导电粒子、导电胶、电路板组件及芯片转移方法与流程

1.本发明涉及发光芯片领域，尤其涉及一种导电粒子、导电胶、电路板组件及芯片转移方法。


背景技术：

2.micro led(micro light-emitting diode，微小发光二极管)是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以micro led技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。
3.在micro led产业技术中，会将百万甚至千万级的micro led芯片转移至显示背板上进行键合。在micro led巨量转移方案中，使用导电胶进行键合是较为热门的一种直接键合方案，一方面使用导电胶可以直接跳过在显示背板制作凸点下金属化层ubm制作和蒸镀焊料的过程，同时使用导电胶键合bonding，还能在一定程度上防止显示背板和转移基板的翘曲，且导电胶的粘合强度可以增强发光芯片和显示背板键合的稳定性。
4.目前利用导电胶进行micro led芯片的转移和键合过程中，事先在显示背板上设置覆盖芯片键合区的导电胶层，然后将待转移的micro led芯片转移至导电胶层后，对导电胶层进行加热使其融化并通过下压头对导电胶层上的micro led芯片下压，使得micro led芯片的电极通过导电胶中的导电粒子与芯片键合区中的焊盘电连接，因为当前下压头压力均匀性的限制(下压头压的面积越大，越不均一)，每次下压的键合芯片的区域都比较小，因此需要进行多次对micro led芯片进行转移和下压，并对当前下压头下的芯片键合区之上的导电胶层加热使其固化以完成键合。在此过程中前一次键合对下压头之下的导电胶层区域进行加热时，会不可避免的引发周围的芯片键合区之上的导电胶层区域受热固化，从而导致后续不能正常向周围的芯片键合区进行芯片的转移和键合。
5.因此，如何避免芯片转移过程中，对芯片键合区之上的导电胶层加热时，导致该芯片键合区周围的其他导电胶层区域受热固化，是目前亟需解决的问题。


技术实现要素：

6.鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种导电粒子、导电胶、电路板组件及芯片转移方法，旨在解决相关技术中，如何避免芯片转移过程中，对芯片键合区之上的导电胶层加热时，导致该芯片键合区周围的其他导电胶层区域受热固化的问题。
7.本发明提供一种导电粒子，包括：
8.内核，所述内核包括在交变磁场下产生热量的磁性微球；
9.包裹所述内核的导电层。
10.上述导电粒子的内核包括在交变磁场下产生热量的磁性微球，该导电粒子还包括将内核包裹的导电层；该导电粒子在交变磁场下，其内部的磁性微球可产生热量，也即该导电粒子在交变磁场下可自发热。因此在利用该导电粒子制成导电胶时，可根据需求针对性的对导电胶层上需要加热的目标区域施加交变磁场，使得该目标区域中的导电粒子在交变
磁场作用下自发热以对目标区域的绝缘粘合胶材加热，目标区域之外的导电粒子不会受交变磁场的影响，因此不会产生热量，且目标区域中的导电粒子自发热产生的热量非常集中，基本不会或只有很少的一部分传递到目标区域之外的绝缘粘合胶材，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材不会因受热而固化，且整个过程不需要提供外部加热装置。
11.基于同样的发明构思，本发明还提供一种导电胶，包括绝缘粘合胶材和如上所述的导电粒子，所述导电粒子分布于所述绝缘粘合胶材内，所述绝缘粘合胶材为热固型胶材。
12.上述导电胶中的导电粒子在交变磁场下可自发热，因此在利用该导电胶进行芯片转移键合的过程中，可根据需求针对性的对导电胶层上需要加热的目标区域施加交变磁场，使得该目标区域中的导电粒子在交变磁场作用下自发热以对目标区域的导电胶加热，目标区域之外的导电粒子不会受交变磁场的影响不会产生热量，且目标区域中的导电粒子自发热产生的热量不会或只有很少的一部分传递到目标区域之外的绝缘粘合胶材，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材不会因受热而固化，且整个过程不需要提供外部加热装置。
13.基于同样的发明构思，本发明还提供一种电路板组件，包括电路板和导电胶膜；
14.所述电路板上设有至少一个芯片键合区；
15.所述导电胶膜包括覆盖在所述芯片键合区上的绝缘粘合胶材层，以及均匀分布于所述绝缘粘合胶材层中的导电粒子，所述导电粒子为如上所述的导电粒子。
