1.本发明涉及粘结膜，在晶圆的背面研磨((晶圆背面研磨(waferbackgrinding)或晶圆磨薄(waferlapping)或晶圆减薄(waferthinning))工序中，为了保护晶圆的表面而使用。更具体地，本发明涉及如下的晶圆背面研磨用粘结膜，即，在进行晶圆背面研磨加工后，在消除粘结膜(剥离)时通过减少或消除粘结剂的残留物(residue)的产生使得加工性非常优秀。
背景技术：
：：2.随着近年来技术的发展，要求半导体芯片的小型化、高密度化及薄型化，因此，晶圆也要求薄型化。用于薄型化晶圆芯片的典型方法是通过研磨晶圆的背面来减少厚度，可根据使用半导体芯片的电子装置的种类或规格来进行研磨工序，从而实现晶圆的薄型化。3.由于半导体芯片的晶圆的背面研磨是施加物理冲击的过程，因此为了保护晶圆的表面，通常在粘附晶圆背面研磨用粘结膜的状态下进行晶圆的背面研磨。这种粘结膜包括基材和用于粘结晶圆表面的粘结层，为了缓冲效果，通常在基材背面形成缓冲层或冲击吸收层。并且，粘结层通常由能量射线固化粘结组合物形成。4.并且，在进行晶圆的背面研磨后，为了从晶圆表面去除晶圆背面研磨工序用粘结膜，通过照射能量射线来降低粘结力并剥离。5.另一方面，随着近年来信息通信技术的飞速发展和市场的扩大，对于半导体装置的需求逐渐高密度化。由此，配置于晶圆表面上的有源层(activelayer)的厚度增加，有源层的凹凸(或图案)也逐渐增大。因此，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，在由于有源层的凹凸而产生的阴影区域中，发生能量射线固化没有充分进行的情况。其结果，由于晶圆背面研磨用粘结膜的粘结力没有充分降低，使得剥离力降低，因此来源于粘结膜的粘结剂残留物容易残留在晶圆表面，阻碍加工性，最终对制备的半导体芯片的质量产生不利的影响，并且存在用于解决该问题的技术要求。技术实现要素：6.本发明的目的在于，提供一种晶圆背面研磨用粘结膜，即使在晶圆或晶圆表面的有源层存在较大的凹凸部分，在晶圆背面研磨工序后，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，也可减少或抑制粘结剂残留物的产生。7.本发明的目的并不限定于以上所提及的目的，未提及的本发明的其他目的及优点可通过如下说明来理解，可通过本发明实施例来更清楚地理解。并且，可知本发明的目的及优点可通过发明要求保护范围中所示的方案及其组合来实现。8.为了解决上述的技术问题，根据本发明一实施方式，可提供一种晶圆背面研磨用粘结膜，其特征在于，包括：多层基材，包括上部基材层及下部基材层；第一粘结层，配置于上述上部基材层上；以及第二粘结层，配置于上述上部基材层与下部基材层之间，上述第二粘结层由包含透光性粘结树脂及光散射粒子的粘结组合物形成，并满足如下式1，上述光散射粒子的折射率为1.42～1.60。9.式1：0.05≤|a-b|≤0.210.在上述式1中，a是透光性粘结树脂的折射率，b是光散射粒子的折射率。11.相对于100重量份的上述第二粘结层的粘结组合物，可包含0.1重量份至10重量份的上述光散射粒子。12.上述光散射粒子可包含无机粒子及有机粒子中的一种以上。13.上述光散射粒子的平均粒径可以为1μm～50μm。14.上述无机粒子可包含选自由二氧化硅粒子、玻璃粉及石英粒子组成的组中的一种以上。15.上述有机粒子可包含选自由丙烯酸树脂粒子、聚苯乙烯树脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯树脂粒子、环氧树脂粒子、硅树脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯树脂粒子、苯酚树脂粒子、氨基甲酸乙酯树脂粒子、醋酸纤维素粒子、尼龙粒子、纤维素粒子、苯代三聚氰胺树脂粒子及三聚氰胺树脂粒子组成的组中的一种以上。16.本发明的晶圆背面研磨用粘结膜的总透光率可以为70％以上，漫透射率可以为6％以上。17.上述第一粘结层的厚度可以为10μm～100μm，上述第二粘结层的厚度可以为10μm～100μm。18.上述下部基材层及上部基材层分别可包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上，优选地，下部基材层及上部基材层可由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成。19.上述第一粘结层可由包含丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物形成。20.上述第二粘结层的上述透光性粘结树脂可包含透光性丙烯酸类粘结树脂。21.在30℃的温度条件下的上述第二粘结层的剪切储能模量可以为0.05mpa～5.00mpa。22.在上述上部基材层的上部面、上述上部基材层的下部面及上述下部基材层的上部面中的至少一面还可包括底漆层。23.当将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜适用于背面研磨工序时，即使在晶圆或晶圆表面的有源层存在较大的凹凸部分，也可在粘附于晶圆表面时具有优秀的凹凸埋入性，在晶圆背面研磨工序后，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，可通过减少或抑制粘结剂残留物的产生来提高晶圆处理工艺性及制备的半导体芯片的质量。24.并且，当将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜适用于背面研磨工序时，可对晶圆的表面(表面)的缓冲效果(或保护效果)优秀，并且也可在背面研磨工序后提高晶圆的厚度的均匀性。25.本说明书的效果并不限定于以上所提及的效果，未提及的其他效果可由普通技术人员从如下的记载中清楚地理解。以下，将在描述用于实施本发明的具体细节的同时描述上述效果和本发明的具体效果。附图说明26.图1简要示出将本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜适用于晶圆背面研磨工序及之后的剥离过程的流程图。27.图2示出本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜的剖视图。28.附图标记的说明29.100：晶圆背面研磨用粘结膜30.200：背面研磨工序前的晶圆31.210：背面研磨工序后的晶圆32.300：有源层33.r：粘结剂的残留物残留区域34.10：第一粘结层35.20：上部基材层36.30：第二粘结层37.40：下部基材层38.p：光散射粒子。具体实施方式39.将参照附图对前述的目的、特征及优点进行详细说明，由此，本发明所属
技术领域：
