层30a形成于第一部分30b之上，而形成挡墙30以及容纳空间311。须说明的是，在形成绝缘层30a后可选择性地再进行一次图案化以增加挡墙30的厚度。如图3b所示，一部分的绝缘层30a被图案化，另一部分的绝缘层30a未被图案化而位于两个挡墙第一部分30b之间。
78.在一些实施例中，挡墙30的挡墙厚度h可以介于1微米(μm)至5微米之间(1微米≦挡墙厚度≦5微米)。应注意的是，挡墙厚度h可以是自绝缘层ins4顶表面到挡墙30顶表面于基板法线方向d2上所测量到的最大距离。
79.图4表示根据本公开又另一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构100的剖视图。与图3b相似在于，如图4所示，电路结构100可以包含设置在基板10上方，与图3a中的栅极g同层的线路11、与图3a中的栅极绝缘层gi同层的绝缘层ins5、与图3a中的第一绝缘层ins1同层的绝缘层ins6。而于图3b不同的处在于，在绝缘层ins6上方可形成金属层30c，然后再形成一绝缘层30a覆盖金属层30c。须说明的是，在本实施例中，可以将金属层30c图案化之后，再将绝缘层30a形成于金属层30c之上以形成挡墙30以及容纳空间311。绝缘层30a与图3a中的第二绝缘层ins2可同时形成或是在不同制程中形成，用于减少金属层30c与图1中导电粒子40a电性连接的可能性。另外，在形成绝缘层30a后可选择性地再进行一次图案化以增加挡墙30的厚度，如图4所示。在本实施例中，挡墙30的挡墙厚度h可以介于0.2微米至3微米之间(0.2微米≦挡墙厚度≦3微米)的范围，但不限于此。挡墙厚度h的测量方式与前述实施例相同，因此不再赘述。
80.图5表示根据本公开另一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构100的剖视图。
与图4相比，图5的不同之处是在图4所示的电路结构100中又加上金属层30d，并形成绝缘层30a’覆盖金属层30d。须说明的是，在本实施例中，可以将金属层30d图案化之后再形成一绝缘层30a’覆盖金属层30d，而形成挡墙30以及容纳空间311。在本实施例中，挡墙30的挡墙厚度h可以介于0.1微米至2微米之间(0.1微米≦挡墙厚度≦2微米)，但不限于此。例如，若将本实施例中连续铺设的绝缘层30a’进行图案化后，可以将两相邻金属层30d之间的一部分绝缘层30a’去除而增加挡墙30的厚度。
81.另外，电路结构100中可以在与挡墙30对应的位置设置其他金属层的用途在于进一步增加挡墙30的高度。该金属层可与线路11同层，但本公开并不限于此。
82.图6表示根据本公开一些实施例的沿着图1中a-a’线的电路结构100的剖视图。如图6所示，电路结构100在基板10上方可包含与图3a中的栅极g同层的线路11、与图3a中的栅极绝缘层gi同层的绝缘层ins7、与图3a中的第一绝缘层ins1同层的绝缘层30e以及与图3a中的第二绝缘层ins2同层的绝缘层30a。须说明的是，在本实施例中，可以将绝缘层30a与绝缘层30e图案化后而形成挡墙30以及容纳空间311。如图6所示，绝缘层30a可与绝缘层30e重叠但未覆盖绝缘层30e侧面，但在一些实施例中，绝缘层30a也可覆盖绝缘层30e侧面。在本实施例中，挡墙30的挡墙厚度h可以介于0.5微米至2微米之间(0.5微米≦挡墙厚度≦2微米)，但不限于此。
83.应注意的是，图3b到图6所示的电路结构100可以是基于不同实施例，且本公开的电路结构100并不以图3b到图6为限。而且，使用者可以依据其所使用的制程来决定使用何种电路结构100。如此一来，可以将挡墙30的制程与堆叠结构60的制程相结合，可以减少制造程序，并降低时间成本。
84.综上所述，本公开实施例可以减少电路结构100内部短路的情况，并且可以依据其所选择的制程来布置挡墙30的结构，使得本公开实施例的电路结构100具有制造便利或降低成本的优势。
85.虽然本公开的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离本公开的精神和范围内，当可作结合、更动、替代与润饰。此外，本公开的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本公开揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本公开使用。因此，本公开的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，且各实施例间特征只要不违背发明精神或相互冲突，均可任意混合搭配使用。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本公开的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。