16.上述电路板的芯片键合区上覆盖有导电胶膜，导电胶膜中均匀分布有再交变磁场下能自发热的导电粒子，因此在将待转移的发光芯片与对应的芯片键合区上的导电胶膜对位贴合后，可向导电胶膜贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场，目标区域内的导电粒子在第一交变磁场下产生第一热量，从而使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第一热量下融化；并在发光芯片的电极通过目标区域内的导电粒子与芯片键合区内的焊盘电连接后，向目标区域施加第二交变磁场，目标区域内的导电粒子在第二交变磁场下产生第二热量使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第二热量下固化，从而完成发光芯片的转移键合；整个芯片转移过程不需要提供外部加热装置，目标区域中的导电粒子在交变磁场作用下自发热产生的热量不会或只有很少的一部分传递到目标区域之外的绝缘粘合胶材，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材不会因受热而固化，且整个过程不需要提供外部加热装置。
17.基于同样的发明构思，本发明还提供一种芯片转移方法，向如上所述的电路板组件转移发光芯片，包括；
18.将待转移的发光芯片与对应的所述芯片键合区上的所述导电胶膜对位贴合；
19.向所述导电胶膜贴合有所述发光芯片的目标区域施加第一交变磁场，所述目标区域内的所述导电粒子在所述第一交变磁场下产生第一热量，所述目标区域内的所述绝缘粘合胶材层在所述第一热量下融化；
20.向所述发光芯片和所述目标区域施加相对的外力，所述发光芯片的电极在所述外力作用下，通过所述目标区域内的所述导电粒子与所述芯片键合区内的焊盘电连接；
21.向所述目标区域施加第二交变磁场，所述目标区域内的所述导电粒子在所述第二交变磁场下产生第二热量，所述目标区域内的所述绝缘粘合胶材层在所述第二热量下固化。
22.上述芯片转移方法，在将待转移的发光芯片对应的与芯片键合区上的导电胶膜对位贴合后，向导电胶膜贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场，目标区域内的导电
粒子在第一交变磁场下产生第一热量，从而使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第一热量下融化；并在发光芯片的电极通过目标区域内的导电粒子与芯片键合区内的焊盘电连接后，向目标区域施加第二交变磁场，目标区域内的导电粒子在第二交变磁场下产生第二热量使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第二热量下固化，从而完成发光芯片的转移键合；整个芯片转移过程不需要提供外部加热装置，目标区域中的导电粒子在交变磁场作用下自发热产生的热量不会或只有很少的一部分传递到目标区域之外的绝缘粘合胶材，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材不会因受热而固化，且整个过程不需要提供外部加热装置。
附图说明
23.图1为现有显示背板上的通过导电胶层实现micro led芯片键合的示意图；
24.图2本发明实施例提供的导电粒子结构示意图一；
25.图3本发明实施例提供的导电粒子结构示意图二；
26.图4本发明实施例提供的导电粒子结构示意图三；
27.图5本发明实施例提供的导电粒子结构示意图四；
28.图6为本发明实施例提供的导电粒子制作方法流程示意图；
29.图7为本发明实施例提供的电路板组件结构示意图；
30.图8为本发明实施例提供的导电粒子分布示意图一；
31.图9为本发明实施例提供的导电粒子分布示意图二；
32.图10为本发明实施例提供的相邻导电粒子间距示意图；
33.图11为本发明实施例提供的芯片转移流程示意图；
34.图12为本发明实施例提供的第一发光芯片转移过程示意图；
35.图13为本发明实施例提供的第二发光芯片转移过程示意图；
36.图14为本发明实施例提供的第三发光芯片转移过程示意图；
37.附图标记说明：
38.10-显示背板，20-导电胶层，30-下压头，40-microled芯片，2-导电粒子，21-磁性微球，22-绝缘层，221-第一绝缘层，222-第二绝缘层，23-导电层，231-第一导电层，232-第二导电层，3-电路板，4-导电胶膜，41-绝缘粘合胶材层，5-承载基板，6-发光芯片，61-电极，7-第二发光芯片，8-第三发光芯片。
具体实施方式
39.为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
40.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。