：的普通技术人员可容易地实施本发明的技术思想。在说明本发明的过程中，若判断为对与本发明相关的公知技术的具体说明可能不必要地混淆本发明的主旨，则省略详细说明。如下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细的说明。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或类似的结构要素。40.在本说明书中，任意结构配置于结构要素的“上部(或下部)”或结构要素的“上(或下)”不仅意味着任意结构与上述结构要素的上部面(或下部面)相接触的配置，还意味着其他结构可介于上述结构要素与配置于上述结构要素上(或下)的任意结构之间。41.除非本说明书中另有明确的提及，否则在本说明书中所使用的单数表达包括复数表达。在本技术中，“由……组成”或“包括”等术语不应被解释为必须包括说明书中记载的所有各种结构要素，应解释为可不包括其中部分结构要素，或还可包括额外的结构要素。42.在本说明书中，“一侧面”、“另一侧面”、“两侧面”等术语用于区分某个结构要素与其他结构要素，结构要素并不受限于上述术语。43.本说明书的记载中，“(甲基)丙烯酸酯”是作为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的术语而使用，对于与其类似的术语也相同。44.以下，在说明本发明的过程中，省略对不必要地混淆本发明的主旨的相关的公知技术的详细说明。45.图1示例性的示出将本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜100适用于晶圆，在背面研磨之后通过照射能量射线来降低粘结力剥离的工序的流程图。46.具体地，图1的s1是在晶圆背面研磨工序前的准备晶圆的步骤(装载晶圆)，示出有源层300配置于晶圆200的表面，上述有源层300可包括包括存在于晶圆表面的凹凸(图案)的基材层。47.图1的s2是将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜100粘附(或贴附)在晶圆的表面侧的步骤，由此，在背面研磨时起到保护晶圆200的表面和/或有源层300的作用。48.图1的s3简要示出了进行背面研磨工序的步骤，在背面研磨工序中，可不受限制地使用在本
技术领域：
：中使用的多种背面研磨设备，例如，可使用在承载盘(chucktable)上装载(loading)晶圆后可旋转砂轮(grindingwheel)的设备。另一方面，在背面研磨工序前的晶圆的厚度大约在700μm～900μm的范围，在背面研磨工序后，根据适用半导体芯片的电子设备的规格，最终晶圆的厚度可薄型化到大约30μm～300μm的范围。49.图1的s4简要示出在背面研磨工序后为了剥离晶圆背面研磨用粘结膜100照射能量射线(典型的是紫外线(uv))的步骤，相对于背面研磨工序前的晶圆200，背面研磨工序后的晶圆210的厚度减少。由此，晶圆背面研磨用粘结膜100的粘结层通常由能量射线固化粘结组合物形成。50.图1的s5简要示出了在背面研磨工序后剥离晶圆背面研磨用粘结膜100的步骤。在此情况下，若到达晶圆背面研磨用粘结膜100的能量射线的曝光不足，则粘结力不能充分地降低至能够良好地剥离的程度，因此，在剥离步骤中可能会残留晶圆背面研磨用粘结膜100的残留物。如上所述，在图1中例示性的表示了粘结剂的残留物残留区域(r)。51.若在晶圆上残留晶圆背面研磨用粘结膜100的残留物，则可产生对工艺性及制备的半导体芯片的质量产生不利的影响的问题。并且，由于随着配置于晶圆200或晶圆表面的有源层300的凹凸(图案)程度越深，能量射线达不到的阴影区域会越增加，因此上述问题进一步深化。52.本发明人着眼于如上所述的问题，为了使能量射线的曝光能够充分达到晶圆背面研磨用粘结膜，在晶圆背面研磨用粘结膜100的第二粘结层30中添加了光散射粒子p。53.像这样，由于上述第二粘结层30由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成，所以可表现出光散射效果。因此，可将照射的能量射线均匀地分散在晶圆背面研磨用粘结膜100，发现了可以解决上述的曝光不足的问题，并完成了本发明。54.因此，如图2所示，本发明的晶圆背面研磨用粘结膜具有如下的结构，其包括：多层基材，包括上部基材层20及下部基材层40；第一粘结层10，配置于上述上部基材层20上；以及第二粘结层30，配置于上述上部基材层20及下部基材层40之间，上述第二粘结层30可由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成。55.以下，对晶圆背面研磨用粘结膜的特性及各层的结构进行详细说明。56.多层基材57.多层基材包括下部基材层40、上部基材层20及第二粘结层30。第一粘结层10配置于上部基材层20上，第二粘结层30配置于下部基材层40与上部基材层20之间。在本发明的晶圆背面研磨用粘结膜中，多层基材具有第二粘结层30配置于下部基材层40与上部基材层20之间的三明治结构。58.下部基材层40及上部基材层20可由具有高拉伸弹性模量的材料形成。更具体地，下部基材层40及上部基材层20可具有1000mpa以上的拉伸弹性模量，例如1200mpa以上、1500mpa以上、2000mpa以上、3000mpa以上，在此情况下的拉伸弹性模量以在23℃的温度条件下的测定值为基准。59.当下部基材层40及上部基材层20的拉伸弹性模量相对较低，小于1000mpa时，由于对晶圆或半导体芯片的支撑力较低，因此有可能在背面研磨工序(背磨工序)中产生半导体芯片的碰撞。60.下部基材层40及上部基材层20分别可包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、全芳族聚酯等的聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、聚碳酸酯(pc)、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯(orientedpoly-propylene)组成的组中的一种以上。61.并且，下部基材层40及上部基材层20可以由相同的材料形成，例如，下部基材层40及上部基材层20可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)材料形成。62.对下部基材层40及上部基材层20的厚度没有特别限定，可具有相同的厚度。例如，下部基材层40及上部基材层20可分别具有约10μm～150μm的厚度。另一方面，在本发明中，由于下部基材层40及上部基材层20可具有高拉伸弹性模量，当下部基材层40及上部基材层20，尤其是上部基材层20的厚度过厚时，可能会容易受到背面研磨工序中产生的冲击。因此，例如，下部基材层40及上部基材层20的厚度可以为约150μm以下，但并不限定于此。63.另一方面，根据下部基材层40和/或上部基材层20的需要，可包括少量的各种添加剂，如耦合剂、可塑剂、防静电剂、抗氧化剂等。64.第一粘结层65.在图2中第一粘结层10是与晶圆粘结(或粘附)的部分。第一粘结层10只要是在常温条件下具有适当的粘结性就没有特别限定，可由作为公知的紫外线(uv)固化粘结组合物的丙烯酸类粘结组合物、硅类粘结组合物、聚酯类粘结组合物、聚酰胺类粘结组合物、氨基甲酸乙酯粘结组合物、苯乙烯-二烯嵌段共聚物粘结组合物等的多种粘结组合物形成，优选地，可由丙烯酸类粘结组合物形成。66.例如，第一粘结层10可由包含丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物形成，丙烯酸类粘结树脂可以是具有碳原子数为1至14的烷基的(甲基)丙烯酸类单体的聚合物，具体地，可以是选择由丙烯酸乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸羟乙酯及丙烯酸羟丁酯组成的组中的一种以上的聚合物，优选地，可以是包含单体聚合的聚合物，上述单体包括与羧基或羟基键和的单体。67.并且，用于形成第一粘结层10的粘结组合物还可包括光聚合引发剂及交联剂，只要是在本
技术领域：
