静电放电防护电路的制作方法

技术特征：
1.一种静电放电防护电路，其特征在于，包括：第一电阻，具有第一端耦接至第一电源轨线；第一晶体管，具有第一端耦接至所述第一电源轨线，所述第一晶体管的控制端耦接至所述第一电阻的第二端；第二电阻，耦接在所述第一晶体管的第二端与第二电源轨线间；以及第二晶体管，具有第一端耦接至所述第一电源轨线，所述第二晶体管的控制端耦接至所述第一晶体管的第二端，所述第二晶体管的第二端耦接至所述第二电源轨线。2.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一电源轨线用以接收操作电源，所述第二电源轨线用以接收接地电源。3.根据权利要求2所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管为n型晶体管。4.根据权利要求3所述的静电放电防护电路，其特征在于，当静电放电现象发生在所述第一电源轨线时，所述第一电阻推迟所述第一晶体管的控制端上的电压上升的速度，并使所述第一晶体管被导通以宣泄第一静电放电电流。5.根据权利要求4所述的静电放电防护电路，其特征在于，当所述静电放电现象发生在所述第一电源轨线时，所述第二电阻依据所述第一静电放电电流提升所述第二晶体管的控制端上的电压，并使所述第二晶体管被导通以宣泄第二静电放电电流。6.根据权利要求1所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一电源轨线用以接收接地电源，所述第二电源轨线用以接收操作电源。7.根据权利要求6所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第一晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管为p型晶体管。8.根据权利要求7所述的静电放电防护电路，其特征在于，当静电放电现象发生在所述第一电源轨线时，所述第一电阻推迟所述第一晶体管的控制端上的电压上升的速度，并使所述第一晶体管被导通以宣泄第一静电放电电流。9.根据权利要求8所述的静电放电防护电路，其特征在于，当所述静电放电现象发生在所述第一电源轨线时，所述第二电阻依据所述第一静电放电电流以在所述第二晶体管的控制端以及第二端间产生跨压，并使所述第二晶体管被导通以宣泄第二静电放电电流。10.根据权利要求8所述的静电放电防护电路，其特征在于，所述第二晶体管的通道宽长比大于所述第一晶体管的通道宽长比。

技术总结
本发明提供一种静电放电防护电路，包括第一电阻、第一晶体管、第二电阻以及第二晶体管。第一电阻具有第一端耦接至第一电源轨线。第一晶体管具有第一端耦接至第一电源轨线，第一晶体管的控制端耦接至第一电阻的第二端。第二电阻耦接在第一晶体管的第二端与第二电源轨线间。第二晶体管具有第一端耦接至第一电源轨线，第二晶体管的控制端耦接至第一晶体管的第二端，第二晶体管的第二端耦接至第二电源轨线。线。线。


技术研发人员：吴乃圣 王昭龙 林佳龙
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2021.08.17
技术公布日：2023/2/17