41.相关技术中，利用导电胶进行micro led芯片的转移和键合过程中，参见图1所示，事先在显示背板10上设置覆盖芯片键合区的导电胶层20，然后将待转移的micro led芯片
40转移至导电胶层20上后，对导电胶层20进行加热使导电胶层20融化，并通过下压头30对导电胶层上的micro led芯片40下压使得micro led芯片40的电极通过导电胶20中的导电粒子与芯片键合区中的焊盘电连接，因为当前下压头30压力均匀性的限制，每次下压的键合芯片的区域都比较小，因此需要进行多次对micro led芯片进行转移和下压，并对当前下压头30下的芯片键合区之上的导电胶层20加热使其固化以完成键合。在此过程中，前一次键合对下压头30之下的导电胶层20区域进行加热时，会不可避免的引发周围的芯片键合区之上的导电胶层区域a受热固化，从而导致后续不能正常向周围的导电胶层区域a进行芯片的转移和键合。
42.基于此，本发明希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
43.本实施例提供了一种导电粒子，该导电粒子可在交变磁场下自发热。本实施例中的导电粒子可应用于但不限于制作导电胶，当然也可应用于替他领域，在此不再赘述。
44.其中，本实施例提供的导电粒子包括：
45.内核，本实施例中的内核包括在交变磁场下产生热量的磁性微球。本实施例中的磁性微球的材质，在满足在交变磁场下能产生热量的条件下，可以灵活选用。例如，在一些示例中，磁性微球的材质可包括但不限于：碳包铁、四氧化三铁、三氧化二铁、钻粉、纳米镍粉、纳米钻氧化物、纳米镍氧化物、纳米钻镍氧化物中的至少一种。
46.本实施例提供的磁性微球的材质，可根据但不限于具体应用场景中磁性微球在交变磁场下所产生的热量的需求灵活设置，还可结合制作工艺等需求灵活设置。
47.在本实施例的一些示例中，磁性微球的直径，可根据但不限于具体应用场景中磁性微球在交变磁场下所产生的热量的需求灵活选择。例如，在一些应用场景中，磁性微球的直径可为但不限于纳米级磁性微球，例如，磁性微球的直径可为但不限于50纳米至1000纳米。一些应用场景中，磁性微球的直径可设置为但不限于100纳米至1000纳米，比如100纳米、150纳米、200纳米、400纳米、500纳米、600纳米、800纳米、900纳米或1000纳米等。在本实施例中，磁性微球的直径在设定的尺寸范围内，直径越大，磁性微球在在交变磁场下所产生的热量越大，因此可根据具体应用需求在设定的尺寸范围内灵活选用相应直径的磁性微球。相应的，本实施例中的导电粒子的粒径也可根据需求灵活设置，例如导电粒子的粒径为1.5微米至5微米；在一些应用场景中，导电粒子的粒径可为但不限于2微米至3微米、1.5微米至3微米或2微米至4微米等。
48.本实施例中的导电粒子还包括将内核包裹的导电层。该导电层则起到电连接作用，例如对应的电极与焊盘实现电连接。为了便于理解，下面结合图1所示的导电粒子结构示例进行说明。
49.参见图2所示的导电粒子2，其包括导电层23以及磁性微球21，导电层23将磁性微球21包裹在内。应当理解的是，本实施例中，一颗导电粒子2的内核所包括的磁性微球21的数量可以灵活设置，例如在满足导电粒子2的自发热需求的条件下，可以包括1颗磁性微球21，也可包括多颗磁性微球21，在此不再一一赘述。
50.应当理解的是，本实施例中导电粒子在满足上述条件下，其结构可以灵活设置，并不限于图2所示的示例结构。例如，另一示例所示的导电粒子参见图3所示，其包括将内核包裹的导电层23，其中内核包括磁性微球21，以及将磁性微球21包裹的绝缘层22。图3中的导
电层23覆盖在绝缘层22上而磁性微球21被包裹在绝缘层22内。
51.应当理解的是，本实施例中上述示例中的绝缘层22和导电层23的材质和结构也可灵活设置。例如，在一些示例中，绝缘层22的材质包括但不限于硅和绝缘树脂中的至少一种。导电层23的材质可包括但不限于镍、金、银、锡和铜中的至少一种。而绝缘层22和导电层23中的至少之一可为单层结构，也可为多层结构，且每一层的材质可为以上示例材质中的一种材质，也可为以上示例材质中的两种或两种以上的复合材质。
52.例如，在一些应用场景中，可设图3中所示的导电层23为单层结构，其可为镍合金层、金层、银层或铜层等。但导电层也可设置为多层结构。一种应用示例参见图4所示，图4所示的导电粒子2与图3所示的导电粒子2相比，主要区别在于导电层23包括从内到外依次设置的第一导电层231和第二导电层232，其中第一导电层231和第二导电层232的材质可以相同，例如可都为但不限于镍合金层、金层、银层或铜层。第一导电层231和第二导电层232的材质也可以不同，例如第一导电层231可为但不限于镍合金层、金层、银层或铜层中的一种，第二导电层232可为但不限于镍合金层、金层、银层或铜层中的另一种。当然，根据需求，还可设置导电层包括三层或三层以上，在此不再赘述。