：中通常使用的，没有特别限定。68.上述交联剂起到增加粘结组合物的凝聚力的作用，可混合使用一种以上的交联剂，例如，异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂及金属螯合物类交联剂等。69.上述光聚合引发剂作为通过紫外线照射来引发紫外线固化交联剂的反应的物质，考虑树脂组合物的固化速度等，适当选择其种类和含量并使用，可通过混合一种以上的光聚合引发剂来使用。例如，可使用羟基环己基苯基酮(hydroxycyclohexylphenylketone；irgacure184)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-丙烷-1-酮(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on；irgacure907)、α,α-甲氧基-α-羟基苯乙酮(α,α-methoxy-αhydroxyacetophenone；irgacure651)及2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one；irgacure1173)等。[0070]另一方面，对第一粘结层10的厚度没有特别限定，例如，厚度可以为约10μm～100μm。[0071]尽管在图2中未示出，但还可包括设置在第一粘结层的上部面并通过上述第一粘结层粘结的离型膜。可对上述离型膜的一侧面进行离型处理。上述离型处理只要是在本领域通常用于离型处理的物质，可不受限制地使用，例如，优选地，用硅酮进行离型处理。[0072]第二粘结层[0073]在图2中，第二粘结层30配置于上部基材层20与下部基材层40之间，在背面研磨工序中作用为可缓和晶圆的冲击的缓冲层及具有光散射效果的光扩散层。[0074]像这样，为了具有缓冲效果，本发明的第二粘结层30的剪切储能模量越低，越有利，但是当剪切储能模量过低时，在背面研磨工序中，随着温度的上升，可产生缓冲层在高温中流动或厚度不均匀的问题。考虑到上述问题，优选地，在30℃的温度条件下的上述第二粘结层30的剪切储能模量为0.05mpa～5mpa，更优选地，0.05mpa～3mpa，最优选地，0.05mpa～2.5mpa。本发明的包括第二粘结层30的晶圆背面研磨用粘结膜100具有对晶圆的表面优秀的缓冲效果，也可在背面研磨工序后提高晶圆的厚度均匀性的优点。[0075]并且，本发明的第二粘结层30可由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成，因此用作赋予光散射效果的光扩散层。通过如上所述的第二粘结层30的光散射效果，为了剥离晶圆背面研磨用粘结膜而照射的能量射线均匀地分散，可减少或抑制剥离时粘结剂残留物的产生，可优秀地提高工艺性及制备的半导体芯片的质量。并且，用于形成第二粘结层30的粘结组合物可根据需要，混合一种以上的交联剂使用，如金属螯合物类交联剂、异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂等。[0076]因此，为了使第二粘结层30表现散射效果，通过实验导出了透光性粘结树脂及光散射粒子p的折射率的差异优选为0.05～0.2，这种关系可通过如下式1来具体化。[0077]式1：0.05≤|a-b|≤0.2[0078]在上述式1中，a是透光性粘结树脂的折射率，b是光散射粒子的折射率。[0079]并且，以100重量份的用于形成本发明的第二粘结层30的粘结组合物为基准，优选地，包含0.1重量份至10重量份的光散射粒子p。若光散射粒子p的含量小于0.1重量份，则光散射效果可能不够充分。并且，若光散射粒子p的含量大于10重量份，则总透光率降低，在剥离过程中基于能量射线的固化无法进行到需要的程度，减少粘结剂残留物的效果可能不充分，由于包含过量粒子可对晶圆背面研磨工序后晶圆的均匀度产生不利的影响。[0080]以下，对包含在第二粘结层30的透光性粘结树脂及光散射粒子p分别进行详细说明。[0081]光散射粒子[0082]上述光散射粒子p是用于扩散或散射光的粒子，优选地，具有透光性的透明微粒，只要透光性高，并非一定是无色的，也可以是着色的。并且，为了使光散射效果均匀，优选地，光散射粒子p具有球体(sphere)的形状，并且，为了具有高透光性，优选地，上述光散射粒子p的折射率在1.42～1.60的范围内。[0083]并且，上述光散射粒子p的平均粒径优选为1μm～50μm，更优选为1μm～10μm。当平均粒径小于1μm时，光扩散效果或光散射效果低，当大于50μm时，由于粒子过粗，可使得包含其的第二粘结层30及晶圆背面研磨用粘结膜100的厚度均匀度降低。另一方面，上述平均粒径依据库尔特计数(coultercounter)法进行测定。虽然为了提高均匀性，优选地，光散射粒子p的平均粒径通常是均匀的，但为了调节扩散特性，也可将不同材料或粒径的2种以上的光散射粒子p混合使用。[0084]若能够满足如上所述的多个条件，则对光散射粒子p的种类没有特别限定，可包含无机粒子及有机粒子中的一种以上。上述无机粒子可包含选自由二氧化硅粒子、玻璃粉及石英粒子组成的组中的一种以上。上述有机粒子可包含选自由丙烯酸树脂粒子、聚苯乙烯树脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯树脂粒子、环氧树脂粒子、硅树脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯树脂粒子、苯酚树脂粒子、氨基甲酸乙酯树脂粒子、醋酸纤维素粒子、尼龙粒子、纤维素粒子、苯代三聚氰胺树脂粒子及三聚氰胺树脂粒子组成的组中的一种以上。[0085]透光性粘结树脂[0086]本发明的第二粘结层30为了起到作为光扩散层的功能，形成其的粘结树脂可选自透光性粘结树脂。[0087]例如，优选地，透光性粘结树脂的折射率在1.40～1.70的范围内，更优选地，在1.45～1.55的范围内。[0088]上述透光性粘结树脂只要是具有透光性树脂材料，如具有透光性的热塑性树脂、热固化树脂或光固化树脂等，没有特别限定。例如，可使用常温减压粘结性树脂，如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、环烯烃类树脂、聚酯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、硅类树脂及丙烯酸类树脂等，或者，也可使用不具有常温减压粘结性的树脂，如聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂及聚氯乙烯树脂等。[0089]优选地，在本发明中，作为透光性粘结树脂可使用丙烯酸类粘结树脂。例如，丙烯酸类粘结树脂可以为丙烯酸类单体的均聚物或共聚物，如丙烯酸及其酯、甲基丙烯酸及其酯、丙烯酰胺及丙烯腈等，并且，可以是上述丙烯酸类单体的至少一种与乙烯基单体的共聚物，如乙酸乙烯酯、马来酸酐或苯乙烯等。并且，可通过进一步与选自具有粘结性的单体，如丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸2-乙基己酯等；用作凝聚力成分的单体，如乙酸乙烯酯、丙烯酰胺、丙烯腈、苯乙烯及甲基丙烯酸酯等；更能提高粘结力的含官能团的单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、羟甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酸缩水甘油酯等；用于调节折射率的含氟丙烯酸酯或含硫丙烯酸酯组成的组中的一种以上共聚合来作为丙烯酸类粘结树脂使用。[0090]另一方面，对第二粘结层30的厚度没有特别限定，例如，厚度可以为约10μm～100μm。[0091]晶圆背面研磨用粘结膜[0092]优选地，本发明的晶圆背面研磨用粘结膜100的总透光率为70％以上，漫透射率为6％以上。[0093]具体地，为了从晶圆剥离晶圆背面研磨用粘结膜100，为了降低粘结力，通过照射能量射线(典型的是紫外线)来进行固化反应。在此情况下，基于能量射线的固化反应能够充分地进行，优选地，总透光率为70％以上。[0094]另一方面，由于本发明的第二粘结层30包含光散射粒子p，光散射或光扩散效果表现在晶圆背面研磨用粘结膜100的整体结构中。像这样，为了充分地显示光散射或光扩散效果，优选地，对晶圆背面研磨用粘结膜100的整体结构的漫透射率为6％以上。[0095]以下，通过本发明的优选实施例来更详细地说明本发明的结构及作用。但是，这是作为本发明的优选示例提出的，并在任何意义上都不能解释为限制了本发明。未在此记载的内容只要是本
