电压调节的制作方法

技术特征：
1.一种电压调节系统，其包括：电压调节器，其包括输入、输出和在其输入与其输出之间的选择性激活的第一电流路径；以及电压跟踪器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一输入、被配置成接收控制信号的第二输入、连接到所述电压调节器的所述输出的输出，以及连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间的选择性激活的第二电流路径；其中所述电压跟踪器被配置成在所述控制信号具有第一逻辑电平时响应于所述电压调节器的所述输入的电压电平而允许所述第二电流路径激活；并且其中所述电压跟踪器被配置成在所述控制信号具有不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平时响应于所述电压调节器的所述输入的所述电压电平而禁止所述第二电流路径激活。2.根据权利要求1所述的电压调节系统，其中所述第二电流路径包括n型场效应晶体管nfet，所述nfet包括电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。3.根据权利要求2所述的电压调节系统，其中所述nfet具有负阈值电压。4.根据权利要求1所述的电压调节系统，其中所述电压跟踪器进一步具有连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间的选择性激活的第三电流路径。5.根据权利要求4所述的电压调节系统，其中所述电压跟踪器被配置成在所述控制信号具有所述第一逻辑电平时响应于所述电压调节器的所述输入的电压电平而允许所述第三电流路径激活，并且其中所述电压跟踪器被配置成在所述控制信号具有所述第二逻辑电平时响应于所述电压调节器的所述输入的所述电压电平而禁止所述第三电流路径激活。6.根据权利要求4所述的电压调节系统，其中所述第三电流路径包括p型场效应晶体管pfet，所述pfet包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。7.根据权利要求6所述的电压调节系统，其中所述第二电流路径包括n型场效应晶体管nfet，所述nfet包括电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。8.根据权利要求7所述的电压调节系统，其中所述pfet是第一pfet且所述nfet是第一nfet，并且其中所述电压跟踪器进一步包括：第一电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二电极；第二pfet，其包括控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二源极/漏极；第二nfet，其包括控制栅极、连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第一源极/漏极，以及连接到电压节点的第二源极/漏极；第三pfet，其包括连接到所述第二pfet的所述第二源极/漏极的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第二pfet的所述控制栅极的第
二源极/漏极；第三nfet，其包括控制栅极、连接到所述第三pfet的所述第二源极/漏极的第一源极/漏极，以及连接到所述电压节点的第二源极/漏极；第一反相器，其包括连接到所述电压跟踪器的所述第二输入的输入，以及连接到所述第三nfet的所述控制栅极的输出；第二反相器，其包括连接到所述第一反相器的所述输出的输入，以及连接到所述第二nfet的所述控制栅极的输出；以及第二电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一反相器的所述输出的第二电极。9.一种存储器，其包括：电压调节器，其包括输入和输出；选择性激活的第一电流路径，其连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间；选择性激活的第二电流路径，其连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间；存储器单元阵列，其连接到所述电压调节器的所述输出；以及控制器，其连接到所述电压调节器的所述输出，其中所述控制器被配置成致使所述存储器：在所述电压调节器的所述输入的电压电平具有第一电压电平时，通过所述第一电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平的第二电压电平时，通过所述第二电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入；维持所述电压调节器的所述输出通过所述电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第二电压电平的第三电压电平为止；维持所述电压调节器的所述输出通过所述第二电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第三电压电平为止；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第三电压电平之后，通过所述第一电流路径且通过所述第二电流路径将所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入隔离；以及在所述电压调节器的所述输出通过所述第一电流路径且通过所述第二电流路径与所述电压调节器的所述输入隔离时，调节所述电压调节器的所述输出的电压电平。10.根据权利要求9所述的存储器，其中所述第一电流路径包括n型场效应晶体管nfet，所述nfet包括电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。11.根据权利要求10所述的存储器，其中所述nfet具有负阈值电压。12.根据权利要求10所述的存储器，其中所述第二电流路径包括p型场效应晶体管
pfet，所述pfet包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。13.根据权利要求12所述的存储器，其中所述pfet是第一pfet且所述nfet是第一nfet，并且其中所述存储器进一步包括：第一电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二电极；第二pfet，其包括控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二源极/漏极；第二nfet，其包括控制栅极、连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第一源极/漏极，以及连接到电压节点的第二源极/漏极；第三pfet，其包括连接到所述第二pfet的所述第二源极/漏极的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第二pfet的所述控制栅极的第二源极/漏极；第三nfet，其包括控制栅极、连接到所述第三pfet的所述第二源极/漏极的第一源极/漏极，以及连接到所述电压节点的第二源极/漏极；第一反相器，其包括连接到所述电压跟踪器的所述第二输入的输入，以及连接到所述第三nfet的所述控制栅极的输出；第二反相器，其包括连接到所述第一反相器的所述输出的输入，以及连接到所述第二nfet的所述控制栅极的输出；以及第二电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一反相器的所述输出的第二电极。14.一种集成电路装置，其包括：电压调节器，其包括输入和输出；选择性激活的电流路径，其连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间；以及控制器，其中所述控制器被配置成致使所述集成电路装置：在所述电压调节器的所述输入的电压电平具有第一电压电平时，通过所述电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入；维持所述电压调节器的所述输出通过所述电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平的第二电压电平为止；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述电流路径将所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入隔离；以及在所述电压调节器的所述输出通过所述电流路径与所述电压调节器的所述输入隔离时，调节所述电压调节器的所述输出的电压电平。15.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中所述电流路径包括n型场效应晶体管nfet，所述nfet包括电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。