53.又例如，在一些应用场景中，可设图3中所示的绝缘层22为单层结构，其可为硅层或绝缘树脂层等。但绝缘层也可设置为多层结构。一种应用示例参见图5所示，图5所示的导电粒子2与图3所示的导电粒子2相比，主要区别在于绝缘层22包括从内到外依次设置的第一绝缘层221和第二绝缘层222，其中第一绝缘层221和第二绝缘层222的材质可以相同，例如可都为但不限于硅层或绝缘树脂层。第一绝缘层221和第二绝缘层222的材质也可以不同，例如第一绝缘层221可为但不限于硅层或绝缘树脂层中的一种，第二绝缘层222可为但不限于硅层或绝缘树脂层中的另一种。当然，根据需求，还可设置绝缘层包括三层或三层以上，在此不再赘述。
54.另外，应当理解的是，本实施例中对导电粒子的制作工艺不做任何限制。例如，一种图3所示的导电粒子的制作过程参见图6所示，其可包括但不限于：
55.s601：获取磁性微球。
56.s602：在磁性微球外部形成包裹磁性微球的绝缘层。
57.如上所述，本步骤中的绝缘层可采用但不限于硅层或绝缘树脂层。
58.s603：在绝缘层外部形成包裹绝缘层的导电层。
59.如上所述，本步骤中的导电层可采用但不限于镍合金层。
60.本实施例还提供了一种导电胶，该导电胶包括绝缘粘合胶材和如上各示例中所示的导电粒子，导电粒子分布于绝缘粘合胶材内，本实施例中的绝缘粘合胶材为热固型胶材。本实施例中，分布于绝缘粘合胶材内的导电粒子的浓度可根据应用需求灵活设置，且本实施例中的导电粒子可在绝缘粘合胶材内均分分布，也可非均匀分布。本实施例中对于绝缘粘合胶材的材质可采用各种绝缘、具有粘性且为热固型的材质，在此不再赘述。
61.本实施例还提供了一种电路板组件，参见图7所示，其包括电路板3和导电胶膜4。应当理解的是，本实施例中的电路板3可以为但不限于显示背板(可以为玻璃背板或pcb背板等)、照明用电路板或其他功能电路板。且本实施例中的电路板可以为柔性电路板，也可为刚性电路板。
62.本实施例中的电路板3上设有至少一个芯片键合区，本实施例中的芯片键合区可
用于但不限于承载发光芯片，该发光芯片可以为芯片尺寸大于200微米的普通尺寸的led芯片或大尺寸led芯片，也可为芯片尺寸小于等于200微米的微型发光芯片，例如mini led芯片或micro led芯片等。当然，在一些应用示例中，至少一个芯片键合区还可用于限于承载电阻芯片、电容芯片或驱动芯片等。
63.本实施例中，导电胶膜4包括覆盖在芯片键合区上的绝缘粘合胶材层41，以及均匀分布于绝缘粘合胶材层41中的导电粒子2，导电粒子2为如上各示例所示的导电粒子。在本实施例中，绝缘粘合胶材层41中的各导电粒子2的粒径相同，也可设置为其中一部分导电粒子2的粒径不同，一部分导电粒子2的粒径相同。
64.在本实施例的一种示例中，为了提升芯片转移、键合的可靠性，参见图7所示，还可设置各导电粒子2靠近绝缘粘合胶材层41的底面(绝缘粘合胶材层41的底面为绝缘粘合胶材层41覆盖在芯片键合区上的一面)分布。且各导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中可均匀的呈规则性的分布，例如可呈矩阵分布。当然，在一些示例中，各导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中也可呈非规则性的分布，例如随机分布等。
65.为了便于理解，下面以各导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中呈矩阵分布为示例进行说明。
66.一种示例参见图8所示，各导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中呈矩阵分布。另一示例参见图9所示，各导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中呈矩阵分布，且相邻两行的导电粒子2交错分布。在一种应用场景中，图9中相邻三行相邻四个导电粒子d之间的间隔参见图10所示：其中相邻三行在同一列之间的两个导电粒子2之间的第一距离l1(两个导电粒子的中心点之间的距离)为10微米至12微米，同一行之间的两个导电粒子2之间的第二距离l2(两个导电粒子的中心点之间的距离)为6微米至7微米。当然，该具体的间距还可根据应用需求灵活设置，在此不再一一赘述。
67.为了理解，本实施例下面结合向上述各示例所示的电路板组件转移芯片的芯片转移方法进行示例说明。本示例中以转移的芯片为发光芯片为示例，向的电路板组件转移发光芯片的过程参见图11所示，其包括：
68.s1101：将待转移的发光芯片与对应的芯片键合区上的导电胶膜对位贴合。