技术领域：
：的普通技术人员可充分地在技术上类推，因此省略其说明。[0096]制备例1：用于形成第一粘结层的第一粘结组合物的制备[0097]将由27克丙烯酸正丁酯(ba)、48克丙烯酸甲酯(ma)及25克丙烯酸羟乙酯(hea)组成的单体混合物放入反应器中，在反应器中通过设置冷却装置来使得氮气回流且容易调节温度。[0098]接下来，相对于100重量份的上述单体混合物，放入作为溶剂的100重量份的乙酸乙酯(eac)，为了去除上述反应器内的氧气，注入氮气且在30℃的温度条件下充分混合30分钟以上。之后，将温度上升至50℃并保持，作为反应引发剂放入0.1重量份浓度的偶氮二异丁腈，开始进行反应之后，通过聚合24小时来制备第一反应物。[0099]将24.6重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)及相对于moi的1重量份的催化剂(二月桂酸二丁基锡(dbtdl：dibutyltindilaurate))与上述第一反应物配合，通过在40℃的温度条件下反应24小时来得到重均分子量为50万的丙烯酸类粘结树脂。[0100]以100重量份的上述丙烯酸类粘结树脂为基准，添加作为光聚合引发剂的0.1重量份的irgacure184(basf公司)及作为交联剂的2重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)，商品名“coronatec”)后，充分混合，制备用于形成第一粘结层的第一粘结组合物。[0101]制备例2：用于形成第二粘结层的第二粘结组合物的制备[0102]通过将20重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的丙烯酸乙基己酯、55重量份的丙烯酸甲酯、7重量份的丙烯酸2-羟乙酯、8重量份的丙烯酸、0.05重量份的偶氮二异丁腈及100重量份的乙酸乙酯进行混合来获得的混合物，通过在氮气气氛及60℃的温度条件下聚合6小时来得到重均分子量为60万的丙烯酸类粘结树脂。[0103]以100重量份的上述丙烯酸类粘结树脂为基准，在添加3重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)制备，商品名“coronatec”)后，进行充分混合，制备用于形成第二粘结层的第二粘结组合物。[0104]上述制备的第二粘结组合物的折射率测定为1.48，在测定时通过使用阿贝(abbe)折射仪来进行测定。[0105]实施例1[0106]通过将制备例1的第一粘结组合物涂敷在离型处理的pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度为50μm)上，使第一粘结层的厚度达到20μm，通过将50μm厚度的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(基材)粘合来制备具有120μm厚度的第一粘结层的第一复合膜。[0107]接下来，以100重量份的制备例2的第二粘结组合物为基准，添加作为光散射粒子的折射率为1.59、平均粒径为3μm的1.0重量份的聚苯乙烯成分的有机粒子(称为“b1”)后，充分混合，并涂敷在厚度为25μm的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，使得其厚度达到20μm，制备具有厚度为45μm的第二粘结层的第二复合膜。[0108]通过将上述第一复合膜与第二复合膜接合来制备整体厚度为115μm(整体厚度不包括离开型pet的厚度)的晶圆背面研磨用粘结膜。[0109]实施例2及实施例3及比较例1至比较例3[0110]在实施例1中，除了将各成分的种类或含量、粘结层的厚度等变更为如下表1，通过与实施例1相同的方式分别制备了晶圆背面研磨用粘结膜。[0111]实验例1：光特性评价[0112]相对于上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜，通过利用混浊度测量仪(hazemeter)设备(nippondenshoku公司，ndh5000)来测定总透射率(t.t，％)及漫透射率(d.t，％)，将其结构显示在表1中。[0113]实验例2：测定第二粘结层的剪切储能模量[0114]使用作为剪切储能模量测定装置的流变仪(rheometer，tainstruments公司；ares-g2)，将通过层叠由用于形成上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜的第二粘结层的第二粘结组合物溶液形成的单层粘结层来得到尺寸为直径8mm×厚度1mm的样品，将在1hz从-20℃至120℃的温度环境下测定剪切储能模量，在30℃的温度条件下记录剪切储能模量，并显示在如下的表1中。[0115]实验例3：晶圆背面研磨后厚度均匀度及残留物测试[0116]将上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜粘附于半导体电路面(＝晶圆表面)后，使用背面研磨设备(disco公司；dgp8760)，对厚度为725μm的晶圆进行背面研磨至厚度为100μm。[0117]在背面研磨工序结束后，利用曝光设备(世明vactron；trsj-3000)照射300mj/cm2的紫外线a。然后，将热封胶带(heatsealingtape；mbs-100r)在220℃的温度条件下热压接在晶圆背面研磨用粘结膜的一侧外围部后，去除晶圆背面研磨用粘结膜。[0118]在背面研磨工序后，通过显微镜观察去除粘结膜的晶圆表面的20个点来确认晶圆的厚度均匀度及是否产生粘结剂残留物，具体地方法如下。[0119]1.粘结剂残留物测试[0120]测定在背面研磨的晶圆内的20个点的残留物的大小，如下进行评价，并将其结果显示在如下的表1中。[0121]○：没有大小为10μm以下的残留物[0122]△：产生大小为10μm以下的残留物[0123]×：大量产生大小为10μm以上的残留物[0124]2.晶圆的厚度均匀度测试[0125]当在背面研磨的晶圆内的20个点的厚度的标准差为±4μm以下时，将晶圆的厚度均匀度程度评价为良好(○)，当厚度标准差为±6μm以上时，将晶圆的厚度均匀度程度评价为不良(×)，并将其结构显示在如下的表1中。[0126]表1[0127][0128]上述表1的b1至b3如下。[0129]-b1：作为光散射粒子，折射率为1.59的聚苯乙烯成分，平均粒径为3μm。[0130]-b2：作为光散射粒子，折射率为1.42的聚四氟乙烯成分，平均粒径为3μm。[0131]-b3：作为光散射粒子，折射率为1.49的聚甲基丙烯酸甲酯成分，平均粒径为3μm。[0132]从上述表1中可知，在本发明实施例1至实施例3中，第二粘结层起到缓冲层的功能，在晶圆背面研磨时具有保护效果，同时通过在第二粘结层中包含光散射粒子来在粘结剂残留物测试及厚度均匀度测试中也显示出优秀的结果。[0133]相反，比较例1中的第二粘结层中不包含光散射粒子，在粘结剂残留物测试中大量产生10μm以上大小的残留物。比较例2中包含过量光散射粒子，在粘结剂残留物测试及厚度均匀度测试中也显示不良结果，第二粘结层的剪切储能模量相对于实施例高。比较例3中的用于形成粘结层的粘结树脂与光散射粒子的折射率差异过低，由于不满足式1，因此光散射(扩散)效果不充分，在粘结剂残留物测试结果中产生10μm以下大小的残留物，从而抑制残留物产生效果不理想。[0134]如上所述，虽然参照例示的附图对本发明进行了说明，但本发明并不受在本说明书中公开的实施例和附图的限制，显而易见的是，普通技术人员可在本发明的技术思想的范围内实现多种变形。而且，即使在先说明本发明实施例时没有明确记载说明对本发明的结构的作用效果，但也应该认可能够通过相应结构预测的效果。当前第1页12当前第1页12
