使用肼基前体沉积氮化硼膜的制作方法

技术特征：
1.一种形成包含无定形氮化硼的层的方法，该方法包括：在反应室内提供衬底；向反应室提供包含肼或肼衍生物的肼基硼烷或硼烷加合物的前体；以及使用该前体形成包含氮化硼的非晶层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前体表示为：其中，r1至r4中的至少一个包含br’r”，r’和r”独立地选自由h、烷基和芳基构成的组。3.根据权利要求2所述的方法，其中，r1至r4中的至少一个包括h、烃基或酰肼基。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，r1至r4中的一至三个包含独立选择的烃官能团。5.根据权利要求4的方法，其中，所述烃官能团中的至少一至三个是c1至c10烷基。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一个是c6至c10芳基。7.根据权利要求2所述的方法，其中，r1至r4中的至少一个选自由烷基、芳基、肼、肼衍生的基团、卤素、氢、两性离子变体、bh2和bh3构成的组。8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，介电层的形成包括包含多个循环的循环沉积过程，其中每个循环包括前体脉冲和反应物脉冲，其中前体脉冲包括将衬底或沉积在其上的层暴露于所述前体，并且其中反应物脉冲包括将衬底或沉积在其上的层暴露于反应物。9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，在衬底上形成介电层包括使用化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)来沉积所述无定形氮化硼的薄膜。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述无定形氮化硼的介电常数小于2。11.一种根据权利要求1-10中任一项所述的方法形成的结构。12.一种制造结构的方法，包括：在衬底上形成第一层；以及在沉积第一层之后，通过执行包括多个循环的沉积过程在第一层上形成蚀刻停止层或介电层，其中每个循环包括前体脉冲和反应物脉冲，其中前体脉冲包括将导电材料的第一层暴露于前体，并且其中反应物脉冲包括将衬底暴露于反应物，其中，前体包含肼或肼衍生物的肼基硼烷或硼烷加合物。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述前体表示为：其中，r1至r4中的至少一个包含br’r”，r’和r”独立地选自由h、烷基和芳基构成的组。14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述肼衍生物包含一至三个独立选择的烃官能团。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一至三个是c1至c10烷
基。16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述烃官能团中的至少一个是c6至c10芳基。17.根据权利要求13所述的方法，其中，r1至r4中的至少一个选自由烷基、芳基、肼、肼衍生的基团、卤素、氢、bh2和bh3构成的组。18.根据权利要求12-17中任一项所述的方法，其中，所述沉积过程包括循环化学气相沉积(cvd)或原子层沉积(ald)。19.一种制造结构的方法，包括：提供衬底；在衬底上沉积第一层；在沉积第一层之后，在第一层上形成包含氮化硼的超低k介电层；以及在形成超低k介电层之后，在介电层上沉积第二层，由此超低k介电层夹在第一和第二层之间。20.根据权利要求19所述的方法，其中，形成超低k介电层包括将所述第一层的表面暴露于包含肼基硼烷或者肼或肼衍生物的硼烷加合物的前体。

技术总结
一种形成高质量a-BN层的方法。该方法包括使用前体化学物质，该化学物质特别适用于循环沉积过程，例如化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等。简而言之，描述了由能够通过CVD、ALD等生长无定形BN(a-BN)膜的前体形成氮化硼(BN)层的新方法。在一些情况下，前体是或包括肼或肼衍生物的硼烷加合物。肼或肼衍生物的硼烷加合物。肼或肼衍生物的硼烷加合物。


技术研发人员：C.德泽拉 T.布兰夸特
受保护的技术使用者：ASMIP私人控股有限公司
技术研发日：2022.08.10
技术公布日：2023/2/17