69.本示例中，发光芯片为micro led芯片。导电粒子的粒径为2微米至3微米，导电粒子在绝缘粘合胶材层中均匀分布且呈矩阵设置。
70.本实施例中，可将待转移的发光芯片通过但不限于生长基板、临时基板(也可称之为暂态基板)或转移基板与对应的芯片键合区上的导电胶膜对位贴合。在对位贴合后，可将生长基板、临时基板(也可称之为暂态基板)或转移基板去除。在一些示例中，也可直接将生长基板、临时基板(也可称之为暂态基板)或转移基板作为下压头使用，也可在将生长基板、临时基板(也可称之为暂态基板)或转移基板去除后，单独使用下压头对发光芯片进行下压。
71.s1102：向导电胶膜贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场，目标区域内的导电粒子在第一交变磁场下产生第一热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层在第一热量下融化。
72.当然，在一些示例中，s1102中的导电胶膜的绝缘粘合胶材层初始时也可处于融化状态，此时该s1102在本次芯片转移过程中可省略。在本实施例中，向导电胶膜贴合有发光
芯片的目标区域施加第一交变磁场的方式，可采用各种交变磁场的生成和施加方式，在此对其不做限制。本实施例施加的第一交变磁场的第一磁场强度，使得绝缘粘合胶材层融化且未达到固化温度阈值即可。
73.s1103：向发光芯片和目标区域施加相对的外力，发光芯片的电极在外力作用下，通过目标区域内的导电粒子与芯片键合区内的焊盘电连接。
74.在本实施例中，可以向发光芯片施加第一外力使其向电路板方向移动，也可向电路板施加第二外力使其向发光芯片移动，或同时向发光芯片和电路板施加第一外力和第二外力。具体的外力施加方式可灵活设置，在此对其不做限制。
75.s1104：向目标区域施加第二交变磁场，目标区域内的导电粒子在第二交变磁场下产生第二热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层在第二热量下固化。
76.在本实施例中，向导电胶膜贴合有发光芯片的目标区域施加第二交变磁场的方式，可采用各种交变磁场的生成和施加方式，在此对其不做限制。本实施例施加的第二交变磁场的第二磁场强度，使得处于融化状态的绝缘粘合胶材层固化即可。在本实施例中，第二磁场强度大于第一磁场强度。
77.以上芯片转移过程中，在将待转移的发光芯片对应的与芯片键合区上的导电胶膜对位贴合后，向导电胶膜贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场，目标区域内的导电粒子在第一交变磁场下产生第一热量，从而使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第一热量下融化；并在发光芯片的电极通过目标区域内的导电粒子与芯片键合区内的焊盘电连接后，向目标区域施加第二交变磁场，目标区域内的导电粒子在第二交变磁场下产生第二热量使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第二热量下固化，从而完成发光芯片的转移键合；整个芯片转移过程不需要提供外部加热装置，目标区域中的导电粒子在交变磁场作用下自发热产生的热量不会或只有很少的一部分传递到目标区域之外的绝缘粘合胶材，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材不会因受热而固化，且整个过程不需要提供外部加热装置。
78.为了便于理解，本实施例下面以图12所示的转移过程为示例进行说明。参见图12所示，其包括但不限于：
79.s1201：将待转移的发光芯片6与电路板3上对应的芯片键合区上的导电胶膜4对位贴合后，向导电胶膜4贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场c1，目标区域内的导电粒子2在第一交变磁场c1下产生第一热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层41在第一热量下融化。本实施例中施加交变磁场的控制精度可以控制在50微米乘50微米的一个区域，也即可以单颗发光芯片所覆盖的区域进行控制。
80.本示例中，发光芯片6为第一发光芯片，且可设置为蓝光micro led芯片。导电粒子2的粒径为2微米至3微米，导电粒子2在绝缘粘合胶材层41中均匀分布且呈矩阵设置。
81.本实施例中，可将待转移的发光芯片6通过承载基板5与对应的芯片键合区上的导电胶膜对位贴合，该承载基板5可为但不限于生长基板、临时基板(也可称之为暂态基板)或转移基板，且该承载基板5可复用为下压头，也可不复用为下压头(此时将承载基板5移除后单独使用下压头)。本实施例以将其复用为下压头为示例进行说明。