背景技术：
：：2.随着近年来技术的发展，要求半导体芯片的小型化、高密度化及薄型化，因此，晶圆也要求薄型化。用于薄型化晶圆芯片的典型方法是通过研磨晶圆的背面来减少厚度，可根据使用半导体芯片的电子装置的种类或规格来进行研磨工序，从而实现晶圆的薄型化。3.由于半导体芯片的晶圆的背面研磨是施加物理冲击的过程，因此为了保护晶圆的表面，通常在粘附晶圆背面研磨用粘结膜的状态下进行晶圆的背面研磨。这种粘结膜包括基材和用于粘结晶圆表面的粘结层，为了缓冲效果，通常在基材背面形成缓冲层或冲击吸收层。并且，粘结层通常由能量射线固化粘结组合物形成。4.并且，在进行晶圆的背面研磨后，为了从晶圆表面去除晶圆背面研磨工序用粘结膜，通过照射能量射线来降低粘结力并剥离。5.另一方面，随着近年来信息通信技术的飞速发展和市场的扩大，对于半导体装置的需求逐渐高密度化。由此，配置于晶圆表面上的有源层(activelayer)的厚度增加，有源层的凹凸(或图案)也逐渐增大。因此，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，在由于有源层的凹凸而产生的阴影区域中，发生能量射线固化没有充分进行的情况。其结果，由于晶圆背面研磨用粘结膜的粘结力没有充分降低，使得剥离力降低，因此来源于粘结膜的粘结剂残留物容易残留在晶圆表面，阻碍加工性，最终对制备的半导体芯片的质量产生不利的影响，并且存在用于解决该问题的技术要求。技术实现要素：6.本发明的目的在于，提供一种晶圆背面研磨用粘结膜，即使在晶圆或晶圆表面的有源层存在较大的凹凸部分，在晶圆背面研磨工序后，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，也可减少或抑制粘结剂残留物的产生。7.本发明的目的并不限定于以上所提及的目的，未提及的本发明的其他目的及优点可通过如下说明来理解，可通过本发明实施例来更清楚地理解。并且，可知本发明的目的及优点可通过发明要求保护范围中所示的方案及其组合来实现。8.为了解决上述的技术问题，根据本发明一实施方式，可提供一种晶圆背面研磨用粘结膜，其特征在于，包括：多层基材，包括上部基材层及下部基材层；第一粘结层，配置于上述上部基材层上；以及第二粘结层，配置于上述上部基材层与下部基材层之间，上述第二粘结层由包含透光性粘结树脂及光散射粒子的粘结组合物形成，并满足如下式1，上述光散射粒子的折射率为1.42～1.60。9.式1：0.05≤|a-b|≤0.210.在上述式1中，a是透光性粘结树脂的折射率，b是光散射粒子的折射率。11.相对于100重量份的上述第二粘结层的粘结组合物，可包含0.1重量份至10重量份的上述光散射粒子。12.上述光散射粒子可包含无机粒子及有机粒子中的一种以上。13.上述光散射粒子的平均粒径可以为1μm～50μm。14.上述无机粒子可包含选自由二氧化硅粒子、玻璃粉及石英粒子组成的组中的一种以上。15.上述有机粒子可包含选自由丙烯酸树脂粒子、聚苯乙烯树脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯树脂粒子、环氧树脂粒子、硅树脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯树脂粒子、苯酚树脂粒子、氨基甲酸乙酯树脂粒子、醋酸纤维素粒子、尼龙粒子、纤维素粒子、苯代三聚氰胺树脂粒子及三聚氰胺树脂粒子组成的组中的一种以上。16.本发明的晶圆背面研磨用粘结膜的总透光率可以为70％以上，漫透射率可以为6％以上。17.上述第一粘结层的厚度可以为10μm～100μm，上述第二粘结层的厚度可以为10μm～100μm。18.上述下部基材层及上部基材层分别可包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳酸酯、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯组成的组中的一种以上，优选地，下部基材层及上部基材层可由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成。19.上述第一粘结层可由包含丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物形成。20.上述第二粘结层的上述透光性粘结树脂可包含透光性丙烯酸类粘结树脂。21.在30℃的温度条件下的上述第二粘结层的剪切储能模量可以为0.05mpa～5.00mpa。22.在上述上部基材层的上部面、上述上部基材层的下部面及上述下部基材层的上部面中的至少一面还可包括底漆层。23.当将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜适用于背面研磨工序时，即使在晶圆或晶圆表面的有源层存在较大的凹凸部分，也可在粘附于晶圆表面时具有优秀的凹凸埋入性，在晶圆背面研磨工序后，当剥离晶圆背面研磨用粘结膜时，可通过减少或抑制粘结剂残留物的产生来提高晶圆处理工艺性及制备的半导体芯片的质量。24.并且，当将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜适用于背面研磨工序时，可对晶圆的表面(表面)的缓冲效果(或保护效果)优秀，并且也可在背面研磨工序后提高晶圆的厚度的均匀性。25.本说明书的效果并不限定于以上所提及的效果，未提及的其他效果可由普通技术人员从如下的记载中清楚地理解。以下，将在描述用于实施本发明的具体细节的同时描述上述效果和本发明的具体效果。附图说明26.图1简要示出将本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜适用于晶圆背面研磨工序及之后的剥离过程的流程图。27.图2示出本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜的剖视图。28.附图标记的说明29.100：晶圆背面研磨用粘结膜30.200：背面研磨工序前的晶圆31.210：背面研磨工序后的晶圆32.300：有源层33.r：粘结剂的残留物残留区域34.10：第一粘结层35.20：上部基材层36.30：第二粘结层37.40：下部基材层38.p：光散射粒子。具体实施方式39.将参照附图对前述的目的、特征及优点进行详细说明，由此，本发明所属
技术领域：