16.根据权利要求15所述的集成电路装置，其中所述nfet具有负阈值电压。17.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中所述电流路径是第一电流路径，并且其中所述集成电路装置进一步包括：选择性激活的第二电流路径，其连接在所述电压调节器的所述输入与所述电压调节器的所述输出之间。18.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中所述控制器被进一步配置成致使所述集成电路装置：在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平且低于所述第二电压电平的第三电压电平时，通过所述第二电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入；维持所述电压调节器的所述输出通过所述第二电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平为止；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述第二电流路径将所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入隔离；以及在所述电压调节器的所述输出通过所述第一电流路径且通过所述第二电流路径与所述电压调节器的所述输入隔离时，调节所述电压调节器的所述输出的电压电平。19.根据权利要求17所述的集成电路装置，其中所述第二电流路径包括p型场效应晶体管pfet，所述pfet包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。20.根据权利要求19所述的集成电路装置，其中所述第一电流路径包括n型场效应晶体管nfet，所述nfet包括电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述电压调节器的所述输出的第二源极/漏极。21.根据权利要求20所述的集成电路装置，其中所述pfet是第一pfet且所述nfet是第一nfet，并且其中所述集成电路装置进一步包括：第一电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二电极；第二pfet，其包括控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第二源极/漏极；第二nfet，其包括控制栅极、连接到所述第一nfet的所述控制栅极的第一源极/漏极，以及连接到电压节点的第二源极/漏极；第三pfet，其包括连接到所述第二pfet的所述第二源极/漏极的控制栅极、连接到所述电压调节器的所述输入的第一源极/漏极，以及连接到所述第二pfet的所述控制栅极的第二源极/漏极；第三nfet，其包括控制栅极、连接到所述第三pfet的所述第二源极/漏极的第一源极/漏极，以及连接到所述电压节点的第二源极/漏极；第一反相器，其包括连接到所述电压跟踪器的所述第二输入的输入，以及连接到所述第三nfet的所述控制栅极的输出；
第二反相器，其包括连接到所述第一反相器的所述输出的输入，以及连接到所述第二nfet的所述控制栅极的输出；以及第二电容器，其包括连接到所述电压调节器的所述输入的第一电极，以及连接到所述第一反相器的所述输出的第二电极。22.根据权利要求14所述的集成电路装置，其中所述集成电路装置是存储器装置。23.一种操作集成电路装置的方法，其包括：在电压调节器的输入的电压电平具有第一电压电平时，通过电流路径将所述电压调节器的输出连接到所述电压调节器的所述输入；维持所述电压调节器的所述输出通过所述电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平的第二电压电平为止；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述电流路径将所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入隔离；以及在所述电压调节器的所述输出通过所述电流路径与所述电压调节器的所述输入隔离时，调节所述电压调节器的所述输出的电压电平。24.根据权利要求23所述的方法，其中通过所述电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入包括激活连接在所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入之间的n型场效应晶体管nfet。25.根据权利要求24所述的方法，其中激活所述nfet包括激活具有电容耦合到所述电压调节器的所述输入的控制栅极的nfet。26.根据权利要求25所述的方法，其中激活具有电容耦合到所述电压调节器的所述输入的所述控制栅极的所述nfet包括激活负阈值电压nfet。27.根据权利要求23所述的方法，其中所述电流路径是第一电流路径，并且其中所述方法进一步包括：在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平且低于所述第二电压电平的第三电压电平时，通过第二电流路径将所述电压调节器的所述输出连接到所述电压调节器的所述输入；维持所述电压调节器的所述输出通过所述第二电流路径到所述电压调节器的所述输入的所述连接，直到所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平为止；在所述电压调节器的所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述第二电流路径将所述电压调节器的所述输出与所述电压调节器的所述输入隔离；以及在所述电压调节器的所述输出通过所述第一电流路径且通过所述第二电流路径与所述电压调节器的所述输入隔离时，调节所述电压调节器的所述输出的所述电压电平。

技术总结
本应用的实施例涉及电压调节。集成电路装置可包含：电压调节器，其包括输入和输出，选择性激活的电流路径，其连接在所述输入与所述输出之间，以及控制器，其被配置成致使所述集成电路装置：在所述输入的电压电平具有第一电压电平时，通过所述电流路径将所述输出连接到所述输入，维持所述输出和所述输入通过所述电流路径的所述连接，直到所述输入的所述电压电平具有高于所述第一电压电平的第二电压电平为止，在所述输入的所述电压电平具有所述第二电压电平之后，通过所述电流路径将所述输出与所述输入隔离，以及在所述输出通过所述电流路径与所述输入隔离时，调节所述输出的电压电平。调节所述输出的电压电平。调节所述输出的电压电平。


技术研发人员：许帅 M
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.08.11
技术公布日：2023/2/17