82.s1202：向发光芯片6和目标区域施加相对的外力，发光芯片6的电极61在外力作用下，通过目标区域内的导电粒子2与芯片键合区内的焊盘电连接。然后向目标区域施加第二交变磁场c2，目标区域内的导电粒子2在第二交变磁场c2下产生第二热量，目标区域内的绝
缘粘合胶材层41在第二热量下固化，完成键合。
83.s1203：移除承载基板5。
84.在s1201和s1202中，由于仅向导电胶膜4贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场和第二交变磁场，目标区域内的导电粒子2在第一交变磁场下产生第一热量，从而使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第一热量下融化；目标区域内的导电粒子2在第二交变磁场下产生第二热量，从而使得目标区域内的绝缘粘合胶材层在第二热量下固化；目标区域中的导电粒子2在交变磁场作用下自发热产生的热量不会或只有很少的一部分传递到目标区域周围的绝缘粘合胶材区域b，因此目标区域之外的绝缘粘合胶材区域b不会因受热而融化或固化。
85.在本示例的一种应用场景中，上述电路板3为显示背板时，可以仅向显示背板转移第一发光芯片，并结合相应的发光转换层实现显示背板的全彩设置。但在另一些应用示例中，还可在电路板3上转移第二发光芯片(绿光发光芯片)和第三发光芯片(红光发光芯片)。第二发光芯片和第三发光芯片的转移过程分别参见图13和图14所示，其包括但不限于：
86.参见图13所示，向电路板组件转移第二发光芯片的过程包括但不限于：
87.s1301：将待转移的第二发光芯片7与电路板3上对应的芯片键合区上的导电胶膜4对位贴合后，向导电胶膜4贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场c1，目标区域内的导电粒子2在第一交变磁场c1下产生第一热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层41在第一热量下融化。本示例中的承载基板5可复用为下压头。
88.s1302：向第二发光芯片7和目标区域施加相对的外力，第二发光芯片7的电极在外力作用下，通过目标区域内的导电粒子2与芯片键合区内的焊盘电连接。然后向目标区域施加第二交变磁场c2，目标区域内的导电粒子2在第二交变磁场c2下产生第二热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层41在第二热量下固化，完成键合。
89.s1303：移除承载基板5。
90.参见图14所示，向电路板组件转移第三发光芯片的过程包括但不限于：
91.s1401：将待转移的第三发光芯片8与电路板3上对应的芯片键合区上的导电胶膜4对位贴合后，向导电胶膜4贴合有发光芯片的目标区域施加第一交变磁场c1，目标区域内的导电粒子2在第一交变磁场c1下产生第一热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层41在第一热量下融化。本示例中的承载基板5可复用为下压头。
92.s1402：向第三发光芯片8和目标区域施加相对的外力，第三发光芯片8的电极在外力作用下，通过目标区域内的导电粒子2与芯片键合区内的焊盘电连接。然后向目标区域施加第二交变磁场c2，目标区域内的导电粒子2在第二交变磁场c2下产生第二热量，目标区域内的绝缘粘合胶材层41在第二热量下固化，完成键合。
93.s1403：移除承载基板5。
94.本实施例还提供了一种发光组件，该发光组件可为显示面板，也可为照明器件。其通过上述芯片转移方法制得。且本实施例提供的以上芯片转移过程，即使面对多种发光颜色的芯片转移，相对现有只能将所有发光颜色的芯片转移至显示背板上后，再一次键合到显示背板上的做法，本实施例可以依次进行不同颜色的发光芯片直接键合到电路板上，可以减少转移步骤，简化转移过程，进而提升转移良率和转移效率。
95.本实施例还提供了一种显示屏，其可为柔性显示屏，也可为刚性显示屏，且其可为
规则形状的显示屏，例如矩形、圆形、椭圆形等，也可为异形显示屏。其包括驱动模组和以及如上各示例所示的发光组件，驱动模组用于驱动控制该发光组件。应当理解的是，本实施例中的显示屏可以应用于各种电子设备，例如显示器、电脑、手机、智能手表、车载设备、vr设备、广告牌等。该显示屏制作效率更高，成本更低，良品率更好，出光效率更高且显示效果更好。
96.应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。