：的普通技术人员可容易地实施本发明的技术思想。在说明本发明的过程中，若判断为对与本发明相关的公知技术的具体说明可能不必要地混淆本发明的主旨，则省略详细说明。如下，参照附图，对本发明的优选实施例进行详细的说明。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或类似的结构要素。40.在本说明书中，任意结构配置于结构要素的“上部(或下部)”或结构要素的“上(或下)”不仅意味着任意结构与上述结构要素的上部面(或下部面)相接触的配置，还意味着其他结构可介于上述结构要素与配置于上述结构要素上(或下)的任意结构之间。41.除非本说明书中另有明确的提及，否则在本说明书中所使用的单数表达包括复数表达。在本技术中，“由……组成”或“包括”等术语不应被解释为必须包括说明书中记载的所有各种结构要素，应解释为可不包括其中部分结构要素，或还可包括额外的结构要素。42.在本说明书中，“一侧面”、“另一侧面”、“两侧面”等术语用于区分某个结构要素与其他结构要素，结构要素并不受限于上述术语。43.本说明书的记载中，“(甲基)丙烯酸酯”是作为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的术语而使用，对于与其类似的术语也相同。44.以下，在说明本发明的过程中，省略对不必要地混淆本发明的主旨的相关的公知技术的详细说明。45.图1示例性的示出将本发明一实施方式的晶圆背面研磨用粘结膜100适用于晶圆，在背面研磨之后通过照射能量射线来降低粘结力剥离的工序的流程图。46.具体地，图1的s1是在晶圆背面研磨工序前的准备晶圆的步骤(装载晶圆)，示出有源层300配置于晶圆200的表面，上述有源层300可包括包括存在于晶圆表面的凹凸(图案)的基材层。47.图1的s2是将本发明的晶圆背面研磨用粘结膜100粘附(或贴附)在晶圆的表面侧的步骤，由此，在背面研磨时起到保护晶圆200的表面和/或有源层300的作用。48.图1的s3简要示出了进行背面研磨工序的步骤，在背面研磨工序中，可不受限制地使用在本
技术领域：
：中使用的多种背面研磨设备，例如，可使用在承载盘(chucktable)上装载(loading)晶圆后可旋转砂轮(grindingwheel)的设备。另一方面，在背面研磨工序前的晶圆的厚度大约在700μm～900μm的范围，在背面研磨工序后，根据适用半导体芯片的电子设备的规格，最终晶圆的厚度可薄型化到大约30μm～300μm的范围。49.图1的s4简要示出在背面研磨工序后为了剥离晶圆背面研磨用粘结膜100照射能量射线(典型的是紫外线(uv))的步骤，相对于背面研磨工序前的晶圆200，背面研磨工序后的晶圆210的厚度减少。由此，晶圆背面研磨用粘结膜100的粘结层通常由能量射线固化粘结组合物形成。50.图1的s5简要示出了在背面研磨工序后剥离晶圆背面研磨用粘结膜100的步骤。在此情况下，若到达晶圆背面研磨用粘结膜100的能量射线的曝光不足，则粘结力不能充分地降低至能够良好地剥离的程度，因此，在剥离步骤中可能会残留晶圆背面研磨用粘结膜100的残留物。如上所述，在图1中例示性的表示了粘结剂的残留物残留区域(r)。51.若在晶圆上残留晶圆背面研磨用粘结膜100的残留物，则可产生对工艺性及制备的半导体芯片的质量产生不利的影响的问题。并且，由于随着配置于晶圆200或晶圆表面的有源层300的凹凸(图案)程度越深，能量射线达不到的阴影区域会越增加，因此上述问题进一步深化。52.本发明人着眼于如上所述的问题，为了使能量射线的曝光能够充分达到晶圆背面研磨用粘结膜，在晶圆背面研磨用粘结膜100的第二粘结层30中添加了光散射粒子p。53.像这样，由于上述第二粘结层30由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成，所以可表现出光散射效果。因此，可将照射的能量射线均匀地分散在晶圆背面研磨用粘结膜100，发现了可以解决上述的曝光不足的问题，并完成了本发明。54.因此，如图2所示，本发明的晶圆背面研磨用粘结膜具有如下的结构，其包括：多层基材，包括上部基材层20及下部基材层40；第一粘结层10，配置于上述上部基材层20上；以及第二粘结层30，配置于上述上部基材层20及下部基材层40之间，上述第二粘结层30可由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成。55.以下，对晶圆背面研磨用粘结膜的特性及各层的结构进行详细说明。56.多层基材57.多层基材包括下部基材层40、上部基材层20及第二粘结层30。第一粘结层10配置于上部基材层20上，第二粘结层30配置于下部基材层40与上部基材层20之间。在本发明的晶圆背面研磨用粘结膜中，多层基材具有第二粘结层30配置于下部基材层40与上部基材层20之间的三明治结构。58.下部基材层40及上部基材层20可由具有高拉伸弹性模量的材料形成。更具体地，下部基材层40及上部基材层20可具有1000mpa以上的拉伸弹性模量，例如1200mpa以上、1500mpa以上、2000mpa以上、3000mpa以上，在此情况下的拉伸弹性模量以在23℃的温度条件下的测定值为基准。59.当下部基材层40及上部基材层20的拉伸弹性模量相对较低，小于1000mpa时，由于对晶圆或半导体芯片的支撑力较低，因此有可能在背面研磨工序(背磨工序)中产生半导体芯片的碰撞。60.下部基材层40及上部基材层20分别可包含选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二酯(pbt)、全芳族聚酯等的聚酰亚胺(pi)、聚酰胺(pa)、聚碳酸酯(pc)、聚缩醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚砜、聚醚酮及双向拉伸聚丙烯(orientedpoly-propylene)组成的组中的一种以上。61.并且，下部基材层40及上部基材层20可以由相同的材料形成，例如，下部基材层40及上部基材层20可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)材料形成。62.对下部基材层40及上部基材层20的厚度没有特别限定，可具有相同的厚度。例如，下部基材层40及上部基材层20可分别具有约10μm～150μm的厚度。另一方面，在本发明中，由于下部基材层40及上部基材层20可具有高拉伸弹性模量，当下部基材层40及上部基材层20，尤其是上部基材层20的厚度过厚时，可能会容易受到背面研磨工序中产生的冲击。因此，例如，下部基材层40及上部基材层20的厚度可以为约150μm以下，但并不限定于此。63.另一方面，根据下部基材层40和/或上部基材层20的需要，可包括少量的各种添加剂，如耦合剂、可塑剂、防静电剂、抗氧化剂等。64.第一粘结层65.在图2中第一粘结层10是与晶圆粘结(或粘附)的部分。第一粘结层10只要是在常温条件下具有适当的粘结性就没有特别限定，可由作为公知的紫外线(uv)固化粘结组合物的丙烯酸类粘结组合物、硅类粘结组合物、聚酯类粘结组合物、聚酰胺类粘结组合物、氨基甲酸乙酯粘结组合物、苯乙烯-二烯嵌段共聚物粘结组合物等的多种粘结组合物形成，优选地，可由丙烯酸类粘结组合物形成。66.例如，第一粘结层10可由包含丙烯酸类粘结树脂的粘结组合物形成，丙烯酸类粘结树脂可以是具有碳原子数为1至14的烷基的(甲基)丙烯酸类单体的聚合物，具体地，可以是选择由丙烯酸乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸、丙烯酸羟乙酯及丙烯酸羟丁酯组成的组中的一种以上的聚合物，优选地，可以是包含单体聚合的聚合物，上述单体包括与羧基或羟基键和的单体。67.并且，用于形成第一粘结层10的粘结组合物还可包括光聚合引发剂及交联剂，只要是在本
技术领域：
：中通常使用的，没有特别限定。68.上述交联剂起到增加粘结组合物的凝聚力的作用，可混合使用一种以上的交联剂，例如，异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、氮丙啶类交联剂及金属螯合物类交联剂等。69.上述光聚合引发剂作为通过紫外线照射来引发紫外线固化交联剂的反应的物质，考虑树脂组合物的固化速度等，适当选择其种类和含量并使用，可通过混合一种以上的光聚合引发剂来使用。例如，可使用羟基环己基苯基酮(hydroxycyclohexylphenylketone；irgacure184)、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉基-丙烷-1-酮(2-methyl-1[4-(methythio)phenyl]-2-morpholino-propan-1-on；irgacure907)、α,α-甲氧基-α-羟基苯乙酮(α,α-methoxy-αhydroxyacetophenone；irgacure651)及2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one；irgacure1173)等。[0070]另一方面，对第一粘结层10的厚度没有特别限定，例如，厚度可以为约10μm～100μm。[0071]尽管在图2中未示出，但还可包括设置在第一粘结层的上部面并通过上述第一粘结层粘结的离型膜。可对上述离型膜的一侧面进行离型处理。上述离型处理只要是在本领域通常用于离型处理的物质，可不受限制地使用，例如，优选地，用硅酮进行离型处理。[0072]第二粘结层[0073]在图2中，第二粘结层30配置于上部基材层20与下部基材层40之间，在背面研磨工序中作用为可缓和晶圆的冲击的缓冲层及具有光散射效果的光扩散层。[0074]像这样，为了具有缓冲效果，本发明的第二粘结层30的剪切储能模量越低，越有利，但是当剪切储能模量过低时，在背面研磨工序中，随着温度的上升，可产生缓冲层在高温中流动或厚度不均匀的问题。考虑到上述问题，优选地，在30℃的温度条件下的上述第二粘结层30的剪切储能模量为0.05mpa～5mpa，更优选地，0.05mpa～3mpa，最优选地，0.05mpa～2.5mpa。本发明的包括第二粘结层30的晶圆背面研磨用粘结膜100具有对晶圆的表面优秀的缓冲效果，也可在背面研磨工序后提高晶圆的厚度均匀性的优点。[0075]并且，本发明的第二粘结层30可由包含透光性粘结树脂及光散射粒子p的粘结组合物形成，因此用作赋予光散射效果的光扩散层。通过如上所述的第二粘结层30的光散射效果，为了剥离晶圆背面研磨用粘结膜而照射的能量射线均匀地分散，可减少或抑制剥离时粘结剂残留物的产生，可优秀地提高工艺性及制备的半导体芯片的质量。并且，用于形成第二粘结层30的粘结组合物可根据需要，混合一种以上的交联剂使用，如金属螯合物类交联剂、异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂等。[0076]因此，为了使第二粘结层30表现散射效果，通过实验导出了透光性粘结树脂及光散射粒子p的折射率的差异优选为0.05～0.2，这种关系可通过如下式1来具体化。[0077]式1：0.05≤|a-b|≤0.2[0078]在上述式1中，a是透光性粘结树脂的折射率，b是光散射粒子的折射率。[0079]并且，以100重量份的用于形成本发明的第二粘结层30的粘结组合物为基准，优选地，包含0.1重量份至10重量份的光散射粒子p。若光散射粒子p的含量小于0.1重量份，则光散射效果可能不够充分。并且，若光散射粒子p的含量大于10重量份，则总透光率降低，在剥离过程中基于能量射线的固化无法进行到需要的程度，减少粘结剂残留物的效果可能不充分，由于包含过量粒子可对晶圆背面研磨工序后晶圆的均匀度产生不利的影响。[0080]以下，对包含在第二粘结层30的透光性粘结树脂及光散射粒子p分别进行详细说明。[0081]光散射粒子[0082]上述光散射粒子p是用于扩散或散射光的粒子，优选地，具有透光性的透明微粒，只要透光性高，并非一定是无色的，也可以是着色的。并且，为了使光散射效果均匀，优选地，光散射粒子p具有球体(sphere)的形状，并且，为了具有高透光性，优选地，上述光散射粒子p的折射率在1.42～1.60的范围内。[0083]并且，上述光散射粒子p的平均粒径优选为1μm～50μm，更优选为1μm～10μm。当平均粒径小于1μm时，光扩散效果或光散射效果低，当大于50μm时，由于粒子过粗，可使得包含其的第二粘结层30及晶圆背面研磨用粘结膜100的厚度均匀度降低。另一方面，上述平均粒径依据库尔特计数(coultercounter)法进行测定。虽然为了提高均匀性，优选地，光散射粒子p的平均粒径通常是均匀的，但为了调节扩散特性，也可将不同材料或粒径的2种以上的光散射粒子p混合使用。[0084]若能够满足如上所述的多个条件，则对光散射粒子p的种类没有特别限定，可包含无机粒子及有机粒子中的一种以上。上述无机粒子可包含选自由二氧化硅粒子、玻璃粉及石英粒子组成的组中的一种以上。上述有机粒子可包含选自由丙烯酸树脂粒子、聚苯乙烯树脂粒子、苯乙烯-丙烯酸共聚物成分的粒子、聚乙烯树脂粒子、环氧树脂粒子、硅树脂粒子、聚偏氟乙烯粒子、聚四氟乙烯粒子、二乙烯基苯树脂粒子、苯酚树脂粒子、氨基甲酸乙酯树脂粒子、醋酸纤维素粒子、尼龙粒子、纤维素粒子、苯代三聚氰胺树脂粒子及三聚氰胺树脂粒子组成的组中的一种以上。[0085]透光性粘结树脂[0086]本发明的第二粘结层30为了起到作为光扩散层的功能，形成其的粘结树脂可选自透光性粘结树脂。[0087]例如，优选地，透光性粘结树脂的折射率在1.40～1.70的范围内，更优选地，在1.45～1.55的范围内。[0088]上述透光性粘结树脂只要是具有透光性树脂材料，如具有透光性的热塑性树脂、热固化树脂或光固化树脂等，没有特别限定。例如，可使用常温减压粘结性树脂，如聚乙烯树脂、聚丙烯树脂、环烯烃类树脂、聚酯类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、硅类树脂及丙烯酸类树脂等，或者，也可使用不具有常温减压粘结性的树脂，如聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂及聚氯乙烯树脂等。[0089]优选地，在本发明中，作为透光性粘结树脂可使用丙烯酸类粘结树脂。例如，丙烯酸类粘结树脂可以为丙烯酸类单体的均聚物或共聚物，如丙烯酸及其酯、甲基丙烯酸及其酯、丙烯酰胺及丙烯腈等，并且，可以是上述丙烯酸类单体的至少一种与乙烯基单体的共聚物，如乙酸乙烯酯、马来酸酐或苯乙烯等。并且，可通过进一步与选自具有粘结性的单体，如丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯及丙烯酸2-乙基己酯等；用作凝聚力成分的单体，如乙酸乙烯酯、丙烯酰胺、丙烯腈、苯乙烯及甲基丙烯酸酯等；更能提高粘结力的含官能团的单体，如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、甲基丙烯酸羟乙酯、甲基丙烯酸羟丙酯、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、羟甲基丙烯酰胺、甲基丙烯酸缩水甘油酯等；用于调节折射率的含氟丙烯酸酯或含硫丙烯酸酯组成的组中的一种以上共聚合来作为丙烯酸类粘结树脂使用。[0090]另一方面，对第二粘结层30的厚度没有特别限定，例如，厚度可以为约10μm～100μm。[0091]晶圆背面研磨用粘结膜[0092]优选地，本发明的晶圆背面研磨用粘结膜100的总透光率为70％以上，漫透射率为6％以上。[0093]具体地，为了从晶圆剥离晶圆背面研磨用粘结膜100，为了降低粘结力，通过照射能量射线(典型的是紫外线)来进行固化反应。在此情况下，基于能量射线的固化反应能够充分地进行，优选地，总透光率为70％以上。[0094]另一方面，由于本发明的第二粘结层30包含光散射粒子p，光散射或光扩散效果表现在晶圆背面研磨用粘结膜100的整体结构中。像这样，为了充分地显示光散射或光扩散效果，优选地，对晶圆背面研磨用粘结膜100的整体结构的漫透射率为6％以上。[0095]以下，通过本发明的优选实施例来更详细地说明本发明的结构及作用。但是，这是作为本发明的优选示例提出的，并在任何意义上都不能解释为限制了本发明。未在此记载的内容只要是本
技术领域：
：的普通技术人员可充分地在技术上类推，因此省略其说明。[0096]制备例1：用于形成第一粘结层的第一粘结组合物的制备[0097]将由27克丙烯酸正丁酯(ba)、48克丙烯酸甲酯(ma)及25克丙烯酸羟乙酯(hea)组成的单体混合物放入反应器中，在反应器中通过设置冷却装置来使得氮气回流且容易调节温度。[0098]接下来，相对于100重量份的上述单体混合物，放入作为溶剂的100重量份的乙酸乙酯(eac)，为了去除上述反应器内的氧气，注入氮气且在30℃的温度条件下充分混合30分钟以上。之后，将温度上升至50℃并保持，作为反应引发剂放入0.1重量份浓度的偶氮二异丁腈，开始进行反应之后，通过聚合24小时来制备第一反应物。[0099]将24.6重量份的2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)及相对于moi的1重量份的催化剂(二月桂酸二丁基锡(dbtdl：dibutyltindilaurate))与上述第一反应物配合，通过在40℃的温度条件下反应24小时来得到重均分子量为50万的丙烯酸类粘结树脂。[0100]以100重量份的上述丙烯酸类粘结树脂为基准，添加作为光聚合引发剂的0.1重量份的irgacure184(basf公司)及作为交联剂的2重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)，商品名“coronatec”)后，充分混合，制备用于形成第一粘结层的第一粘结组合物。[0101]制备例2：用于形成第二粘结层的第二粘结组合物的制备[0102]通过将20重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的丙烯酸乙基己酯、55重量份的丙烯酸甲酯、7重量份的丙烯酸2-羟乙酯、8重量份的丙烯酸、0.05重量份的偶氮二异丁腈及100重量份的乙酸乙酯进行混合来获得的混合物，通过在氮气气氛及60℃的温度条件下聚合6小时来得到重均分子量为60万的丙烯酸类粘结树脂。[0103]以100重量份的上述丙烯酸类粘结树脂为基准，在添加3重量份的异氰酸酯类交联剂(日本聚氨酯工业株式会社(nipponpolyurethanekogyoco.，ltd.)制备，商品名“coronatec”)后，进行充分混合，制备用于形成第二粘结层的第二粘结组合物。[0104]上述制备的第二粘结组合物的折射率测定为1.48，在测定时通过使用阿贝(abbe)折射仪来进行测定。[0105]实施例1[0106]通过将制备例1的第一粘结组合物涂敷在离型处理的pet(聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度为50μm)上，使第一粘结层的厚度达到20μm，通过将50μm厚度的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(基材)粘合来制备具有120μm厚度的第一粘结层的第一复合膜。[0107]接下来，以100重量份的制备例2的第二粘结组合物为基准，添加作为光散射粒子的折射率为1.59、平均粒径为3μm的1.0重量份的聚苯乙烯成分的有机粒子(称为“b1”)后，充分混合，并涂敷在厚度为25μm的双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，使得其厚度达到20μm，制备具有厚度为45μm的第二粘结层的第二复合膜。[0108]通过将上述第一复合膜与第二复合膜接合来制备整体厚度为115μm(整体厚度不包括离开型pet的厚度)的晶圆背面研磨用粘结膜。[0109]实施例2及实施例3及比较例1至比较例3[0110]在实施例1中，除了将各成分的种类或含量、粘结层的厚度等变更为如下表1，通过与实施例1相同的方式分别制备了晶圆背面研磨用粘结膜。[0111]实验例1：光特性评价[0112]相对于上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜，通过利用混浊度测量仪(hazemeter)设备(nippondenshoku公司，ndh5000)来测定总透射率(t.t，％)及漫透射率(d.t，％)，将其结构显示在表1中。[0113]实验例2：测定第二粘结层的剪切储能模量[0114]使用作为剪切储能模量测定装置的流变仪(rheometer，tainstruments公司；ares-g2)，将通过层叠由用于形成上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜的第二粘结层的第二粘结组合物溶液形成的单层粘结层来得到尺寸为直径8mm×厚度1mm的样品，将在1hz从-20℃至120℃的温度环境下测定剪切储能模量，在30℃的温度条件下记录剪切储能模量，并显示在如下的表1中。[0115]实验例3：晶圆背面研磨后厚度均匀度及残留物测试[0116]将上述实施例1至实施例3及比较例1至比较例3的晶圆背面研磨用粘结膜粘附于半导体电路面(＝晶圆表面)后，使用背面研磨设备(disco公司；dgp8760)，对厚度为725μm的晶圆进行背面研磨至厚度为100μm。[0117]在背面研磨工序结束后，利用曝光设备(世明vactron；trsj-3000)照射300mj/cm2的紫外线a。然后，将热封胶带(heatsealingtape；mbs-100r)在220℃的温度条件下热压接在晶圆背面研磨用粘结膜的一侧外围部后，去除晶圆背面研磨用粘结膜。[0118]在背面研磨工序后，通过显微镜观察去除粘结膜的晶圆表面的20个点来确认晶圆的厚度均匀度及是否产生粘结剂残留物，具体地方法如下。[0119]1.粘结剂残留物测试[0120]测定在背面研磨的晶圆内的20个点的残留物的大小，如下进行评价，并将其结果显示在如下的表1中。[0121]○：没有大小为10μm以下的残留物[0122]△：产生大小为10μm以下的残留物[0123]×：大量产生大小为10μm以上的残留物[0124]2.晶圆的厚度均匀度测试[0125]当在背面研磨的晶圆内的20个点的厚度的标准差为±4μm以下时，将晶圆的厚度均匀度程度评价为良好(○)，当厚度标准差为±6μm以上时，将晶圆的厚度均匀度程度评价为不良(×)，并将其结构显示在如下的表1中。[0126]表1[0127][0128]上述表1的b1至b3如下。[0129]-b1：作为光散射粒子，折射率为1.59的聚苯乙烯成分，平均粒径为3μm。[0130]-b2：作为光散射粒子，折射率为1.42的聚四氟乙烯成分，平均粒径为3μm。[0131]-b3：作为光散射粒子，折射率为1.49的聚甲基丙烯酸甲酯成分，平均粒径为3μm。[0132]从上述表1中可知，在本发明实施例1至实施例3中，第二粘结层起到缓冲层的功能，在晶圆背面研磨时具有保护效果，同时通过在第二粘结层中包含光散射粒子来在粘结剂残留物测试及厚度均匀度测试中也显示出优秀的结果。[0133]相反，比较例1中的第二粘结层中不包含光散射粒子，在粘结剂残留物测试中大量产生10μm以上大小的残留物。比较例2中包含过量光散射粒子，在粘结剂残留物测试及厚度均匀度测试中也显示不良结果，第二粘结层的剪切储能模量相对于实施例高。比较例3中的用于形成粘结层的粘结树脂与光散射粒子的折射率差异过低，由于不满足式1，因此光散射(扩散)效果不充分，在粘结剂残留物测试结果中产生10μm以下大小的残留物，从而抑制残留物产生效果不理想。[0134]如上所述，虽然参照例示的附图对本发明进行了说明，但本发明并不受在本说明书中公开的实施例和附图的限制，显而易见的是，普通技术人员可在本发明的技术思想的范围内实现多种变形。而且，即使在先说明本发明实施例时没有明确记载说明对本发明的结构的作用效果，但也应该认可能够通过相应结构预测的效果。当前第1页12当前第1页12
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